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實(shí)驗(yàn)六--單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)-免費(fèi)閱讀

  

【正文】 GTO:兆瓦以上首選 , 制造水平 6kV / 6kA。 在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù) 。 采用均流電抗器 。 目的 :當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時(shí) , 可以串聯(lián) 。 按能量的去向分類法: 耗能式緩沖電路 和 饋能式緩沖電路( 無(wú)損吸收電路 ) 。 電子電路作為第一保護(hù)措施,快熔僅作為短路時(shí)的部分 區(qū)段的保護(hù),直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù),過(guò)電流繼電器整定在過(guò)載時(shí)動(dòng)作。 2) 電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 (1) 電力 MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路: 電氣隔離 和 晶體管放大電路 兩部分 圖 132 電力 MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路 專為驅(qū)動(dòng)電力 MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的 M57918L,其輸入信號(hào)電流幅值為16mA,輸出最大脈沖電流為 +2A和 3A,輸出驅(qū)動(dòng)電壓 +15V和 10V。 關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值 ( 6V左右 ) 的負(fù)偏壓 。 V V2導(dǎo)通時(shí),通過(guò)脈沖變壓器向晶閘管的門(mén)極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。 為達(dá)到參數(shù)最佳配合 , 首選所用器件生產(chǎn)廠家專門(mén)開(kāi)發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)電路 。 一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中 , 或通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn) 。 九、注意事項(xiàng) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? (6)在實(shí)驗(yàn)中要注意同步電壓與觸發(fā)相位的關(guān)系,例如在單結(jié)晶體管觸發(fā)電路中,觸發(fā)脈沖產(chǎn)生的位置是在同步電壓的上半周,而在鋸齒波觸發(fā)電路中,觸發(fā)脈沖產(chǎn)生的位置是在同步電壓的下半周,所以在主電路接線時(shí)應(yīng)充分考慮到這個(gè)問(wèn)題,否則實(shí)驗(yàn)就無(wú)法順利完成。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? (2)在本實(shí)驗(yàn)中觸發(fā)電路選用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,同樣也可以用鋸齒波同步移相觸發(fā)電路來(lái)完成實(shí)驗(yàn)。 U2 Ud(記錄值) Ud/U2 Ud(計(jì)算值) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? 計(jì)算公式 : Ud = (l十 cosα)/2 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 七、實(shí)驗(yàn)方法 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 八、實(shí)驗(yàn)報(bào)告 ? (1)畫(huà)出 α=90176。 120176。暫不接續(xù)流二極管 VD1,在不同阻抗角 [阻抗角 φ=tg1(ωL/R),保持電感量不變,改變 R的電阻值 ,注意電流不要超過(guò) 1A]情況下,觀察并記錄 α =30176。 范圍內(nèi)移動(dòng) ? 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 七、實(shí)驗(yàn)方法 ? (2)單相半波可控整流電路接電阻性負(fù)載 ? 觸發(fā)電路調(diào)試正常后,按電路圖接線。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 五、預(yù)習(xí)要求 α 30176。直流電壓表及直流電流表從 DK03掛件上得到。實(shí)驗(yàn)六 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 指導(dǎo)教師 :黃琴 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 一、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? ? (1)掌握單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的調(diào)試步驟和方法。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 900Ω并 900Ω 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 ? (1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的調(diào)試。 60176。將電阻器調(diào)在最大阻值位置,按下 “ 啟觀察 α =30176。 、 60176。 150176。 時(shí),電阻性負(fù)載和電阻電感性負(fù)載的 Ud、 UVT波形。 ? (3)在實(shí)驗(yàn)中,觸發(fā)脈沖是從外部接入 DK03面板上晶閘管的門(mén)極和陰極,此時(shí) ,應(yīng)將所用晶閘管對(duì)應(yīng)的正橋觸發(fā)脈沖或反橋觸發(fā)脈沖的開(kāi)關(guān)撥向 “ 斷 ” 的位置,避免誤觸發(fā)。 ? (7) 使用電抗器時(shí)要注意其通過(guò)的電流不要超過(guò) 1A,保證線性。 驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù) : 按控制目標(biāo)的要求施加開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào) 。 分類 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 晶閘管的觸發(fā)電路 作用 : 產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖 , 保證晶閘管在需要的時(shí)刻由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通 。 圖 127 常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路 常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 (1) GTO GTO的 開(kāi)通控制 與普通晶閘管相似 。 t O i b 圖 130 理想的 GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形 (2) GTR 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路 , 包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 (2) IGBT的驅(qū)動(dòng) 圖 133 M57962L型 IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理和接線圖 常用的有三菱公司的 M579系列(如 M57962L和 M57959L)和富士公司的 E
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