【正文】 生及過電壓保護 過電流保護 緩沖電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護 外因過電壓： 主要來自雷擊和系統(tǒng)操作過程等外因 操作過電壓 ：由分閘 、 合閘等開關(guān)操作引起 雷擊過電壓 ：由雷擊引起 內(nèi)因過電壓： 主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程 換相過電壓 ：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后 ， 反向電流急劇減小 ， 會由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過電壓 。 圖 128 推薦的 GTO門極電壓電流波形 O t t O u G i G 1) 電流驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路 正的門極電流 5V的負偏壓 GTO驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路 、 關(guān)斷驅(qū)動電路 和 門極反偏電路三部分 ， 可分為 脈沖變壓器耦合式 和 直接耦合式 兩種類型 。 對全控型器件則既要提供開通控制信號 ， 又要提供關(guān)斷控制信號 。 ? ②在接通主電路前，必須先將控制電壓 Uct調(diào)到零，且將負載電阻調(diào)到最大阻值處；接通主電路后，才可逐漸加大控制電壓 Uct，避免過流。 α 30176。 、 90176。 ? (3)單相半波整流電路帶電阻性負載時Ud/U2= f(α)特性的測定。將 DK05掛件上的單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的輸出端 “ G”和 “ K”接到DK03掛件面板上的反橋中的任意一個晶閘管的門極和陰極，并將相應(yīng)的觸發(fā)脈沖的鈕子開關(guān)關(guān)閉（防止誤觸發(fā)） 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 三、實驗線路及原理 ? 圖中的 R負載用 DQ27三相可調(diào)電阻，將兩個 900Ω接成并聯(lián)形式。調(diào)節(jié)移相電位器 RP1，觀察鋸齒波的周期變化及輸出脈沖波形的移相范圍能否在 30176。 60176。當需要同時觀察兩個信號時，必須在被測電路上找到這兩個信號的公共點，將探頭的地線接于此處，探頭各接至被測信號，只有這樣才能在示波器上同時觀察到兩個信號，而不發(fā)生意外。 ? ? ? ????????? co sco s2s i n221 ??? ? UttdUUd? ?tdiI dd ?????? 21 或 RUI dd ?電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 電力電子器件器件的驅(qū)動 電力電子器件驅(qū)動電路概述 晶閘管的觸發(fā)電路 典型全控型器件的驅(qū)動電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 電力電子器件驅(qū)動電路概述 使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài) ， 縮短開關(guān)時間 ， 減小開關(guān)損耗 。 t I I M t 1 t 2 t 3 t 4 圖 126 理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形 t1~t2? 脈沖前沿上升時間（ 1?s） t1~t3? 強脈寬度 IM? 強脈沖幅值（ 3IGT~5IGT） t1~t4? 脈沖寬度 I? 脈沖平頂幅值（ ~2IGT） 晶閘管的觸發(fā)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 晶閘管的觸發(fā)電路 V V2構(gòu)成 脈沖放大環(huán)節(jié) 。 關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)動電壓 （ 一般取 5 ~ 15V） 有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗 。 開通緩沖電路 （ di/dt抑制電路 ） —— 抑制器件開通時的電流過沖和 di/dt， 減小器件的開通損耗 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 晶閘管的并聯(lián) 問題 ：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻 。 電壓驅(qū)動型 ：單極型器件和復(fù)合型器件 ， 雙極型器件中的 SITH 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 本章小結(jié) IGBT為主體 ， 第四代產(chǎn)品 ， 制造水平 / ，兆瓦以下首選 。 電力 MOSFET并聯(lián)運行的特點 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 圖 142 電力電子器件分類“樹” 本章小結(jié) 主要內(nèi)容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結(jié)構(gòu) 、 工作原理 、 基本特性和主要參數(shù)等 。 采用電阻均壓 ， Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正 、 反向電阻小得多 。 短路保護：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護作用 。 VD1AVVS0 V+ 10V+ 15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2圖 131 GTR的一種驅(qū)動電路 驅(qū)動 GTR的集成驅(qū)動電路中， THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的 M57215BL較為常見。 晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足下列要求 ： 脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通 。 九、注意事項 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 ? 晶閘管單相半波可控整流，設(shè)交流電壓有效值為 U ，頻率為 f，負載為電感性負載，延遲角為 ，如圖所示。 ? (2)畫出電阻性負載時 Ud/U2=f(α)的實驗曲線，并與計算值 Ud的對應(yīng)曲線相比較。 、 90176。 90176。