【正文】 與伴峰 ?原子“化學環(huán)境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移 (稱 化學位移 )，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的交疊，則將引起俄歇峰 (圖 )形狀的改變。 ?本章主要介紹 俄歇電子能譜法 (AES) X射線光電子能譜法 (XPS) 紫外光電子能譜法 (UPS) 167。 ?在這樣淺的表層內(nèi)逸出俄歇電子時，入射電子束的側(cè)向擴展幾乎尚未開始，故其空間分辨率直接由入射電子束的直徑?jīng)Q定。 俄歇電子能量圖 主要俄歇峰的能量用空心圓圈表示， 實心圓圈代表每個元素的強峰 定性分析的一般步驟 ： ? (1)利用“主要俄歇電子能量圖”，確定實測譜中最強峰可能對應的幾種 (一般為 3種 )元素； ? (2)實測譜與可能的幾種元素的標淮譜對照，確定最強峰對應元素的所有峰； ? (3)反復重復上述步驟識別實測譜中尚未標識的其余峰。 ? 圖 137所示為帶有氧化物鈍化層的 Al的 2p光電子能譜圖 ? 由圖可知， 原子價態(tài)的變化導致 A1的 2p峰位移 。 X射線光電子標準譜圖示例 應用實例 ?下圖為已標識的 (C3H7)4NS2PF2的 X射線光電子譜圖。 1， 2， 4， 5苯四甲酸； 1， 2苯二甲酸和苯甲酸鈉的 C1s光電子譜圖 ?由圖可知，與聚乙烯相比，聚氟乙烯 C1s對應于不同的基團 CFH與 CH2成為兩個部分分開且等面積的峰。通常采用未知物 (樣品 )譜圖與已知化合物譜圖進行比較的方法鑒定未知物。可應用于表面能帶結(jié)構(gòu)分析 (如聚合物價帶結(jié)構(gòu)分析 )、表面原子排列與電子結(jié)構(gòu)分析及表面化學研究 (如表面吸附性質(zhì)、表面催化機理研究 )等方面。 ?目前采用的光源為光子能量小于 100eV的真空紫外光源 (常用 He、 Ne等氣體放電中的共振線 )。 ?由于在一定條件下譜峰強度與其含量成正比，因而可以采用 標樣法 (與標準樣品譜峰相比較的方法 )進行定量分析，精確度可達 1%~2%。若此未成對電子角量子數(shù) l＞ 0，則必然會產(chǎn)生自旋 軌道偶合 (相互作用 )，使未考慮此作用時的能級發(fā)生能級分裂 (對應于內(nèi)量子數(shù) j的取值 j＝ l+1/2和 j＝ l1/2形成雙層能級 )，從而導致光電子譜峰分裂；此稱為 自旋 軌道分裂 。 俄歇電子能譜在材料科學研究中的應用 ?① 材料表面偏析、表面雜質(zhì)分布、晶界元素分析； ?②金屬、半導體、復合材料等界面研究； ?③薄膜、多層膜生長機理的研究； ?④表面的力學性質(zhì) (如摩擦、磨損、粘著、斷裂等 )研究； ?⑤表面化學過程 (如腐蝕、鈍化、催化、晶間腐蝕、氫脆、氧化等 )研究； ?⑥集成電路摻雜的三維微區(qū)分析； ?⑦固體表面吸附、清潔度、沾染物鑒定等。 ? 70年代中，把細聚焦掃描入射電子束與俄歇能譜儀結(jié)合構(gòu)成 掃描俄歇微探針 (SAM)，可實現(xiàn)樣品成分的點、線、面分析和深度剖面分析。俄歇電子與特征 X射線是兩個 互相關(guān)聯(lián)和競爭的發(fā)射過程。 1．俄歇電子產(chǎn)額 俄歇電子產(chǎn)額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度，直接 關(guān)系到元素的定量分析。 俄 俄歇譜儀示意圖 俄歇電子能譜儀發(fā)展 ?初期的俄歇