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模擬電子技術基礎教程(已修改)

2025-01-13 04:15 本頁面
 

【正文】 — 多媒體教學課件模擬電子技術基礎Fundamentals of Analog Electronics童詩白、華成英  主編第四版童詩白11. 本課程的性質 電子技術基礎課2. 特點 ?非純理論性課程 ?實踐性很強 ?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3. 研究內容 以器件為基礎、以電信號為主線,研究各種模擬電子電路的工作原理、特點及性能指標等。4. 教學目標 能夠對一般性的、常用的模擬電子電路進行分析,同時對較簡單的單元電路進行設計?! ? 言第四版童詩白25. 學習方法 重點掌握基本概念;基本電路的結構、性能特點;基本分析估算方法。6. 課時及成績評定標準課時: 80學時 =64(理論) +16(實驗)平時 10%+ 實驗 30%+ 卷面 60%7. 教學參考書 康華光主編, 《 電子技術基礎 》 模擬部分 第三版,高教出版社 陳大欽主編, 《 模擬電子技術基礎問答:例題 ? 試題 》 , 華科大出版社 陳 潔主編, 《 EDA軟件仿真技術快速入門 Protel99SE+Multisim10+Proteus 7 》 中國電力出版社   導  言第四版童詩白3目錄1 常用半導體器件 ( 10學時)2 基本放大電路 ( 8學時)3 多級放大電路    4 集成運算放大電路 ( 4學時)5 放大電路的頻率響應 ( 6學時)6 放大電路中的反饋 ( 6學時)7 信號的運算和處理 ( 6學時)8 波形的發(fā)生和信號的轉換 ( 6學時)9 功率放大電路 ( 4學時)10 直流穩(wěn)壓電源 ( 8學時)第四版童詩白( 6學時)4第四版童詩白電子技術 : 通常我們把由電阻、電容、三極管、二極管、集成電路等電子元器件組成并具有一定功能的電路稱為電子電路,簡稱為電路。 一個完整的電子電路系統(tǒng)通常由若干個功能電路組成,功能電路主要有:放大器、濾波器、信號源、波形發(fā)生電路、數字邏輯電路、數字存儲器、電源、模擬 /數字轉換器等。 電子技術就是研究 電子器件 及 電路系統(tǒng) 設計、分析及制造的工程實用技術。目前電子技術主要由 模擬電子技術 和 數字電子技術 兩部分組成。 在電子技術迅猛發(fā)展的今天,電子電路的應用在日常生活中無處不在,小到門鈴、收音機、 DVD播放機、電話機等,大到全球定位系統(tǒng) GPS( Global Positioning Systems)、雷達、導航系統(tǒng)等。5第四版童詩白模擬電子技術: 模擬電子技術主要研究處理模擬信號的電子電路。 模擬信號就是幅度連續(xù)的信號,如溫度、壓力、流量等。 數字電子技術主要研究處理數字信號的電子電路。 數字信號通常是指時間和幅度均離散的信號,如電報信號、計算機數據信號等等。時間 時間幅度 幅度 T 2T 3T 4T 5T 6T數字電子技術:6第四版童詩白第一章 常用半導體器件 半導體基礎知識 半導體二極管 雙極型晶體管 場效應管 單結晶體管和晶閘管 7本章討論的問題:?空穴導電時電子運動嗎? N型半導體?什么是 P型半導體? 當二種半導體制作在一起時會產生什么現(xiàn)象??它為什么具有單向性?在 PN結中另反向電壓時真的沒有電流嗎??場效 應管是通過什么方式來控制漏極電流的?為什么它 們都可以用于放大??第四版童詩白8  半導體的基礎知識 本征半導體    純凈的具有晶體結構的半導體導 體: 自然界中很容易 導電 的物 質 稱 為 導 體 ,金屬一般都是 導 體。絕緣 體: 有的物 質 幾乎不 導電 ,稱 為 絕緣 體 ,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半 導 體: 另有一 類 物 質 的 導電 特性 處 于 導 體和 絕緣體之 間 ,稱 為 半 導 體 ,如 鍺 、硅、砷化 鎵和一些硫化物、氧化物等。一、 導體、半導體和絕緣體第四版童詩白9半 導 體 的 導電 機理不同于其它物 質 ,所以它具有不同于其它物 質 的特點。例如:當受外界 熱 和光的作用 時 ,它的 導電 能力明 顯變 化。往 純凈 的半 導 體中 摻 入某些 雜質,會使它的 導電 能力明 顯 改 變 。光敏器件二極管第四版童詩白10+4+4+4+4 +4+4+4+4+4 完全純凈的、不含其他雜質且具有晶體結構的半導 體 稱為本征半導體 將硅或鍺材料提純便形成單晶體,它的原子結構為共價鍵結構。價電子共價鍵圖  本征半導體結構示意圖二、本征半導體的晶體結構當溫度 T = 0 K 時,半導體不導電,如同絕緣體。第四版童詩白第四版童詩白11+4+4+4+4 +4+4 +4 +4+4圖  本征半導體中的      自由電子和空穴自由電子空穴 若 T ? ,將有少數價電子克服共價鍵的束縛成為 自由電子 ,在原來的共價鍵中留下一個空位 ——空穴。T ? 自由電子 和 空穴 使 本征半導體具有導電能力,但很微弱?!?  空穴可看成帶正電的載流子。三、本征半導體中的兩種載流子( 動畫 11) ( 動畫 12)第四版童詩白12四、 本征半導體中載流子的濃度在一定溫度下 本征半 導 體中 載流子的濃度是一定的,并且自由電子與空穴的濃度相等。本征半 導 體中 載流子的濃度公式:T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p =1010/cm3本征鍺的電子和空穴濃度 :    n = p =1013/cm3ni=  pi=  K1T3/2 e EGO/(2KT)本征激發(fā)復合 動態(tài)平衡第四版童詩白131. 半導體中兩種載流子 帶負電的 自由電子帶正電的 空穴    2. 本征半導體中,自由電子和空穴總是成對出現(xiàn),   稱為 電子 空穴對。   3. 本征半導體中 自由電子 和 空穴 的濃度 用 ni 和 pi        表示,顯然 ni = pi ?!?  4. 由于物質的運動,自由電子和空穴不斷的產生又     不斷的復合。 在一定的溫度下,產生與復合運動     會達到平衡,載流子的濃度就一定了?! ?5. 載流子的濃度與溫度密切相關,它隨著溫度的升   高,基本按指數規(guī)律增加。小結: 第四版童詩白14 雜質半導體雜質半導體有兩種N 型半導體P 型半導體一、 N 型半導體 (Negative)    在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價 雜質元素,如   磷、銻、砷等,即構成 N 型半導體 (或稱電子型   半導體 )。常用的 5 價雜質元素有磷、銻、砷等。第四版童詩白15 本征半導體摻入 5 價元素后,原來晶體中的某些硅原子將被雜質原子代替。雜質原子最外層有 5 個價電子,其中 4 個與硅構成共價鍵,多余一個電子只受自身原子核吸引,在室溫下即可成為自由電子。 自由電子濃度遠大于空穴的濃度,即 n p ?! ?電子稱為多數載流子 (簡稱多子 ),   空穴稱為少數載流子 (簡稱少子 )。5 價雜質原子稱為 施主原子。第四版童詩白16+4+4+4+4 +4+4 +4 +4+4+5自由電子施主原子  圖   N 型半導體第四版童詩白17二、 P 型半導體    在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價 雜質元素,如硼、鎵、銦等,即構成 P 型半導體 。    空穴濃度多于電子濃度,即 p n。 空穴為多數載流子 ,電子為少數載流子?! ?3 價雜質原子稱為 受主原子。第四版童詩白18圖   P 型半導體+4+4+4+4 +4+4 +4 +4+4+3受主原子空穴第四版童詩白19說明:    1. 摻入雜質的濃度決定多數載流子濃度;溫度決 定少數載流子的濃度。3. 雜質半導體總體上保持電中性。 4. 雜質半導體的表示方法如下圖所示。    2. 雜質半導體 載流子的數目 要遠遠高于本征半導體,因而其導電能力大大改善。(a)N 型半導體 (b) P 型半導體圖  雜質半導體的的簡化表示法第四版童詩白20 在一塊半導體單晶上一側摻雜成為 P 型半導體,另一側摻雜成為 N 型半導體,兩個區(qū)域的交界處就形成了一個特殊的薄層, 稱為 PN 結 。 P NPN結圖   PN 結的形成一、 PN 結的形成  PN結第四版童詩白21 PN 結中載流子的運動耗盡層空間電荷區(qū)P N1. 擴散運動    2. 擴散運動形成空間電荷區(qū)    電子和空穴濃度差形成多數載流子的擴散運動?!?PN 結,耗盡層。P N ( 動畫 13)第四版童詩白223. 空間電荷區(qū)產生內電場P N空間電荷區(qū)內電場Uho空間電荷區(qū)正負離子之間電位差 Uho —— 電位壁壘 ; —— 內電場 ;內電場阻止多子的擴散 —— 阻擋層 。   4. 漂移運動    內電場有利于少子運動 — 漂移。 少子的運動與多子運動方向相反 阻擋層第四版童詩白235. 擴散與漂移的動態(tài)平衡擴散運動使空間電荷區(qū)增大,擴散電流逐漸減?。浑S著內電場的增強,漂移運動逐漸增加;當擴散電流與漂移電流相等時, PN 結總的電流等于零,空間電荷區(qū)的寬度達到穩(wěn)定。對稱結 即 擴散運動與漂移運動達到動態(tài)平衡。P N不對稱結第四版童詩白24二、二、 PN 結的單向導電性結的單向導電性1. PN結結 外加正向電壓時處于導通狀態(tài)又稱正向偏置,簡稱正偏。外電場方向內電場方向 耗盡層V RI空間電荷區(qū)變窄,有利于擴散運動,電路中有較大的正向電流。圖 P N什么是 PN結的單向導電性?有什么作用?第四版童詩白25  在 PN 結加上一個很小的正向電壓,即可得到較大的正向電流,為防止電流過大,可接入電阻 R。2. PN 結結 外加反向電壓時處于截止狀態(tài) (反偏 )    反向接法時,外電場與內電場的方向一致,增強了內電場的作用;外電場使空間電荷區(qū)變寬;    不利于擴散運動,有利于漂移運動,漂移電流大于擴散電流,電路中產生反向電流 I ;由于少數載流子濃度很低,反向電流數值非常小。第四版童詩白26 耗盡層圖   PN 結加反相電壓時截止   反向電流又稱 反向飽和電流 。 對溫度十分敏感 ,   隨著溫度
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