【正文】 （ mA）i= （ ui UZ） /R=（ 1210） /=10 （ mA） iZ = i iL=105=5 （ mA）RL= k? , iL=10/=（ mA） , iZ ==（ mA）RL=4 k? , iL=10/4=（ mA） , iZ ==（ mA）負(fù)載變化 ,但 iZ仍在 12mA和 2mA之間 ,所以穩(wěn)壓管仍能起 穩(wěn)壓作用第四版童詩白50例 2：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用解： ui和 uo的波形如圖所示 （ UZ＝ 3V）ui uODZR(a)(b)ui uORDZ第四版童詩白51一、發(fā)光二極管 LED (Light Emitting Diode)1. 符號(hào)和特性工作條件： 正向偏置一般工作電流幾十 mA， 導(dǎo)通電壓 (1 ? 2) V符號(hào)u /Vi /mAO 2特性　第四版童詩白52發(fā)光類型： 可見光： 紅、黃、綠顯示類型： 普通 LED ，不可見光： 紅外光點(diǎn)陣 LED七段 LED ,第四版童詩白53二、光電二極管符號(hào)和特性符號(hào) 特性u(píng)iOE = 200 lxE = 400 lx工作原理：三、變?nèi)荻O管四、隧道二極管五、肖特基二極管無光照時(shí)，與普通二極管一樣。Cb 和 Cd 值都很小，通常為幾個(gè)皮法 ~ 幾十皮法， 有些結(jié)面積大的二極管可達(dá)幾百皮法。 對(duì)溫度十分敏感 ，　　 隨著溫度升高， IS 將急劇增大 。第四版童詩白18圖 　 P 型半導(dǎo)體+4+4+4+4 +4+4 +4 +4+4+3受主原子空穴第四版童詩白19說明：　 　 1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決 定少數(shù)載流子的濃度。本征半 導(dǎo) 體中 載流子的濃度公式：T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p =1010/cm3本征鍺的電子和空穴濃度 : 　　 n = p =1013/cm3ni=　 pi=　 K1T3/2 e EGO/(2KT)本征激發(fā)復(fù)合 動(dòng)態(tài)平衡第四版童詩白131. 半導(dǎo)體中兩種載流子 帶負(fù)電的 自由電子帶正電的 空穴 　　 2. 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，　　　稱為 電子 空穴對(duì)。5第四版童詩白模擬電子技術(shù)： 模擬電子技術(shù)主要研究處理模擬信號(hào)的電子電路。 在電子技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，電子電路的應(yīng)用在日常生活中無處不在，小到門鈴、收音機(jī)、 DVD播放機(jī)、電話機(jī)等，大到全球定位系統(tǒng) GPS（ Global Positioning Systems）、雷達(dá)、導(dǎo)航系統(tǒng)等。三、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子（ 動(dòng)畫 11） （ 動(dòng)畫 12）第四版童詩白12四、 本征半導(dǎo)體中載流子的濃度在一定溫度下 本征半 導(dǎo) 體中 載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等?！　?3 價(jià)雜質(zhì)原子稱為 受主原子。第四版童詩白26　耗盡層圖 　 PN 結(jié)加反相電壓時(shí)截止 　　反向電流又稱 反向飽和電流 。圖 PNPN 結(jié)第四版童詩白33綜上所述：PN 結(jié)總的結(jié)電容 Cj 包括勢(shì)壘電容 Cb 和擴(kuò)散電容 Cd 兩部分 。rZ =?VZ /?IZ(3)最大耗散功率 PZM(4)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin(5)溫度系數(shù) —— ?VZ二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)第四版童詩白47↓ 穩(wěn)壓電路正常穩(wěn)壓時(shí) UO =UZ 不加不加 R可以嗎？可以嗎？ 上述電路上述電路 UI為正弦波，且幅為正弦波，且幅值大于值大于 UZ ， UO的波形是怎的波形是怎樣的？樣的？（（ 1）） .設(shè)電源電壓波動(dòng)設(shè)電源電壓波動(dòng) (負(fù)載不變負(fù)載不變)UI ↑→U O↑→U Z↑→ I Z↑↓UO↓←U R ↑ ← I R ↑（（ 2）） .設(shè)負(fù)載變化設(shè)負(fù)載變化 (電源不變電源不變 ) IO P25例例 UOUI第四版童詩白 RL → ↑如電路參數(shù)變化？48例 1：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用RLui uORDZiiziLUZ穩(wěn)壓二極管技術(shù)數(shù)據(jù)為：穩(wěn)壓值 UZ=10V， Izmax=12mA，Izmin=2mA，負(fù)載電阻 RL=2k?，輸入電壓 ui=12V，限流電阻R=200 ?，求 iZ。第四版童詩白60becRcRb一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)I EIB1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流　　發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū) — 形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略 )。? U EBO—— 集電極開路時(shí)發(fā)射結(jié)的反 　向擊穿電壓。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。GDSNiSiDP+ P+ VDD　　注意：當(dāng) uDS 0 時(shí)，耗盡層呈現(xiàn)楔形。(1)UGS = 0 漏源之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的 PN 結(jié)，無論漏源之間加何種極性電壓， 總是不導(dǎo)電 。UGS增加第四版童詩白100二、 N 溝道耗盡型 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管P型襯底N+ N+BGS D++++++　 制造過程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入正離子，這些正離子電場(chǎng)在 P 型襯底中 “ 感應(yīng) ” 負(fù)電荷，形成 “ 反型層 ” 。第四版童詩白107三、極限參數(shù)3. 漏極最大允許耗散功率 PDM U(BR)DS4. 柵源擊穿電壓 U(BR)GS 由場(chǎng)效應(yīng)管允許的溫升決定。UBR圖 版童詩白120四、晶閘管的 主要參數(shù) IF IH UG和觸發(fā)電流 IG UDRM URRM其它：正向平均電壓、控制極反向電壓等。AIB = 0O 3 6 9 124321放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)特點(diǎn)：1)iB 決定 iC2)曲線水平表示恒流3)曲線間隔表示受控第四版童詩白1325. 參數(shù)特性參數(shù)電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? )? = ? /(1 + ? )極間反向電流 ICBOICEO極限參數(shù)ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 區(qū)= (1 + ?) ICBO第四版童詩白133場(chǎng)效應(yīng)管1. 分類按導(dǎo)電溝道分 N 溝道P 溝道按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型(MOS)結(jié)型按特性分 增強(qiáng)型耗盡型 uGS = 0 時(shí)， iD = 0uGS = 0 時(shí)， iD ? 0增強(qiáng)型耗盡型(耗盡型 )第四版童詩白1342. 特點(diǎn)柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流輸入電阻高，工藝簡(jiǎn)單，易集成由于 FET 無柵極電流，故采用 轉(zhuǎn)移特性 和輸出特性 描述3. 特性不同類型 FET 的特性比較參見 圖 第 49頁。第四版童詩白119三、晶閘管的伏安特性1. 伏安特性O(shè) UACIAUBOABCIHIG= 0　 正向阻斷特性 ：當(dāng) IG= 0 ，而陽極電壓不超過一定值時(shí)，管子處于阻斷狀態(tài)。第四版童詩白106二、交流參數(shù)1. 低頻跨導(dǎo) gm2. 極間電容 用以描述柵源之間的電壓 uGS 對(duì)漏極電流 iD 的控制作用。此時(shí)， 可以把 iD近似看成是 uGS控制的電流源。稱為 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 ，或簡(jiǎn)稱 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 。ID = 0GDSP+ P+N型溝道(b) UGS(off) UGS 0VGG第四版童詩白841. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用當(dāng) UGS = UGS（ Off)，耗盡層合攏，導(dǎo)電溝被夾斷 .ID = 0GDSP+ P+ (c) UGS ＜ UGS(off)VGGUGS(off)為夾斷電壓 ,為負(fù)值。管 腳、管型的判斷法也可采用萬用表電阻法。此時(shí)， uBE小于死區(qū)電壓，集電結(jié)反偏 ?！?　 2. 基區(qū)做得很薄 。第四版童詩白40 二極管 等效電路一、由伏安特性折線化得到的等效電路　 1. 理想模型第四版童詩白41 二極管 等效電路一、由伏安特性折線化得到的等效電路　 2. 恒壓降模型第四版童詩白42 二極管 等效電路一、由伏安特性折線化得到的等效電路　3. 折線模型第四版童詩白43 二、二極管的微變等效電路 二極管工作在正向特性的某一小范圍內(nèi)時(shí)，其正向特性可以等效成一個(gè)微變電阻。在某個(gè)正向電壓下， P 區(qū)中的電子濃度 np(或 N 區(qū)的空穴濃度 pn)分布曲線如圖中曲線 1 所示。P N不對(duì)稱結(jié)第四版童詩白24二、二、 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. PN結(jié)結(jié) 外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)又稱正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏。5 價(jià)雜質(zhì)原子稱為 施主原子。價(jià)電子共價(jià)鍵圖 　本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖二、本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)當(dāng)溫度 T = 0 K 時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。6. 課時(shí)及成績(jī)?cè)u(píng)定標(biāo)準(zhǔn)課時(shí)： 80學(xué)時(shí) =64(理論） +16（實(shí)驗(yàn)）平時(shí) 10%+ 實(shí)驗(yàn) 30%+ 卷面 60%7. 教學(xué)參考書 康華光主編， 《 電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 模擬部分 第三版，高教出版社 陳大欽主編， 《 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)問答：例題 ? 試題 》 ， 華科大出版社 陳 潔主編， 《 EDA軟件仿真技術(shù)快速入門 Protel99SE+Multisim10+Proteus 7 》 中國(guó)電力出版社 　　導(dǎo)　 言第四版童詩白3目錄1 常用半導(dǎo)體器件 （ 10學(xué)時(shí)）2 基本放大電路 （ 8學(xué)時(shí)）3 多級(jí)放大電路　　　　4 集成運(yùn)算放大電路 （ 4學(xué)時(shí)）5 放大電路的頻率響應(yīng) （ 6學(xué)時(shí)）6 放大電路中的反饋 （ 6學(xué)時(shí)）7 信號(hào)的運(yùn)算和處理 （ 6學(xué)時(shí)）8 波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換 （ 6學(xué)時(shí)）9 功率放大電路 （ 4學(xué)時(shí)）10 直流穩(wěn)壓電源 （ 8學(xué)時(shí)）第四版童詩白（ 6學(xué)時(shí)）4第四版童詩白電子技術(shù) : 通常我們把由電阻、電容、三極管、二極管、集成電路等電子元器件組成并具有一定功能的電路稱為電子電路，簡(jiǎn)稱為電路。時(shí)間 時(shí)間幅度 幅度 T 2T 3T 4T 5T 6T數(shù)字電子技術(shù)