【正文】 atedJT60UTFTR 降低， H～ 。反剪切模 (RS)[95] H～ 密度漲落抑制提高的反剪切模 (ERS)[96] 內(nèi)部輸運(yùn)壘的形成， ?i和 De是新經(jīng)典值， ?e降低。用線圈測量；? 雜質(zhì)的弦平均輻射強(qiáng)度由轉(zhuǎn)鏡測量，經(jīng) Abel變換得到其體發(fā)射系數(shù)分布。隨等離子體中心弦平均密隨等離子體中心弦平均密度、電流的變化度、電流的變化? 隨密度的變化ve=vim。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 2））不同的離子溫度分布對 ?e的分布影響不大。Bt=)?Ne(0)估算值的比較 。?ea 測量的電流與束驅(qū)動電流加自舉電流后的比較。?Ne硼化后在 r，均比較符合 Horton模型。Technology,物理學(xué)報(bào)， 50,etConference al.,Nucl.(2023)1875.11.謝謝首先衷心感謝的是我的導(dǎo)師萬寶年研究員。感謝研究生部董俊國、張英、高成云以及張彥秋四位老師幾年來的熱情關(guān)懷和幫助。et … X. etWan~,al.,但這些實(shí)驗(yàn)結(jié)論為以后更深入地研究 HT－ HT－ 7U裝置自舉電流提供了基礎(chǔ)。 能量約束時(shí)間在所研究參數(shù)范圍內(nèi)隨密度的增大而增大，與等離子體放電電流的關(guān)系不明顯。四、總四、總 No. Time（ kA) Ibs=IpIneo硅化前后兩典型炮號自舉電流占總電流比硅化前后兩典型炮號自舉電流占總電流比例的分布例的分布硅化前后自舉電流的研究情況硅化前后自舉電流的研究情況Waltz 靜電漂移波比較符合實(shí)驗(yàn)值。電磁漂移波模型：定標(biāo)? Merezhkin其中 1/2Bt=） 是 10道中性粒子能譜儀測量；分布認(rèn)為與 Te相同；? 輻射損失用 16道 Bolometer測量，經(jīng) Abel變換得到其分布；? Zeff高 ?modes[93] 高 ?mode： H～ 2－ 3高 ?＋ H－ mode:降低， H～ 2。?ehp ?i人們近似地給出總體能量約束時(shí)間 ?EHT7托卡馬克歐姆放電時(shí)的電托卡馬克歐姆放電時(shí)的電子熱輸運(yùn)分析子熱輸運(yùn)分析博士研究生：張 與 ?e,/(ECRH)FTUW7AS等離子體邊界漲落被抑制，中心的相關(guān)長度減小。H=磁場漲落降低高 li模 [94] H～ 3，有的 H由 4道韌致輻射測量；? Ip? 隨放電電流的變化(*硼化后的值。a處約為 25％。定標(biāo) 電磁漂移波模型一般地，當(dāng) ShotkAIbs/Ip*29518 317 %*29468 300 %*33997 350 %34267 350 %34281 280 %34278 400 %34349 300 112 %34417 500 %34363 440 %30988 500 %前三炮為硅化前的放電，后面的均為幾次硅化后的放電。(ms)?Ne8. Plasma(2023)D4.4.Baonian, al., M.al.Nuclear風(fēng)　景　這　邊　獨(dú)　好? 衷心感謝論文把關(guān)、評閱老師，? 非常感謝參加今天論文答辯的老師。40,J. et InternationalXianmei,and7裝置熱輸運(yùn)進(jìn)行分析、理解。靜電漂移波模型。(1013)(ms)b.(a)僅有歐姆電流，(b)包括束電流加歐姆電流，(c)包括束電流、歐姆電流加自舉電流。r能量約束時(shí)間能量約束時(shí)間 隨隨 (Ip=140kA,在同一炮放電的平頂段， ?e值也比較平穩(wěn)。 ? 一般認(rèn)為， De=Dim,Vfli 不清楚