【正文】 ，非晶Si：H、多晶Si、SiC等介電和半導(dǎo)體膜。④有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)定義：采用加熱方式將化合物分解而進(jìn)行外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體化合物的方法。離子束與離子助離子束沉積（IBD）：在離子束濺射沉積過(guò)程中，高能離子束直接打向靶材，將后者濺射并沉積到相鄰的基片上。交流濺射：施加交流電壓。因此可用拉曼光譜測(cè)定這種頻率的改變，從而分析和鑒別薄膜樣品中的化學(xué)組成和化學(xué)鍵合。1 外延生長(zhǎng)的主要技術(shù)有 分子束外延（MBE）、液相外延（LPE)、熱壁外延（HWE)和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）。辨析：辨析紅外吸收光譜與拉曼光譜①紅外吸收光譜：構(gòu)成薄膜樣品分子振動(dòng)的頻率一般從紅外延展到遠(yuǎn)紅外，用紅外線照射薄膜樣品時(shí)，與樣品分子振動(dòng)頻率相同的紅外線就會(huì)被分子共振吸收。對(duì)于小尺寸臨界核，這時(shí)必須過(guò)飽和度很高才能發(fā)生凝聚成核。 真空蒸發(fā)與離子鍍真空蒸發(fā)是待蒸發(fā)材料在真空中被加熱蒸發(fā)或者升華轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?，使之在工件或者基片表面析出的過(guò)程。優(yōu)點(diǎn)（相對(duì)于其他幾種外延生長(zhǎng)）：①反應(yīng)裝置較為簡(jiǎn)單，生長(zhǎng)溫度較寬②可對(duì)化合物的組分進(jìn)行精確控制，膜的均勻性和膜的電化學(xué)性質(zhì)重復(fù)性好③原料氣體不會(huì)對(duì)生長(zhǎng)膜產(chǎn)生刻蝕作用。（依賴陽(yáng)極反應(yīng)）同：都是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的沉積過(guò)程異：電鍍涉及電化學(xué)反應(yīng)關(guān)注的是陰極沉積，而化學(xué)鍍不涉及電化學(xué)反應(yīng)，陽(yáng)極反應(yīng)沉積涉及電化學(xué)反應(yīng)，但只在陽(yáng)極。②不同之處：兩個(gè)使用的能量不同，所用模型不同。應(yīng)用：應(yīng)用這一技術(shù)可以生長(zhǎng)有序單原子層、高度有序多原子層，其介電強(qiáng)度較高過(guò)程見(jiàn)課本P30簡(jiǎn)述什么是磁控濺射及磁場(chǎng)的作用和優(yōu)缺點(diǎn)磁控濺射：磁力線延伸到襯底，對(duì)襯底進(jìn)行適當(dāng)濺射，通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。 簡(jiǎn)述LB技術(shù)的過(guò)程定義：利用分子活性氣體在