【正文】 與伴峰 ?原子“化學(xué)環(huán)境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移 (稱 化學(xué)位移 )，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的交疊，則將引起俄歇峰 (圖 )形狀的改變。 ?本章主要介紹 俄歇電子能譜法 (AES) X射線光電子能譜法 (XPS) 紫外光電子能譜法 (UPS) 167。 ?在這樣淺的表層內(nèi)逸出俄歇電子時，入射電子束的側(cè)向擴展幾乎尚未開始，故其空間分辨率直接由入射電子束的直徑?jīng)Q定。 俄歇電子能量圖 主要俄歇峰的能量用空心圓圈表示， 實心圓圈代表每個元素的強峰 定性分析的一般步驟 ： ? (1)利用“主要俄歇電子能量圖”，確定實測譜中最強峰可能對應(yīng)的幾種 (一般為 3種 )元素； ? (2)實測譜與可能的幾種元素的標淮譜對照，確定最強峰對應(yīng)元素的所有峰； ? (3)反復(fù)重復(fù)上述步驟識別實測譜中尚未標識的其余峰。 ? 圖 137所示為帶有氧化物鈍化層的 Al的 2p光電子能譜圖 ? 由圖可知， 原子價態(tài)的變化導(dǎo)致 A1的 2p峰位移 。 X射線光電子標準譜圖示例 應(yīng)用實例 ?下圖為已標識的 (C3H7)4NS2PF2的 X射線光電子譜圖。 1， 2， 4， 5苯四甲酸； 1， 2苯二甲酸和苯甲酸鈉的 C1s光電子譜圖 ?由圖可知，與聚乙烯相比，聚氟乙烯 C1s對應(yīng)于不同的基團 CFH與 CH2成為兩個部分分開且等面積的峰。通常采用未知物 (樣品 )譜圖與已知化合物譜圖進行比較的方法鑒定未知物。可應(yīng)用于表面能帶結(jié)構(gòu)分析 (如聚合物價帶結(jié)構(gòu)分析 )、表面原子排列與電子結(jié)構(gòu)分析及表面化學(xué)研究 (如表面吸附性質(zhì)、表面催化機理研究 )等方面。 ?目前采用的光源為光子能量小于 100eV的真空紫外光源 (常用 He、 Ne等氣體放電中的共振線 )。 ?由于在一定條件下譜峰強度與其含量成正比，因而可以采用 標樣法 (與標準樣品譜峰相比較的方法 )進行定量分析，精確度可達 1%~2%。若此未成對電子角量子數(shù) l＞ 0，則必然會產(chǎn)生自旋 軌道偶合 (相互作用 )，使未考慮此作用時的能級發(fā)生能級分裂 (對應(yīng)于內(nèi)量子數(shù) j的取值 j＝ l+1/2和 j＝ l1/2形成雙層能級 )，從而導(dǎo)致光電子譜峰分裂；此稱為 自旋 軌道分裂 。 俄歇電子能譜在材料科學(xué)研究中的應(yīng)用 ?① 材料表面偏析、表面雜質(zhì)分布、晶界元素分析； ?②金屬、半導(dǎo)體、復(fù)合材料等界面研究； ?③薄膜、多層膜生長機理的研究； ?④表面的力學(xué)性質(zhì) (如摩擦、磨損、粘著、斷裂等 )研究； ?⑤表面化學(xué)過程 (如腐蝕、鈍化、催化、晶間腐蝕、氫脆、氧化等 )研究； ?⑥集成電路摻雜的三維微區(qū)分析； ?⑦固體表面吸附、清潔度、沾染物鑒定等。 ? 70年代中，把細聚焦掃描入射電子束與俄歇能譜儀結(jié)合構(gòu)成 掃描俄歇微探針 (SAM)，可實現(xiàn)樣品成分的點、線、面分析和深度剖面分析。俄歇電子與特征 X射線是兩個 互相關(guān)聯(lián)和競爭的發(fā)射過程。 1．俄歇電子產(chǎn)額 俄歇電子產(chǎn)額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度，直接 關(guān)系到元素的定量分析。 俄 俄歇譜儀示意圖 俄歇電子能譜儀發(fā)展 ?初期的俄歇