本章是后面各章的基礎(編輯修改稿)
2025-06-15 01:00 本頁面
【文章內容簡介】 T)2 ID ? K(UGS UT)2(1+? UDS) ?對耗盡型 MOS管還可表示為： ID ?IDSS(1UGS/ Up)2 飽和漏極電流的值為： IDSS ? (181。nCOXW/2L )Up2 N溝道耗盡型 MOSFET轉移特性曲線 ?N溝道耗盡型 MOSFET的轉移特性曲線 : 如圖所示： ? P溝道 MOSFET的工作原理與 N溝道 MOSFET完全相同。 ? 區(qū)別是導電的載流子不同，供電電壓極性不同。 ? 同雙極型三極管有 NPN型和 PNP型一樣 。 (三 )P溝道耗盡型 MOSFET ? 場效應管的特性曲線類型比較多：根據導電溝道不同，以及增強型還是耗盡型 ,可有四種轉移特性曲線和輸出特性曲線，其電壓和電流方向也有所不同。 ? 如果按統(tǒng)一規(guī)定正方向，特性曲線就要畫在不同的象限。 ? 為便于繪制，將 P溝道管子的正方向反過來設定。 ? 有關曲線繪于下圖之中。 2. 伏安特性曲線 各類絕緣柵場效應三極管的特性曲線 絕緣柵場效應管 N 溝 道 增 強 型 P 溝 道 增 強 型 絕緣柵場效應管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 第二節(jié) 結型場效應三極管 ? JFET的結構與 MOSFET相似， 工作機理也相似。如圖 : ? 在 N型半導體硅片的兩側各制造一個 PN結，形成兩個 PN結夾一個 N型溝道的結構。 ? P區(qū)即為柵極 。 ? N型硅的一端是漏極 。 ? 另一端是源極。 結型場效應三極管的結構 (動畫 28） 一 .結型場效應三極管的結構 : 柵極 漏極 源極 UGS D S G UDS ID ① 柵源電壓對溝道的控制作用 1. 當 UGS=0時 : 溝道較寬，在 UDS作用下， 產 生的 ID較大 。 UGS＜ 0時（即負壓）時 : 隨 UGS增加，溝道變窄， ID減小。 二 .結型場效應三極管的工作原理 耗盡層 N溝道 耗盡層 UGS再增加，增至 UGS=Up時 ， 耗盡層在源極附近相遇， 稱為 全加斷 。此時 ID=0。 ? 當 UGS增加到 UGD=UP（夾斷電壓） 耗盡層在漏極附近相遇，稱為 預夾斷 （動畫 29） 漏源電壓對溝道的控制作用 （動畫 29） (三 )結型場效應三極管的特性曲線 ? 它與耗盡型 MOSFET的特性曲線基本相同，只不過 MOSFET的柵壓可正可負， ? 而結型場效應三極管的柵壓只能是 P溝道的為正或 N溝道的為負。 JFET的特性曲線有兩條： ?轉移特性曲線： ?輸出特性： (a)漏極輸出特性曲線 （動畫 26） (b)轉移特性曲線 （動畫 27） 結型場效應三極管的特性曲線 JFET的特性曲線： 結型場效應管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 第三節(jié) 場效應管的主要參數和微變等效電路 一 場效應管的直流參數 二 場效應管的微變參數 三 場效應管的型號 四 場效應管的微變等效電路 開啟電壓是 MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電的絕對值，場效應管不能導通 (即 IG =0)。 夾斷電壓是耗盡型 FET的參數 ， 當漏極電流為零時 , UGS=U P 耗盡型場效應三極管當 UGS=0時所對應的漏極電流 。 一 場效應三極管的直流參數 ① 開啟電壓 UT ② 夾斷電壓 UP ③ 飽和漏極電流 IDSS ④ 場效應管柵源輸入電阻 RGS： 柵源間加固定電壓 UGS柵極電流 IGS之比，輸入電阻的典型值 : ? 結型場效應管，反偏時 RGS約大于 107Ω， ? 絕緣柵場效應管 RGS約是 109～ 1015Ω。 ?漏源、柵源擊穿電壓 BUDS 、 B UGS ① 低頻跨導 gm 低頻跨導反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用， gm可以在轉 移 ?特性曲線 上求取，單位是 mA/V或 mS(毫西門子 )。 二 場效應管的微變參數 0,0 ??? UUU Ig BSDSGSDmdddd)/( 2 vmAU IgGSDm?????(1).圖解法求解：在曲線上作切線，其斜率為 gm (2).解析法求解： 增強型 MOSFET: gm =1/ Ron 耗盡型 MOSFET: gm =(1 UGS / Up )?2 IDSS/ Up ② 襯底跨導 gmb 0,0 ??? UUU Ig GSDSBSDmbddd dgUC Qg mBSFoxdmb???? )2(2③ 漏極電阻 rdS ：可在輸出特性曲線上求解 0,0 ??? UUIUr BSGSDDSds dddd④ 導通電阻 Ron： ?極間電容 : 包括 CgS 、 Cgd、 Cgb 、 Csd 、
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