【總結】第一篇:電子技術基礎 智能網絡技術及應用方向 (科目:056電子技術基礎 一、考試形式與試卷結構 (一)試卷滿分及考試時間 本試卷滿分為100分,考試時間為150分鐘。 (二)答題方式 ...
2025-10-31 07:58
【總結】第一章半導體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現的是半導體的摻雜特性。*P型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質半導體的
2025-04-17 04:21
【總結】第9章數模與模數轉換電路D/A轉換器一.D/A轉換器的基本原理對于有權碼,先將每位代碼按其權的大小轉換成相應的模擬量,然后將這些模擬量相加,即可得到與數字量成正比的總模擬量,從而實現了數字/模擬轉換。根據解碼網絡的不同,D/A轉換器分不同類型,常見的有:倒T型電阻網絡D/A轉換權電阻網絡D/A轉換權電流型D
2025-01-25 13:37
【總結】《電子技術基礎》課程學習指導書第14章半導體二極管和三極管一、選擇題:半導體的導電能力(c)。(a)與導體相同(b)與絕緣體相同 (c)介乎導體和絕緣體之間P型半導體中空穴數量遠比電子多得多,因此該半導體應(c)。(a)帶正電 (b)帶負電 (c)不帶電N型半導體的多數載流子是電子,因此它應(
2025-07-24 02:53
【總結】電子技術基礎電子技術基礎半導體基礎與常用器件1半導體的基本知識2半導體二極管3特殊二極管4雙極型三極管5單極型三極管電子技術基礎半導體基礎與常用器件學習目的與要求了解本征半導體、P型和N型半導體的特征及PN結的形成過程;熟悉二極管的伏安特性及其分類、用途;理解三極管的電
2025-01-05 09:06
【總結】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導體叫()。摻入3價雜質元素形成的半導體叫(),它主要靠導電()。A.空穴B.本征半導體C.P型半導體D.自由電子2.PN結正偏時,多子的()運動較強,PN結變薄,結電阻較()。A.擴散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2025-10-12 19:42
【總結】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內。(1)該電路的
2025-06-28 20:13
【總結】一、填空題s49.加在二極管上的正向電壓大于死區(qū)電壓時,二極管導通;加反向電壓時,二極管截止。50.NPN型三極管工作在放大區(qū)時,電位最高的是集電極,電位最低的是發(fā)射極。51.二極管最重要的特性是單向導電性。52.半導體二極管導通的條件是加在二極管兩端的正向電壓比二極管的死區(qū)電壓高(或大)。53.半導體的導電能力隨著溫度的升高而?
2025-06-05 21:40
【總結】系別專業(yè)(班級)姓名學號………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數字電子技術基礎期末考試試卷課程名稱數字電子技術基礎
2025-06-22 15:04
【總結】......電子技術基礎(模擬篇)第一章半導體二極管一、單選題1.當溫度升高時,二極管正向特性和反向特性曲線分別()。A.左移,下移B.右移,上移C.左移,上移D.右移,下移2.在PN結外
2025-03-25 06:13
【總結】?1、半導體的導電能力()。A、與導體相同B、與絕緣體相同C、介乎導體和絕緣體之間D、?2、普通半導體二極管是由()。A、一個PN結組成B、兩個PN結組成C、三個PN結組成D、?3、理想二極管的正向電阻為()。A、零B、無窮大C、定值D、?4、型號為2CP10的正向硅二極管導通后
2025-07-25 21:40
【總結】?模擬電子技術基礎?(A)卷第1頁共6頁《模擬電子技術基礎》試卷及參考答案1、在本征半導體中加入元素可形成N型半導體,加入元素可形成P型半導體。A.五價B.四價C.三價2、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
2025-10-28 05:05
【總結】TianhuangTeachingApparatuses天煌教儀模擬電子技術基礎FundamentalofAnalogElectronicsTechnology天煌教儀杭州天科技術實業(yè)有限公司杭州天煌電器設備廠第一部分模擬電路部分
2025-10-29 16:25
【總結】第一章半導體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價電子擺脫共價鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現的是半導體的摻雜特性。*P型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導體:在本征
2025-08-11 02:51