【總結(jié)】第一篇:電子技術(shù)基礎(chǔ) 智能網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及應(yīng)用方向 (科目:056電子技術(shù)基礎(chǔ) 一、考試形式與試卷結(jié)構(gòu) (一)試卷滿分及考試時(shí)間 本試卷滿分為100分,考試時(shí)間為150分鐘。 (二)答題方式 ...
2024-11-09 07:58
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-17 04:21
【總結(jié)】第9章數(shù)模與模數(shù)轉(zhuǎn)換電路D/A轉(zhuǎn)換器一.D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理對于有權(quán)碼,先將每位代碼按其權(quán)的大小轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的模擬量,然后將這些模擬量相加,即可得到與數(shù)字量成正比的總模擬量,從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換。根據(jù)解碼網(wǎng)絡(luò)的不同,D/A轉(zhuǎn)換器分不同類型,常見的有:倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換權(quán)電流型D
2025-01-25 13:37
【總結(jié)】《電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程學(xué)習(xí)指導(dǎo)書第14章半導(dǎo)體二極管和三極管一、選擇題:半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力(c)。(a)與導(dǎo)體相同(b)與絕緣體相同 (c)介乎導(dǎo)體和絕緣體之間P型半導(dǎo)體中空穴數(shù)量遠(yuǎn)比電子多得多,因此該半導(dǎo)體應(yīng)(c)。(a)帶正電 (b)帶負(fù)電 (c)不帶電N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,因此它應(yīng)(
2025-07-24 02:53
【總結(jié)】電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ)半導(dǎo)體基礎(chǔ)與常用器件1半導(dǎo)體的基本知識2半導(dǎo)體二極管3特殊二極管4雙極型三極管5單極型三極管電子技術(shù)基礎(chǔ)半導(dǎo)體基礎(chǔ)與常用器件學(xué)習(xí)目的與要求了解本征半導(dǎo)體、P型和N型半導(dǎo)體的特征及PN結(jié)的形成過程;熟悉二極管的伏安特性及其分類、用途;理解三極管的電
2025-01-05 09:06
【總結(jié)】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-21 19:42
【總結(jié)】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-06-28 20:13
【總結(jié)】一、填空題s49.加在二極管上的正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí),二極管導(dǎo)通;加反向電壓時(shí),二極管截止。50.NPN型三極管工作在放大區(qū)時(shí),電位最高的是集電極,電位最低的是發(fā)射極。51.二極管最重要的特性是單向?qū)щ娦浴?2.半導(dǎo)體二極管導(dǎo)通的條件是加在二極管兩端的正向電壓比二極管的死區(qū)電壓高(或大)。53.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨著溫度的升高而?
2025-06-05 21:40
【總結(jié)】系別專業(yè)(班級)姓名學(xué)號………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-06-22 15:04
【總結(jié)】......電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬篇)第一章半導(dǎo)體二極管一、單選題1.當(dāng)溫度升高時(shí),二極管正向特性和反向特性曲線分別()。A.左移,下移B.右移,上移C.左移,上移D.右移,下移2.在PN結(jié)外
2025-03-25 06:13
【總結(jié)】?1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力()。A、與導(dǎo)體相同B、與絕緣體相同C、介乎導(dǎo)體和絕緣體之間D、?2、普通半導(dǎo)體二極管是由()。A、一個PN結(jié)組成B、兩個PN結(jié)組成C、三個PN結(jié)組成D、?3、理想二極管的正向電阻為()。A、零B、無窮大C、定值D、?4、型號為2CP10的正向硅二極管導(dǎo)通后
2025-07-25 21:40
【總結(jié)】?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?(A)卷第1頁共6頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷及參考答案1、在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體,加入元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)2、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
2024-11-06 05:05
【總結(jié)】TianhuangTeachingApparatuses天煌教儀模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalofAnalogElectronicsTechnology天煌教儀杭州天科技術(shù)實(shí)業(yè)有限公司杭州天煌電器設(shè)備廠第一部分模擬電路部分
2024-11-07 16:25
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2025-08-11 02:51