【正文】 高度各向異性的晶體，具有很強的形成一維結(jié)構(gòu)的傾向，優(yōu)先選擇c軸生長。 CRC Press, Boca Raton, FL,1997, 88.[6] 聶延光,碲納米線制備及生長機制研究[J],[7] F. Zhuang, S. He, J. He, et (Acta physica sinica),2002,51:355361[8] ,. Thirty, ,et oxynitride multilayers as spectrally selective material for passive radiative cooling applications[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1996,40(3):253[9] E. Erell, and experimental verification of an improved cooling radiation[J].Renewable Energy,1999,16(14):700[10] , semiconductor films for radiative cooling applications[J].Solar Energy Materials amp。 碲納米管的X射線光電子能譜分析 圖5 碲納米管的X射線光電子能譜XPS技術(shù)被廣泛用來研究透明和著色薄膜中物質(zhì)的價態(tài)結(jié)構(gòu)的變化，揭示價態(tài)和內(nèi)部能級XPS光譜的變化。 再取45mL濃度為5mmoL的亞碲酸鈉溶液，超聲10分鐘后陳化30分鐘。雜多藍是一種混合價態(tài)配合物，對它的合成和性質(zhì)研究不僅給無機化學增添了新的色彩，而且和雜多酸催化性能的研究密切相關(guān)，所以對雜多藍的研究日益受到重視。制備納米材料的方法有很多種，大致可分為物理法、化學法和物理化學法，物理方法有物理粉碎法（采用超細磨制備納米粒子，利用介質(zhì)和物料間的相互研磨和沖擊，并輔以助磨劑或大功率超聲波粉碎，達到顆粒細微化）、物理氣相沉積法（PVD）[1]（低壓的惰性氣體中加熱可以蒸發(fā)的物質(zhì)使之氣化，再在惰性氣體中冷凝形成納米粒子，熱源可以是電阻熱源，高頻感應熱源，電子束或激光熱源等，不同的加熱方法制備的納米粒子的量、大小及分布等有差異）、流動液面真空蒸發(fā)法、放電爆炸發(fā)、真空濺射法等；化學方法有化學氣相沉積法（CVD）[2](采用與PVD法相同的熱源，將原料如金屬氧化物、氫氧化物、金屬醇鹽等轉(zhuǎn)化為氣相，再通過化學反應，成核生長得到納米粒子)、水熱合成法（高溫高壓下在水溶液或蒸汽等流體中合成）、化學沉淀法（將沉淀加入到金屬鹽溶液中經(jīng)水解、沉淀后進行熱處理得到納米材料，沉淀的形式包括直接沉淀、共沉淀、均一沉淀）等；物理化學方法有溶膠—凝膠法（將金屬有機醇鹽或無機鹽溶液經(jīng)水解，使溶質(zhì)聚合成溶膠再凝膠固化，在低溫干燥，磨細后經(jīng)煅燒得到納米粒子）、微乳液法、反向膠束法（該法是利用兩種互不相容的溶劑（有機溶劑和水溶液），通過選擇表面活性劑及控制相對含量，可將其水相液滴尺寸控制在納米級，不同微乳溶液滴相互碰撞發(fā)生物質(zhì)交換，在水中發(fā)生化學反應，每個水相微區(qū)相當于一個“微反應器”限制了產(chǎn)物粒子的大小，得到納米粒子。采用合適的表面活性劑可吸附在納米粒子表面，對生成的起穩(wěn)定和保護作用，防止粒子進一步生長，并能對粒子起到表面改性作用。 制備碲納米管的方法有很多種，一些研究小組已用不同方法制備了不同形貌的一維納米結(jié)構(gòu)的碲納米晶，如胡寒梅[17]采用高分子輔助水熱制備了單晶碲納米管，夏幼南等[18][19]采用多元醇回流法合成了碲的多種一維納米結(jié)構(gòu)，張立德等[20]利用多孔氧化鋁作為模板制備了碲納米線陣列，錢逸泰等[21]采用水熱合成法制備了碲納米管和納米管。其它反應的條件和操作相同。圖5a是反應后片刻照射得到的低倍X射線光電子能譜的全譜圖，由圖中的譜線可以觀察到Te(4d)結(jié)合能峰較低，對應的結(jié)合能位置約為50eV，其對應著反應后生成的碲的結(jié)合能位置，圖5a中C1S的結(jié)合能位置約在300eV附近，其對應著反應后體系中生成的化合物中的碳原子和可能混雜于體系中的大氣中二氧化碳的碳原子的結(jié)合能位置，圖5a中的O1S的結(jié)合能位置在500eV附近，其對應著生成物中含氧化合物中的氧原子和可能混雜于體系中大氣中氧原子的結(jié)合能位置，圖5a中Te3d(5/2)和Te3d(3/2)的結(jié)合能位置約在600eV左右，分別對應著兩種不同環(huán)境中的碲原子。 Solar Cells,2003,80(3):283[11] ,et of telluri2um films by deposition of electrochemically generated H2Te:application to radiative cooling devices[J].Thin Solid Films,2000,370(12):101[12] 羅薇,[J],光散射學報,2000,11(4):351354[13] , and , novel ultrasonicassisted solutionphase spproach for the fabricatio