【文章內(nèi)容簡介】 用戶信息編碼方式（ TP— DCS） 8— bit編碼 00 有效期（ TP— VP） 5分鐘 01 用戶信息長度（ TP—UDL） 實際長度 1個字節(jié) 68 用戶信息（ TP— UD） 0 68 接收數(shù)據(jù) : 0891683108202105F0040D91683184821969F2021470404271726423026869 表 36 接受數(shù)據(jù) 碼段 含義 說明 08 SMSC地址信息的長度 共 8個八位字節(jié)（包括91） 91 SMSC地址格式（ TON/NPI) 用國際格式號碼（在前面加‘ +’） 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 23 683108202105F0 SMSC地址 8613800210500，補‘ F’湊成偶數(shù)個 04 基本參數(shù)（ TP—MTI/VFP） 0D 回復地址數(shù)字個數(shù) 91 回復地址格式（ TON/NPI） 683118087981F6 回復地址（ TPRA） 8613800210500，補‘ F’湊成偶數(shù)個 00 協(xié)議標識（ TP— PID） 是普通 GSM類型 ,點到點方式 04 用戶信息編碼方式（ TP— DCS） 8— bit編碼 70404271726423 時間戳（ TP— SCTS） 070424 17： 27： 46 23表示時間區(qū) 02 用戶信息長度（ TP—UDL） 實際長度 2個字節(jié) 68 用戶 信息（ TP— UD） 0 68 0 69 GTM900C 信號連接器和天線接口 GTM900C 的信號連接器和天線接口，包括： 信號連接器接口； 天線接口。 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 24 GTM900C 的信號連接器是一個 40 Pin 的 ZIF 連接器，引腳間距為 ，線距 ，結構為單排彎式表貼型，帶電纜鎖緊機構，型號是 Hirose 的 。連接器外形如圖 23 所示。[7] 圖 33 連接器外形 GTM900C 提供的天線接口為 GSC 射頻連接器，外接天線通過電纜連接到該連接器上。該連接器是由 HRS 公司提供的，器件編碼是 (10)，具體的圖形和尺寸如圖 24 所示。 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 25 圖 34 天線接口連接器尺寸圖（單位： mm） 表 37 信號連接器接口功能表 序號 信號名稱 I/O 接口電平 功能 備注 1 VBAT I － 電源 建議典型值： 2 VBAT I 3 VBAT I 4 VBAT I 5 VBAT I 6 GND 地 7 GND 8 GND 9 GND 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 26 10 GND 11 USB_D+ I/O 僅用于模塊調測 ,設計時懸空 12 USB_D I/O 僅用于模塊調測 ,設計時懸空 13 VBUS I 僅用于模塊調測 , 設計時懸空。注意：此管腳與GTM900A/B 存在差異，不能兼容， GTM900A/B 為 VDD 信號，用于模塊正常啟動指示信號。 14 ADC I 0－ 模擬數(shù)字采樣 最高輸入電壓 15 PWON I 開 /關機控制信號 低電 平有效 16 UART_DSR0 O (177。) 數(shù)據(jù)準備就緒 17 UART_RI0 O (177。) 振鈴指示 18 UART_RXD0 O (177。) GTM900 模塊 AT 命令發(fā)送信號（對端設備接收） 用于 GTM900C 模塊的 AT 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 27 串口 命令， TTL 電平 19 UART_TXD0 I (177。) GTM900 模塊 AT 命令串行接收信號（對端設備發(fā)送） 用于 GTM900C 模塊的 AT 命令， TTL 電平 20 UART_CTS0 O (177。) 清除發(fā)送 GTM900C 上 PIN 腳定義為輸出信號 21 UART_RTS0 I (177。) 請求發(fā)送 GTM900C 上 PIN 腳定義為輸入信號 22 UART_DTR0 I (177。) 數(shù)據(jù)設備準備就緒 23 UART_DCD0 O (177。) 載波檢測 24 SIM_CD I (177。) SIM 卡在位信號 目前軟件尚不支持 , 設計時懸空 25 SIM_RST O (177。) SIM 卡復位信 號 26 SIM_DATA I/O (177。) SIM 卡數(shù)據(jù)傳輸接口 27 SIM_CLK O (177。) SIM 卡時鐘信號 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 28 28 SIM_VCC O (177。) SIM 卡電源 29 SIM_GND SIM 卡地 與通常的工作地： GND信號連接同時要求與 SIM卡的GND信號連接 30 Vbackup I/O 備用電池電源信號 參考后面章節(jié)的推薦設計 31 RST I (177。) 復位信號 低電平有效，對模塊復 位 32 LPG O (177。) 指示燈狀態(tài)控制信號 33 AUXO+ O 第二路音頻輸出信號＋ 34 AUXO O 第二路音頻輸出信號－ 35 EAR+ O 第一路音頻輸出信號＋ 36 EAR O 第一路音頻輸出信號－ 37 MIC+ 第一路音頻輸入信號＋ 第一路音頻單端輸入正，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 3 MIC 第一路音頻 第 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 29 8 輸入信號－ 39 AUXI+ 第二路音頻輸入信號＋ 第二路音頻單端輸入正，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 40 AUXI 第二路音頻輸入信號－ 第二路音頻單端輸入負，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 GTM900C 各接口的使用，包括： UART 接口； USB接口； SIM卡接口； RTC Backup 接口； Audio 接口； LPG 接口。 UART 接口的功能特性 UART 接口與外界進行串行通信，支持 電平輸入和輸出。UART 接口的信號除了 RXD0、 TXD0 是高電平有效之外，其余所有信號均為低電平有效。 UART 接口有 512 byte 的發(fā)送 FIFO（ First In First Out）和接收 FIFO，支持可編程的數(shù)據(jù)寬度、可編程的數(shù)據(jù)停止位、可編程的奇 /偶校驗或者沒有校驗。 UART 接口工作的最大速率為 ，默認支持 9600bit/s 的速率，支持波特率掉電保存。 UART 接口信號定義 UART 接口信號定義如表 38 所示 . 表 38 UART 接口信號定義 序號 信號名 描述 特性 方向 23 UART_DCD0 載波檢 數(shù)據(jù)鏈路已連接 DCEDTE 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 30 測 17 UART_RI0 振鈴指示 通知 DTE 有遠程呼叫 DCEDTE 21 UART_RTS0 請求發(fā)送 DTE通知 DCE 請求發(fā)送 DTEDCE 19 UART_TXD0 發(fā)送數(shù)據(jù) DTE 發(fā)送數(shù)據(jù) DTEDCE 16 UART_DSR0 數(shù)據(jù)設備就緒 DCE 準備就緒 DCEDTE 22 UART_DTR0 數(shù)據(jù)終端就緒 DTE 準備就緒 DTEDCE 20 UART_CTS0 清除發(fā)送 CE 已切換到接收模式 DCEDTE 18 UART_RXD0 接收數(shù)據(jù) DTE 接收串行數(shù)據(jù) DCEDTE 6 GND 地 UART接口 DCEDTE 配線 DCEDTE 的連接關系如圖 34 所示。 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 31 圖 34 DCEDTE 的連接關沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 第 4 章 鐵電存儲器 鐵電存儲器的特點 為了實現(xiàn)對預設電話號碼的存儲和對報警信息的記錄，本系統(tǒng)采用了能夠保證掉電數(shù)據(jù)不丟失的鐵電存儲器，該類存儲器相對于傳統(tǒng)的EEPROM有許多優(yōu)點： 1． 傳統(tǒng)的 EEPROM寫入次數(shù)有限，一般為 10萬次，而鐵電存儲器有著近乎無限次擦寫的特性； 2． 傳統(tǒng)的 EEPROM寫入速度較慢，一般需要 CPU延時幾個NOP的時間來等待寫入，而鐵電存儲器有著和 RAM相同的操作速度 ； 3． EEPROM 需要較大的能量來完成一次擦寫，而鐵電存儲器在寫入時屬于微功耗。 本設計選用了 FM24C16來作為非易失性數(shù)據(jù)存儲器，其特點如下： 1. FM24C16A 是一種串行非易失存儲器，它的結構容量為 512*8 位，接口方式為工業(yè)標準二線制造串行接口，與串行 EEPROM的功能操作相似，與 EEPROM具有相同的引腳排列，不同之處在于， FM24C16A具有非常出色的寫操作性能； 內(nèi)部采用讀恢復機制操作。所以讀寫次數(shù)與每一次讀寫都有關系。 FRAM 結構是基于行與列陣列排布，行由 A8 A2 定義。 每 次訪問都會使一行減少一次讀寫壽命。鐵電的擦寫次數(shù)幾乎可以說是無限次。即使每秒訪問 3000次，連續(xù)使用十年，使用壽命仍未終止。 沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 33 鐵電存儲器簡介 鐵電存儲器 (FRAM)：相對于其它類型的半導體 技術 而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類 易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器 SRAM（ static random access memory)和動態(tài)存儲器 DRAM （ dynamic random access memory)。 SRAM和 DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)。 RAM 類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。 非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ ROM） 技術 。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容 易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由 ROM技術 研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有 EPROM (幾乎已經(jīng)廢止）、 EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。 鐵電存儲器能兼容 RAM的一切功能，并且和 ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁 一種非易失性的 RAM 當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能沈陽建筑大學城市建設學院畢業(yè)設計（論文） 34 夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。 鐵電存儲器技術和標準的 CMOS 制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS 基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。 Ramtron公司的鐵電存儲器技術到現(xiàn)在已經(jīng)相當?shù)某墒?。最初的鐵電存儲器采用兩晶體管 /兩電容器 (2T/2C)的結構，導致元件體積相對過大。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標準電容器。 Ramtron 新的單晶體管 /單電容器結構可以像 DRAM 一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結構相比，它有效的把內(nèi)存單元所需要的面積減少一半。新的設計極大的提高了鐵電存儲器的效率，降低了鐵電存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 Ramtron公司同樣也通過轉向更小的技術節(jié)點來提高鐵 電存儲器