20xx化學(xué)氣相沉積技術(shù)在環(huán)境科學(xué)中探討(編輯修改稿)
2025-01-13 22:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD），它是借助氣體輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體來增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，促進(jìn)氣體間的化學(xué)反應(yīng)，從而在較低溫度下沉積出優(yōu)質(zhì)鍍層的過程。PCVD按等離子體能量源方式劃分：有直流輝光放電（DCPCVD）、射頻放電（RFPCVD）和微波等離子體放電（MWPCVD）等。隨著頻率的增加，等離子體增強(qiáng)CVD過程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。這3種PCVD中，使用最廣泛的是射頻輝光放電裝置，因?yàn)樵诜烹娺^程中，無電極放電，故電極不發(fā)生腐蝕，無雜質(zhì)污染。而微波放電的電子回旋共振法（ECR）由于能夠產(chǎn)生長壽命自由基和高密度等離子體已引起人們的廣泛興趣，但尚處于積極研究階段。常規(guī)CVD技術(shù)中需要用外加熱使初始?xì)怏w分解，而在PCVD技術(shù)中是利用等離子體中電子的動(dòng)能去激發(fā)氣相化學(xué)反應(yīng)。所以，它不僅有效地降低了化學(xué)反應(yīng)溫度，還拓寬了基底和沉積薄膜的種類?！ ?激光化學(xué)氣相沉積。激光化學(xué)氣相沉積（LCVD）是在真空室內(nèi)放置基體，通入反應(yīng)原料氣體，在激光束作用下與基體表面及其附近的氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基體表面形成沉積薄膜。LCVD鍍膜工藝在薄膜生長過程中，已從微區(qū)膜的沉積發(fā)展到具有選擇性膜的沉
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