【正文】 壓、整流、變?nèi)?、開(kāi)關(guān)、發(fā)光二極管等各種類別。數(shù)字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外還有微處理器類如單片機(jī)(MCU),數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等。光敏二極管電流線性好、響應(yīng)速度快。開(kāi)關(guān)件、插接件:、鈕子開(kāi)關(guān)、按鈕開(kāi)關(guān)、微動(dòng)開(kāi)關(guān)、按鍵開(kāi)關(guān)、凸輪開(kāi)關(guān)如繼電器等。失效分折是產(chǎn)品可靠性工程的一個(gè)重要組成部分，失效分析廣泛應(yīng)用于確定研制生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生問(wèn)題的原因，鑒別測(cè)試過(guò)程中與可靠性相關(guān)的失效，確認(rèn)使用過(guò)程中的現(xiàn)場(chǎng)失效機(jī)理。 明確分析對(duì)象失效分析首先是要明確分析對(duì)象及失效發(fā)生的背景。提出消除產(chǎn)生失效的辦法和建議，及時(shí)地反饋到設(shè)計(jì)、工藝、使用單位等各個(gè)方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現(xiàn)。如樣品經(jīng)可靠性試驗(yàn)而失效，需了解樣品經(jīng)受實(shí)驗(yàn)的應(yīng)力種類和時(shí)間失效發(fā)生期包括：失效樣品的經(jīng)歷、失效時(shí)間、失效發(fā)生的階段，如研制、生產(chǎn)、測(cè)試、試驗(yàn)、儲(chǔ)存、使用等。失效機(jī)理是對(duì)失效的內(nèi)在本質(zhì)、必然性和規(guī)律性的研究，是人們對(duì)失效內(nèi)在本質(zhì)認(rèn)識(shí)的理論提高和升華。總體來(lái)說(shuō)，電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造，試驗(yàn)，運(yùn)輸，儲(chǔ)存和使用等過(guò)程中發(fā)生的。結(jié)穿刺經(jīng)常導(dǎo)致PN結(jié)短路失效。當(dāng)金屬與電解質(zhì)溶液接觸時(shí)，由電化學(xué)作用而引起的腐蝕叫做電化學(xué)腐蝕，其特點(diǎn)是形成腐蝕電池，電化學(xué)腐蝕過(guò)程的本質(zhì)是腐蝕電池放電的過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，金屬通常作為陽(yáng)極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應(yīng)則跟據(jù)腐蝕類型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。 二次擊穿二次擊穿是指當(dāng)元器件被偏置在某一特殊工作點(diǎn)時(shí)（對(duì)于雙極型晶體管，是指V平面上的一點(diǎn)），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時(shí)若無(wú)限流裝置及其它保護(hù)措施，元器件將被燒毀。 與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長(zhǎng)期可靠性的一種重要的失效機(jī)理，當(dāng)對(duì)二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場(chǎng)強(qiáng)的電場(chǎng)強(qiáng)度后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，這就是與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿。CAP半導(dǎo)體電容：CAPSEMI可調(diào)電容：CAPVAR：INDUCTOR：發(fā)光二極管：LED :NPN1：：:LAMP:OPAMP：DPY_7SEG_DP(MISCELLANEOUS )。 介質(zhì)的擊穿機(jī)理介質(zhì)擊穿，從應(yīng)用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。 過(guò)電應(yīng)力電子元器件都在其參數(shù)指標(biāo)中設(shè)定了使用時(shí)所能承受的最大應(yīng)力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等。 金屬的腐蝕當(dāng)金屬與周圍的介質(zhì)接觸時(shí)，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。.2結(jié)穿刺（結(jié)尖峰）結(jié)穿刺即指PN結(jié)界面處為一導(dǎo)電物所穿透。另外，為了得到一個(gè)成功的失效分析結(jié)果，避免犯一些常見(jiàn)的錯(cuò)誤，所有可能涉及失效現(xiàn)象處理的人，都應(yīng)該具備—些處理故障現(xiàn)象的基本知識(shí)。如表：然而失效原因的確定是相當(dāng)復(fù)雜的,其復(fù)雜性表現(xiàn)為失效原因具有的一些特點(diǎn)。例如,失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)表明，工作人操作無(wú)誤，供電系統(tǒng)正常，而整機(jī)上的器件出現(xiàn)了早期失效，說(shuō)明元器件生產(chǎn)廠應(yīng)對(duì)元器件失效負(fù)責(zé)，應(yīng)負(fù)責(zé)整改，排除工藝缺陷，提高產(chǎn)品可靠性。通過(guò)反復(fù)驗(yàn)證，確定真實(shí)的失效原因，以電子元器件失效機(jī)理的相關(guān)理論為指導(dǎo)。進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。電子元器件采購(gòu)網(wǎng)對(duì)其行業(yè)分成了30個(gè)大分類，并對(duì)每個(gè)分類又細(xì)分出來(lái)上百個(gè)二級(jí)分類。廣泛應(yīng)用于廣場(chǎng)、車站、體育場(chǎng)等大型顯示屏。通常包括光電耦合器、半導(dǎo)體光敏器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件、數(shù)碼和圖像顯示器件。英文縮寫成IC?！骺勺冸娙荩?有單聯(lián)、雙聯(lián)兩種。互感包括電源變壓器、各種信號(hào)傳輸變壓器等。昆山賽格電子市場(chǎng)總建筑面積18萬(wàn)㎡，其中賣場(chǎng)面積10萬(wàn)㎡，另外擁有立體互通停車樓、倉(cāng)儲(chǔ)、物流、銀行、餐飲、配套辦公及相關(guān)生活設(shè)施，總投資約8億人民幣?！黝悇e：按照制造電阻所用的材料劃分,有金屬膜電阻,金屬膜氧化電阻,繞線電阻,精密合金電阻,玻璃釉電阻等。對(duì)于無(wú)機(jī)介質(zhì)及高頻有機(jī)薄膜電容器，其容量系列值同電阻一樣，采用E24系列。場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)差異，可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管?！靼匆?guī)模分可分為：小規(guī)模集成電路(SSI)，集成度為1~12門/片。通常有紅黃綠藍(lán)等顏色。濾波器:濾波器是指對(duì)頻率有一定選擇作用的二端網(wǎng)絡(luò)或四端網(wǎng)絡(luò)。元器件使用方改進(jìn)電路板設(shè)汁。失效模式可以定位到電（如直流特性、漏電）或物理（如裂紋、侵蝕）失效特征，根據(jù)失效發(fā)生時(shí)的條件（如老化、靜電放電、環(huán)境），結(jié)合先驗(yàn)知識(shí)。電子元器件失效分析的就是要做到模式準(zhǔn)確、原因明確、機(jī)理清楚、措施得力、模擬再現(xiàn)、舉一反三。失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)為確定電子元器件的失效原因提供了重要線索。對(duì)于失效機(jī)理的研究和判斷需要可靠性物理方面的專業(yè)知識(shí)。：反應(yīng)論模型和應(yīng)力強(qiáng)度模型。一種是電場(chǎng)使金屬離子由正極向負(fù)扱移動(dòng)，一種是導(dǎo)電電子和金屬離子間互相碰撞發(fā)生動(dòng)量交換而使金屬離子受到與電子流方向一致的作用力，金屬離子由負(fù)極向正極移動(dòng)，這種作用力俗稱“電子風(fēng)”。金的擴(kuò)散速度大于鋁的擴(kuò)散速度，結(jié)果出現(xiàn)了在金層—側(cè)留下部分原子空隙，這些原子空隙自發(fā)聚積，在金屬間化合物與金屬交界面上形成了空洞，這就是可肯德?tīng)栃?yīng)，簡(jiǎn)稱柯氏效應(yīng)。在CMOS電路正常工作狀態(tài)時(shí)，寄生晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。“爆米花效應(yīng)”“爆米花效應(yīng)”是指塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱膨脹，是塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開(kāi)路失效。電子元器件的封裝材料（如陶瓷管殼，作樹(shù)脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾等放射性物質(zhì)，它們衰變時(shí)會(huì)放出高能射線。這種強(qiáng)電流一開(kāi)始流動(dòng)，即使除去外來(lái)觸發(fā)信號(hào)也不會(huì)中斷，只有關(guān)斷電源或?qū)㈦娫措妷航档侥硞€(gè)值以下才能解除，這種現(xiàn)象就是CMOS電路的閂鎖效應(yīng)?？率峡斩葱纬蓷l件首先是AuAl系統(tǒng)，其次是溫度和時(shí)間。產(chǎn)生電遷移失效的內(nèi)因是薄膜導(dǎo)體內(nèi)結(jié)構(gòu)的非均勻性，外因是電流密度。進(jìn)一步確定導(dǎo)致失效的表面缺陷、體缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷。當(dāng)然制定預(yù)防措施也應(yīng)考慮長(zhǎng)遠(yuǎn)的手段和產(chǎn)品使用問(wèn)題。而早期失效主要由工藝缺陷、原材料缺陷、篩選不充分引起。如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。失效可能由一系列的原因造成，如設(shè)計(jì)缺陷，材料質(zhì)量問(wèn)題，制造過(guò)程問(wèn)題、運(yùn)輸或儲(chǔ)藏條件不當(dāng)，在操作時(shí)的過(guò)載等，而大多數(shù)的失效包括一系列串行發(fā)生的事件。因而。熔斷器:熔斷器:、保險(xiǎn)絲管、快速保險(xiǎn)器、自動(dòng)可恢復(fù)保險(xiǎn)絲等?！鲾?shù)碼和圖像顯示器件有熒光數(shù)碼管,LEDT段式數(shù)碼管,LED點(diǎn)陣,LED顯示器等。大規(guī)模(LSI)：集成度100~1000門/片?！鲌?chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)與三級(jí)管大致相同?！鞅硎痉ǎ河形淖直硎竞腿粩?shù)碼表示。△表示法：有文字和色環(huán)兩種表示方法，文字表示是將電阻的參數(shù)直接標(biāo)在電阻體上，色環(huán)標(biāo)稱是近幾年來(lái)因適應(yīng)電子自動(dòng)化裝配而廣泛采用的。華東地區(qū)規(guī)模最大、品種最全、功能最齊、檔次最高的多種功能、多種模式、多種業(yè)態(tài)、實(shí)體與虛擬網(wǎng)上交易相結(jié)合的新型電子產(chǎn)品交易綜合體?；締挝皇呛嗬鸋,常用單位有毫亨(mH)、微亨(μH)。使用中,~2倍。△參數(shù)：有最小開(kāi)啟電壓、最小保持電流，最大允許通過(guò)電流。電表用電磁或磁電式表頭。LED 接點(diǎn)陣一般將發(fā)光二極管做成8x8點(diǎn)陣,用來(lái)顯示圖像。經(jīng)過(guò)不懈努力，我