外文翻譯譯文--用磁力顯微鏡的記錄頭測量磁場飽和度(編輯修改稿)
2025-06-26 05:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 大小。從圖 3（ e） （ h） ，它對應(yīng)的直流電流 3毫安 和 7毫安，可以觀察相關(guān)的磁場 ， 增加了鮮明對比 。 然而，在圖 3（ g）和（ h），分別對應(yīng) 15毫安 和 23毫安適用直流電流，對比仍然幾乎相同，很難看到磁飽和，發(fā)生在圖 3邊緣 處。 上述之研究結(jié)果 清楚地表明， 與 傳統(tǒng)的方法 相比， 磁力顯微鏡技術(shù)更適合觀測記錄頭的飽和行為 。 本科畢業(yè)論文外文翻譯 5 5 圖 3 B 場的飽和依賴 本科畢業(yè)論文外文翻譯 6 6 結(jié)果在圖 3（ a） – （ d）發(fā)現(xiàn) ， 飽和磁場開始在邊角 ， 可被視為 場 依賴磁場飽和 繞磁極 。 為了研究空間飽和行為的磁場，我們已經(jīng)探討了進化的 磁力顯微鏡 信號在不同位置的記錄頭，其對應(yīng)的邊角，邊中心，和點尾隨極邊顯示的原子力顯微鏡圖像 ，如 圖 4（ a）， 在邊緣 處 ，簡單的降低 磁力 顯微鏡 信號 ， 從 3毫安表示磁場飽和已經(jīng)開始在低 電流值 區(qū)了， 在邊緣的 中心，目前依賴的磁力顯微鏡信號改變 10 毫安左右。因此，磁飽和開始在 10 毫安邊緣中心 。 在 后極 的邊緣，磁力顯微鏡信號大致不變，約為 15毫安。這意味著磁場泄漏 發(fā)生 在尾部 ， 極邊緣的增加比例與直流電流高達約 15mA，然后開始飽和 。 從這些結(jié)果 看出 ， 場的 依賴 性 H– I 曲線記錄頭將 表現(xiàn)如下 ： 1） 磁力顯微鏡 信號值在邊角 3 毫安 直流電流相當(dāng)于一個在邊緣的中心 ，如 圖 4（ b） ， 在我們先前的研究中，巨大的磁域在邊角及中心幾乎相同 在 30 毫安左右 [ 10 ]。考慮到飽和已經(jīng)開始在 邊角 處 低電流而不是邊緣中心 ， 這表明 倆個 事實 ： 一個是磁域的角落，達到飽和 時 ，它是 到達 邊中心。另一個是在一個直流電流值小于 3 毫安，斜坡的 H– I曲線彎道是高于在邊緣 中心 。 2） 跟 隨在北極邊緣 的 曲線 ，相 比 于 邊緣的角落或 中心 ， H– I 曲線磁場泄漏是非常 平緩的 。 雖然 該 實驗是 在 這項工作 的 低頻區(qū)域研究了飽和特性， 但 在高頻區(qū)，在不久的將來將有可能使用 掃描探針顯微術(shù) [ 10 ]加以研究 。 本科畢業(yè)論文外文翻譯 7 7 圖 4 四． 結(jié)論 一種新方法， 用記錄頭測量 圖像飽和行為是成功 實驗了。 飽和磁場 磁力 相互作用與變化的磁場相對于施加電流測量成像 ，應(yīng)用本文提到的方法，用測量頭測試場飽和度還在研究， 磁場飽和引起的間隙角 已 被證明 。 參考文獻： [1] D. Rod233。 and H. N. Bertram, “Characterization of head saturation,” IEEETrans. Magn., vol. 本科畢業(yè)論文外文翻譯 8 8 25, pp. 703–709, Jan. 1989. [2] T. Rask, P. Iverson, and J. H. Judy, “Modeling of MIG heads u
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