【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 用戶(hù)信息編碼方式（ TP— DCS） 8— bit編碼 00 有效期（ TP— VP） 5分鐘 01 用戶(hù)信息長(zhǎng)度（ TP—UDL） 實(shí)際長(zhǎng)度 1個(gè)字節(jié) 68 用戶(hù)信息（ TP— UD） 0 68 接收數(shù)據(jù) : 0891683108202105F0040D91683184821969F2021470404271726423026869 表 36 接受數(shù)據(jù) 碼段 含義 說(shuō)明 08 SMSC地址信息的長(zhǎng)度 共 8個(gè)八位字節(jié)（包括91） 91 SMSC地址格式（ TON/NPI) 用國(guó)際格式號(hào)碼（在前面加‘ +’） 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 23 683108202105F0 SMSC地址 8613800210500，補(bǔ)‘ F’湊成偶數(shù)個(gè) 04 基本參數(shù)（ TP—MTI/VFP） 0D 回復(fù)地址數(shù)字個(gè)數(shù) 91 回復(fù)地址格式（ TON/NPI） 683118087981F6 回復(fù)地址（ TPRA） 8613800210500，補(bǔ)‘ F’湊成偶數(shù)個(gè) 00 協(xié)議標(biāo)識(shí)（ TP— PID） 是普通 GSM類(lèi)型 ,點(diǎn)到點(diǎn)方式 04 用戶(hù)信息編碼方式（ TP— DCS） 8— bit編碼 70404271726423 時(shí)間戳（ TP— SCTS） 070424 17： 27： 46 23表示時(shí)間區(qū) 02 用戶(hù)信息長(zhǎng)度（ TP—UDL） 實(shí)際長(zhǎng)度 2個(gè)字節(jié) 68 用戶(hù) 信息（ TP— UD） 0 68 0 69 GTM900C 信號(hào)連接器和天線接口 GTM900C 的信號(hào)連接器和天線接口，包括： 信號(hào)連接器接口； 天線接口。 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 24 GTM900C 的信號(hào)連接器是一個(gè) 40 Pin 的 ZIF 連接器，引腳間距為 ，線距 ，結(jié)構(gòu)為單排彎式表貼型，帶電纜鎖緊機(jī)構(gòu)，型號(hào)是 Hirose 的 。連接器外形如圖 23 所示。[7] 圖 33 連接器外形 GTM900C 提供的天線接口為 GSC 射頻連接器，外接天線通過(guò)電纜連接到該連接器上。該連接器是由 HRS 公司提供的，器件編碼是 (10)，具體的圖形和尺寸如圖 24 所示。 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 25 圖 34 天線接口連接器尺寸圖（單位： mm） 表 37 信號(hào)連接器接口功能表 序號(hào) 信號(hào)名稱(chēng) I/O 接口電平 功能 備注 1 VBAT I － 電源 建議典型值： 2 VBAT I 3 VBAT I 4 VBAT I 5 VBAT I 6 GND 地 7 GND 8 GND 9 GND 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 26 10 GND 11 USB_D+ I/O 僅用于模塊調(diào)測(cè) ,設(shè)計(jì)時(shí)懸空 12 USB_D I/O 僅用于模塊調(diào)測(cè) ,設(shè)計(jì)時(shí)懸空 13 VBUS I 僅用于模塊調(diào)測(cè) , 設(shè)計(jì)時(shí)懸空。注意：此管腳與GTM900A/B 存在差異，不能兼容， GTM900A/B 為 VDD 信號(hào)，用于模塊正常啟動(dòng)指示信號(hào)。 14 ADC I 0－ 模擬數(shù)字采樣 最高輸入電壓 15 PWON I 開(kāi) /關(guān)機(jī)控制信號(hào) 低電 平有效 16 UART_DSR0 O (177。) 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒 17 UART_RI0 O (177。) 振鈴指示 18 UART_RXD0 O (177。) GTM900 模塊 AT 命令發(fā)送信號(hào)（對(duì)端設(shè)備接收） 用于 GTM900C 模塊的 AT 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 27 串口 命令， TTL 電平 19 UART_TXD0 I (177。) GTM900 模塊 AT 命令串行接收信號(hào)（對(duì)端設(shè)備發(fā)送） 用于 GTM900C 模塊的 AT 命令， TTL 電平 20 UART_CTS0 O (177。) 清除發(fā)送 GTM900C 上 PIN 腳定義為輸出信號(hào) 21 UART_RTS0 I (177。) 請(qǐng)求發(fā)送 GTM900C 上 PIN 腳定義為輸入信號(hào) 22 UART_DTR0 I (177。) 數(shù)據(jù)設(shè)備準(zhǔn)備就緒 23 UART_DCD0 O (177。) 載波檢測(cè) 24 SIM_CD I (177。) SIM 卡在位信號(hào) 目前軟件尚不支持 , 設(shè)計(jì)時(shí)懸空 25 SIM_RST O (177。) SIM 卡復(fù)位信 號(hào) 26 SIM_DATA I/O (177。) SIM 卡數(shù)據(jù)傳輸接口 27 SIM_CLK O (177。) SIM 卡時(shí)鐘信號(hào) 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 28 28 SIM_VCC O (177。) SIM 卡電源 29 SIM_GND SIM 卡地 與通常的工作地： GND信號(hào)連接同時(shí)要求與 SIM卡的GND信號(hào)連接 30 Vbackup I/O 備用電池電源信號(hào) 參考后面章節(jié)的推薦設(shè)計(jì) 31 RST I (177。) 復(fù)位信號(hào) 低電平有效，對(duì)模塊復(fù) 位 32 LPG O (177。) 指示燈狀態(tài)控制信號(hào) 33 AUXO+ O 第二路音頻輸出信號(hào)＋ 34 AUXO O 第二路音頻輸出信號(hào)－ 35 EAR+ O 第一路音頻輸出信號(hào)＋ 36 EAR O 第一路音頻輸出信號(hào)－ 37 MIC+ 第一路音頻輸入信號(hào)＋ 第一路音頻單端輸入正，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 3 MIC 第一路音頻 第 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 29 8 輸入信號(hào)－ 39 AUXI+ 第二路音頻輸入信號(hào)＋ 第二路音頻單端輸入正，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 40 AUXI 第二路音頻輸入信號(hào)－ 第二路音頻單端輸入負(fù)，內(nèi)部已經(jīng)帶直流偏置 GTM900C 各接口的使用，包括： UART 接口； USB接口； SIM卡接口； RTC Backup 接口； Audio 接口； LPG 接口。 UART 接口的功能特性 UART 接口與外界進(jìn)行串行通信，支持 電平輸入和輸出。UART 接口的信號(hào)除了 RXD0、 TXD0 是高電平有效之外，其余所有信號(hào)均為低電平有效。 UART 接口有 512 byte 的發(fā)送 FIFO（ First In First Out）和接收 FIFO，支持可編程的數(shù)據(jù)寬度、可編程的數(shù)據(jù)停止位、可編程的奇 /偶校驗(yàn)或者沒(méi)有校驗(yàn)。 UART 接口工作的最大速率為 ，默認(rèn)支持 9600bit/s 的速率，支持波特率掉電保存。 UART 接口信號(hào)定義 UART 接口信號(hào)定義如表 38 所示 . 表 38 UART 接口信號(hào)定義 序號(hào) 信號(hào)名 描述 特性 方向 23 UART_DCD0 載波檢 數(shù)據(jù)鏈路已連接 DCEDTE 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 30 測(cè) 17 UART_RI0 振鈴指示 通知 DTE 有遠(yuǎn)程呼叫 DCEDTE 21 UART_RTS0 請(qǐng)求發(fā)送 DTE通知 DCE 請(qǐng)求發(fā)送 DTEDCE 19 UART_TXD0 發(fā)送數(shù)據(jù) DTE 發(fā)送數(shù)據(jù) DTEDCE 16 UART_DSR0 數(shù)據(jù)設(shè)備就緒 DCE 準(zhǔn)備就緒 DCEDTE 22 UART_DTR0 數(shù)據(jù)終端就緒 DTE 準(zhǔn)備就緒 DTEDCE 20 UART_CTS0 清除發(fā)送 CE 已切換到接收模式 DCEDTE 18 UART_RXD0 接收數(shù)據(jù) DTE 接收串行數(shù)據(jù) DCEDTE 6 GND 地 UART接口 DCEDTE 配線 DCEDTE 的連接關(guān)系如圖 34 所示。 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 31 圖 34 DCEDTE 的連接關(guān)沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第 4 章 鐵電存儲(chǔ)器 鐵電存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 為了實(shí)現(xiàn)對(duì)預(yù)設(shè)電話號(hào)碼的存儲(chǔ)和對(duì)報(bào)警信息的記錄，本系統(tǒng)采用了能夠保證掉電數(shù)據(jù)不丟失的鐵電存儲(chǔ)器，該類(lèi)存儲(chǔ)器相對(duì)于傳統(tǒng)的EEPROM有許多優(yōu)點(diǎn)： 1． 傳統(tǒng)的 EEPROM寫(xiě)入次數(shù)有限，一般為 10萬(wàn)次，而鐵電存儲(chǔ)器有著近乎無(wú)限次擦寫(xiě)的特性； 2． 傳統(tǒng)的 EEPROM寫(xiě)入速度較慢，一般需要 CPU延時(shí)幾個(gè)NOP的時(shí)間來(lái)等待寫(xiě)入，而鐵電存儲(chǔ)器有著和 RAM相同的操作速度 ； 3． EEPROM 需要較大的能量來(lái)完成一次擦寫(xiě)，而鐵電存儲(chǔ)器在寫(xiě)入時(shí)屬于微功耗。 本設(shè)計(jì)選用了 FM24C16來(lái)作為非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，其特點(diǎn)如下： 1. FM24C16A 是一種串行非易失存儲(chǔ)器，它的結(jié)構(gòu)容量為 512*8 位，接口方式為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)二線制造串行接口，與串行 EEPROM的功能操作相似，與 EEPROM具有相同的引腳排列，不同之處在于， FM24C16A具有非常出色的寫(xiě)操作性能； 內(nèi)部采用讀恢復(fù)機(jī)制操作。所以讀寫(xiě)次數(shù)與每一次讀寫(xiě)都有關(guān)系。 FRAM 結(jié)構(gòu)是基于行與列陣列排布，行由 A8 A2 定義。 每 次訪問(wèn)都會(huì)使一行減少一次讀寫(xiě)壽命。鐵電的擦寫(xiě)次數(shù)幾乎可以說(shuō)是無(wú)限次。即使每秒訪問(wèn) 3000次，連續(xù)使用十年，使用壽命仍未終止。 沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 33 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介 鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM)：相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體 技術(shù) 而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi) 易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM（ static random access memory)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM （ dynamic random access memory)。 SRAM和 DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)。 RAM 類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。 非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 技術(shù) 。 正如你所猜想的一樣，被稱(chēng)為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容 易進(jìn)行寫(xiě)入操作，而事實(shí)上是根本不能寫(xiě)入。所有由 ROM技術(shù) 研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫(xiě)入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有 EPROM (幾乎已經(jīng)廢止）、 EEPROM和Flash。 這些存儲(chǔ)器不僅寫(xiě)入速度慢，而且只能有限次的擦寫(xiě)，寫(xiě)入時(shí)功耗大。 鐵電存儲(chǔ)器能兼容 RAM的一切功能，并且和 ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁 一種非易失性的 RAM 當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能沈陽(yáng)建筑大學(xué)城市建設(shè)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 34 夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫(xiě)壞。 鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS 基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過(guò)程。 Ramtron公司的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒?。最初的鐵電存儲(chǔ)器采用兩晶體管 /兩電容器 (2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對(duì)過(guò)大。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲(chǔ)器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。 Ramtron 新的單晶體管 /單電容器結(jié)構(gòu)可以像 DRAM 一樣，使用單電容器為存儲(chǔ)器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)相比，它有效的把內(nèi)存單元所需要的面積減少一半。新的設(shè)計(jì)極大的提高了鐵電存儲(chǔ)器的效率，降低了鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 Ramtron公司同樣也通過(guò)轉(zhuǎn)向更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)提高鐵 電存儲(chǔ)器