【文章內(nèi)容簡介】 *屬亞熱帶季風(fēng)氣候區(qū)，又處北亞熱帶南緣，四季分明，氣候溫和，雨量豐富。全年多云霧少日照，霧日年平均有 83天，位于金衢地區(qū)之冠。年平均日照時(shí)數(shù) 1795 小時(shí)，為全省各縣的次位。多年平均降水量在 1743毫米。 全縣歷年平均氣溫在 ℃ 之間，平均最低氣溫℃ ，最低氣溫 ℃ ，平均最高氣溫 ℃ ，最高氣溫41. 3℃ 。 歷年各日平均相對(duì)濕度 81%，歷年平均蒸發(fā)量 1366毫米，歷年平均風(fēng)速 米 /秒，歷年平均雷暴雨天 84 天 ，歷年平均霜日 62 天，歷年平均冰凍日數(shù) 62天。 24 馬金溪從北而南縱貫 **縣全境，馬金溪河道比降為 5。92%，歷史最大洪水流量為 2360立方米 /秒。 水文 本項(xiàng)目地區(qū)水資源豐富，地下水深度 ，地下水質(zhì)經(jīng)化驗(yàn)檢測，對(duì)混凝土無侵蝕性。 地質(zhì)地震 （ 1）工程地質(zhì) 項(xiàng)目區(qū)域各層地質(zhì)特征分述如下： 第一層為雜填土，第二層為粉土，第三層為粉砂，第四層為粗礫，第五層為卵石，第六層為強(qiáng)風(fēng)化千枚巖，第七層為中風(fēng)化千枚。 地下水屬孔隙潛水類型。 建設(shè)區(qū)地質(zhì)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，根據(jù)《中國地震烈度區(qū)劃圖(1999)》，本區(qū) 地震烈度 小六 度 ，建筑物可不 設(shè)防。 （三） 社會(huì)經(jīng)濟(jì)條件 2021年 至 2021 年 ， **縣 GDP 翻了一番，財(cái)政收入增長了，農(nóng)民人均純收入增長了 50%；經(jīng)濟(jì)發(fā)展的質(zhì)量進(jìn)一步提高。 “生態(tài)立縣”戰(zhàn)略實(shí)施成效 明顯：生態(tài)工業(yè)特色鮮明。編制完成 有機(jī)硅 、 單晶硅 、 新型密胺塑料 、 木糖醇 等九大工業(yè)特色產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，成立 12 個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作領(lǐng)導(dǎo)小組，依托經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、有機(jī)硅省級(jí)高新技術(shù)特色產(chǎn)業(yè)基地、 25 硅 電子產(chǎn)業(yè)基地、絕緣材料科技特色產(chǎn)業(yè)基地，以元通硅業(yè)、合成材料、國家級(jí) 火炬計(jì)劃 重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)萬向硅峰等骨干企業(yè)為龍頭，與高等院校、科研院所合作新建了一批技術(shù)創(chuàng)新中心、研發(fā)中心，實(shí)施了一批廢料回收利用和清潔生產(chǎn)試點(diǎn)工程，工業(yè)經(jīng)濟(jì)保持較快 增長，經(jīng)濟(jì)效益顯著提高，有機(jī)硅、單晶硅兩大產(chǎn)業(yè)被列入全省擬培育的全國制造中心和**市“四中心十基地”建設(shè)。五年內(nèi)，工業(yè)經(jīng)濟(jì)對(duì)財(cái)政貢獻(xiàn)率凈增了 62%，主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)銷 售收入占比提高了 46%。 2021年全縣規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值同比增長 %，其中兩硅產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值增長 47%；工業(yè)銷售產(chǎn)值增長 25%，工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)銷率達(dá) %，實(shí)現(xiàn)利潤增長 %。 “ 一硅飛向藍(lán)天 ”（單晶硅產(chǎn)量居全國第一，并廣泛應(yīng)用于 神舟號(hào) 系列宇宙飛船等航天航空領(lǐng)域） 。 **縣 全面實(shí)施“生態(tài)立縣、特色興縣”兩大戰(zhàn)略，發(fā)展特色經(jīng)濟(jì)，建設(shè)特色城鎮(zhèn)，弘揚(yáng)特色文化，開展特色工作，營造特色環(huán)境，力爭到 2021 年基本建成生態(tài)縣，基本實(shí)現(xiàn)全面小康社會(huì)的目標(biāo) （四）基礎(chǔ)設(shè)施條件 ①給排水： 項(xiàng)目區(qū)市網(wǎng)管道供水， 通過廠 內(nèi)環(huán)狀供水線路，供給用水點(diǎn)使用并滿足消防用水。排水方式可通過廠內(nèi)排水管網(wǎng)至污水處理池， 經(jīng) 處理至一級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)后直接排入市政排污管網(wǎng) 。 26 ②供電： 項(xiàng)目 由 **縣 工業(yè)園區(qū) 茶場片區(qū) 10KV 高壓供電，項(xiàng)目裝機(jī)總功率 1000KW，項(xiàng)目安裝一臺(tái) 1600KVA節(jié)能變壓器 。 ③通訊： **縣 城區(qū)通訊條件好， 工業(yè)園區(qū)內(nèi) 現(xiàn)已全部架設(shè)開通全國直撥程控電話 、寬帶接入 及移動(dòng)通訊，可滿足項(xiàng)目固定和移動(dòng)通訊要求。 能滿足 項(xiàng)目 業(yè)務(wù)通訊需要。 ④信息網(wǎng)絡(luò)：可利用微機(jī)與國際互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)接，查詢和發(fā)布教學(xué)信息，并通過國際互聯(lián)網(wǎng)與全國各省份及本省各地聯(lián)網(wǎng)，互相交換 產(chǎn)品生產(chǎn)銷售 信息。 二、項(xiàng)目選址方案 （一）項(xiàng)目選址的原則 符合國家、地區(qū)和城鄉(xiāng)規(guī)劃的要求。 安全原則，防洪、防震、防地質(zhì)災(zāi)害。 節(jié)約項(xiàng)目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。 實(shí)事求是的原則，對(duì)多個(gè)場址調(diào)查研究，進(jìn)行科學(xué)分析和對(duì)比。 注意環(huán)境保護(hù)，以人為本，減少對(duì)生態(tài)和環(huán)境的影響。 交通和運(yùn)輸便捷。 公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。 （二）選址方案的確定 項(xiàng)目建設(shè)地址選擇在 **縣 工業(yè)園 區(qū)內(nèi) （省級(jí)） ，該處自然環(huán)境、地理?xiàng)l件較好，基礎(chǔ)設(shè)施完備 。 項(xiàng)目的 廠址 安排在工 27 業(yè)園區(qū) 茶場片 區(qū) （項(xiàng)目場址位置詳見附圖）。 28 第五章 建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模及產(chǎn)品方案 一、確定方案的依據(jù)和原則 （一）確定建設(shè)方案的一般原則 符合產(chǎn)業(yè)政策。應(yīng)符合國家鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品方向、國家技術(shù)政策和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品具有較高的技術(shù)含量和市場競爭力。 針對(duì)市場需求。應(yīng)以國內(nèi)外市場需求來確定項(xiàng)目策略和產(chǎn)品的品種、數(shù)量、質(zhì)量，并能較好地適應(yīng)市場變化。 專業(yè)化協(xié)作。應(yīng)有專業(yè)化協(xié)作，以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)品鏈的銜接。 資源綜合利用。在確定項(xiàng)目策略和產(chǎn)品方案時(shí)應(yīng)考慮資源的綜合利用，提出主要產(chǎn)品和副產(chǎn)品的組合方 案。 環(huán)境保護(hù)。應(yīng)考慮環(huán)境保護(hù)的要求和可能獲得的環(huán)境容量，以及環(huán)保治理設(shè)施投資等措施。 考慮原材料燃料供應(yīng)。不僅是可行性，還要考慮數(shù)量、品質(zhì)、來源的穩(wěn)定性。 適應(yīng)技術(shù)設(shè)備條件。 應(yīng)滿足生產(chǎn)儲(chǔ)存條件。對(duì)生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存有特殊要求的，應(yīng)考慮滿足這些要求。 （二）建設(shè)方案的確定 項(xiàng)目總投資 2800 萬 元人民幣。 其中 2500 萬元固定資產(chǎn) 29 投資 一次性 完成 。 項(xiàng)目規(guī)劃 一年內(nèi) 達(dá)到完全生產(chǎn)設(shè)計(jì)能力。 項(xiàng)目計(jì)劃購買安裝 單晶硅棒生產(chǎn)用硅晶體生產(chǎn)爐 8 套 ，清洗、 監(jiān)測 等設(shè)備 2套， 投資 1600 萬元人民幣。 項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè) 廠房兩幢 ，管理和生活用房兩幢 ， 倉庫一幢。 建筑面積 共 5000 平方米，投資 600 萬元。 本項(xiàng)目達(dá)到設(shè)計(jì)能力的 100%時(shí)，年產(chǎn) 50 噸單晶硅棒，產(chǎn)值 1 億元。 二、項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容 （一）土建工程 主體工程：項(xiàng)目全部廠共 兩 幢，每幢 1500 平方米 ；倉庫一幢，面積 1000 平方米；食堂、辦公室、生活設(shè)施等用房 1000平方米，全部一層。 公輔工程： （ 1）電： 萬 KV/A 專線一條（工業(yè)用電）；變壓器1600KV/A一 臺(tái)、高壓柜 一 臺(tái)、低壓柜 4臺(tái)。 （ 2）水： 100毫米進(jìn)水主水管 。 （ 3）道路： 12 米寬雙向道路，全長 200 米，景觀、廣場2021 平方米左右。 （ 4）綠化：行道樹、綠化帶、花壇等 4000 平方米左右。 （ 5）亮化：草皮燈、路燈、景觀燈等若干。 （ 6）信息化：局域網(wǎng)、程控交換機(jī)、智能化門鎖等。 圍墻：全長 400米； 15 臺(tái)紅外監(jiān) 視 探頭。 30 （ 7）門衛(wèi)：全長 24 米包括門衛(wèi)室及 12米電動(dòng)門，設(shè)監(jiān)視探頭 2個(gè)。 （ 8）環(huán)保： **市 環(huán)境科學(xué)研究所出具的環(huán)評(píng)報(bào)告。 土地征用面積 22 畝。 （二）設(shè)備購置 主要設(shè)備選型的原則和技術(shù)要求 （ 1）主要設(shè)備選型的原則應(yīng)與項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應(yīng)，滿足項(xiàng)目的要求，可獲 得最大出力。 （ 2）適應(yīng)產(chǎn)品品種和質(zhì)量的要求。 （ 3）提高連續(xù)化、大型化、自動(dòng)化程度，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。 （ 4）降低原材料、水、電、氣年單耗，滿足環(huán)境保護(hù)要求。 （ 5）強(qiáng)調(diào)設(shè)備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。 （ 6）符合政府或?qū)ｉT機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求。 （ 7）在滿足機(jī)械功能和生產(chǎn)過程的條件下，力求經(jīng)濟(jì)合理，不僅要引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，盡可能立足于國內(nèi)，搞好配套。 （ 8）主要設(shè)備及輔助設(shè)備之間相互配套。 項(xiàng)目的設(shè)備購置 項(xiàng)目 主要購置設(shè)備為單晶硅棒生產(chǎn)用 JDR800 型晶體生長爐 8套及相應(yīng)的監(jiān)測 和配套設(shè)施。設(shè)備投入資金 1600 萬元人民幣。 31 三、工程產(chǎn)品方案 （一）產(chǎn)品方案 （ 1）產(chǎn)品品種 各種規(guī)格化型號(hào)的單晶硅棒。 （ 2）生產(chǎn)綱領(lǐng) 年產(chǎn)各種規(guī)格型號(hào)的單晶硅棒 50噸。 （二）主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和參數(shù) 由于知識(shí)產(chǎn)權(quán)法規(guī)的約束，目前機(jī)密性的技術(shù)資料在業(yè)主手中，但產(chǎn)品必須滿足下列技術(shù)要求： 表 單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù) 型號(hào) P型或 A型 晶向 111100 電阻率 電阻率均勻性 25% 位錯(cuò)密度 無位錯(cuò) OISF 密度 500cm2 氧含量 根據(jù)客戶要求 碳含量 1ppma 主要考面取向密度 根據(jù)客戶要求 其中電阻率、 OISF 密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級(jí)的關(guān)鍵參數(shù)。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。 規(guī)格尺寸： 本項(xiàng)目生產(chǎn)常用的太陽能級(jí) 單晶硅棒 ， 按其直徑分 為 6 32 英寸、 8英寸 兩種 。 產(chǎn)品 符合國家發(fā)布的有關(guān)技術(shù)規(guī)范要求。 第六章 項(xiàng)目工程技術(shù)方案 一、 土建工程方案選擇 （一）工程方案選擇的基本要求 滿足生產(chǎn)使用功能要求。確定項(xiàng)目的工程內(nèi)容、建筑面積和建筑結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)滿足生產(chǎn)和使用的要求。 適應(yīng)已選定的場址。在已選定的場地范圍內(nèi)，合理布置建筑物、構(gòu)筑物，以及地上、地下管網(wǎng)的位置。 符合工程標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求。建筑物、構(gòu)筑物的基礎(chǔ)，結(jié)構(gòu)和所采用的建筑材料，應(yīng)符合政府部門或者專門機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，確保工程質(zhì)量。 經(jīng)濟(jì)合理。工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的提前下，力求降低造價(jià)，節(jié)約建設(shè)資金。 本項(xiàng)目屬技術(shù)改造項(xiàng)目，應(yīng)合理利用現(xiàn)場地、設(shè)施，并力求新增的設(shè)施與原有設(shè)施相協(xié)調(diào)。 （二）方案設(shè)計(jì)依據(jù) 《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》（ GB50009— 2021） 《混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GB500010— 2021） 《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GB50007— 2021） 33 《建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（ GBJ68— 84） 《給水排水工程結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GBJ69— 84） 《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》（ GBJ16— 2021） 《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GB50052— 95） 《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》建設(shè)部（ 1993） 《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GBJ8785） 《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GB50055— 93） （三）土建工程設(shè)計(jì)方案 廠房： 項(xiàng)目 工程 擬建 2 幢標(biāo)準(zhǔn)化 廠房。鋼混全框架結(jié)構(gòu)，鋼構(gòu)屋面。 倉庫和生活管理用房兩幢，采用磚混結(jié)構(gòu)，瓦屋面。 公輔工程 （ 1）廠區(qū)道路：按二級(jí)混凝土路面結(jié)構(gòu)規(guī)范建設(shè)。 （ 2）水、電、氣的管網(wǎng)連接：按技術(shù)規(guī)范要求施工。 （ 3）其他：根據(jù)建設(shè)內(nèi)容和投資情況按規(guī)范要求施工 二、設(shè)備安裝工程技術(shù)方案 （一）方案設(shè)計(jì)依據(jù) 《機(jī)械設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范》 GB5023198 《電氣工程安裝及電氣設(shè)備直接檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》 GB5015091 化工部《工業(yè)安裝工程檢驗(yàn)評(píng)定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（ 1996） 建設(shè)部《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》 （ 1993） 《通用電設(shè)備配電設(shè)計(jì)規(guī)范》（ GB50055— 93） 34 （二）安裝工程設(shè)計(jì)方案的原則和要求 按《規(guī)范》要求，組織設(shè)備安裝施工，對(duì)安裝工程應(yīng)經(jīng)招投標(biāo)摘優(yōu)錄用施工隊(duì)伍，文明施工，按時(shí)保質(zhì)、保量安裝好機(jī)械設(shè)備。 設(shè)備安裝就位，應(yīng)符合設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范要求，然后組織試運(yùn)行生產(chǎn)，把安全第一，保證質(zhì)量放在重要地位。 安裝注意事項(xiàng)及檢測手段： A、嚴(yán)格按照操作規(guī)程施工，正確穿戴好勞保用品。 B、檢測手段包括試車前、運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)檢測及運(yùn)轉(zhuǎn)一段時(shí)間后再進(jìn)行復(fù)查等手段。 三、項(xiàng)目主要技術(shù)工序和工藝路 線 工藝技術(shù)來源 單晶硅棒依托 **研究所的最新研究成果，引進(jìn)整套成熟技術(shù)。 工藝技術(shù)的先進(jìn)性 單晶硅制備（拉單晶）是在專用設(shè)備 —— 單晶爐內(nèi)進(jìn)行，單晶爐內(nèi)配備適合晶體生長的高純石墨熱系統(tǒng)。將硅原材料放在石英堝內(nèi)用石墨制成的加熱器通入低電壓大電流而產(chǎn)生的高溫將熔點(diǎn)在 1420℃的硅材料熔化后，由計(jì)算機(jī)等設(shè)備控制熔融狀態(tài)的硅液面溫充在 1420℃臨界點(diǎn)上，由一個(gè)單晶體的籽晶與液面接觸、熔融后而緩慢的提升，使硅液體在籽晶 35 的引領(lǐng)下按預(yù)先設(shè)定的晶格、晶向和外形緩慢結(jié)晶出單晶體的硅單晶，完成單晶制備。 整個(gè)工藝流 程： 工藝流程說明： ①硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。 ②配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是 P、 Be 等元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為 1420℃，時(shí)間約為 30～ 40h/批，每批生產(chǎn)量約為 20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子 進(jìn)行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對(duì)單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。 ③測試、分段。利用各類檢測設(shè)備對(duì)成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合