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正文內(nèi)容

單片機(jī)實(shí)習(xí)總結(jié)(編輯修改稿)

2025-04-05 21:28 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 應(yīng)用軟件方案相結(jié)合。硬件結(jié)構(gòu)與軟件方案會(huì)相互影響,軟件能實(shí)現(xiàn)的功能盡可能由軟件實(shí)現(xiàn),以簡(jiǎn)化硬件結(jié)構(gòu)。必須注意,由軟件實(shí)現(xiàn)的硬件功能,一般響應(yīng)時(shí)間比硬件實(shí)現(xiàn)長(zhǎng),且占用CPU時(shí)間?! ?)可靠性及抗干擾設(shè)計(jì)是硬件設(shè)計(jì)必不可少的一部分,它包括芯片、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板的合理布線(xiàn)、各元器相互隔離等。  3)盡量朝“MCS51單片”方向設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)。系統(tǒng)器件越多,器件之間相互干擾也越強(qiáng),所消耗功耗也增大,也不可避免地降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。  4)系統(tǒng)中的相關(guān)器件要盡可能做到性能匹配。如選用CMOS芯片單片機(jī)構(gòu)成低功耗系統(tǒng)時(shí),系統(tǒng)中所有芯片都應(yīng)盡可能選擇低功耗產(chǎn)品?! ?.1 單片機(jī)型號(hào)及特性  單片機(jī)型號(hào)是 AT89S51。特性是:⑴8031 CPU與MCS51⑵兼容 4K字節(jié)可編程FLASH存儲(chǔ)器(壽命:1000寫(xiě)/擦循環(huán)) ⑶全靜態(tài)工作:0Hz24KHz ⑷三級(jí)程序存儲(chǔ)器保密鎖定 ⑸128*8位內(nèi)部RAM ⑹32條可編程I/O線(xiàn)⑺兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 ⑻6個(gè)中斷源⑼可編程串行通道⑽低功耗的閑置和掉電模式⑾片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路?! ?.2 晶振電路  單片機(jī)晶振的兩個(gè)電容的作用 這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮發(fā),實(shí)習(xí)總結(jié)《單片機(jī)實(shí)習(xí)報(bào)告總結(jié)》。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic(集成電路內(nèi)部電容)+△C(PCB上電容)經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。 各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器, 或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳 XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個(gè)電阻連接, 對(duì)于 CMOS 芯片通常是數(shù) M 到數(shù)十M 歐之間. 很多芯片的引腳內(nèi)部已經(jīng)包含了這個(gè)電阻, 引腳外部就不用接了。這個(gè)電阻是為了使反相器在振蕩初始時(shí)處與線(xiàn)性狀態(tài), 反相器就如同一個(gè)有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間, 等效為一個(gè)并聯(lián)諧振回路, 振蕩頻率應(yīng)該是石英晶體的并聯(lián)諧振頻率. 晶體旁邊的兩個(gè)電容接地, 實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容, 接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn). 以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn), 振蕩引腳的輸入和輸出是反相的, 但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來(lái)看, 形成一個(gè)正反饋以保證電路持續(xù)振蕩.
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