【正文】 極時(shí)，Ai和Au都比較大，但是輸出電壓和輸入電壓的相位相反；共基極時(shí)，Ai比較大，但是Au較小，輸出電壓與輸入電壓同相，并且具有跟隨關(guān)系，它可作為輸入級(jí)，輸出級(jí)或起隔離作用的中間級(jí)；共集電極時(shí)，Ai較小，Au較大，輸出電壓與輸入電壓同相，多用于寬頻帶放大等。13．6 整流電路橋式整流電路13．7濾波電路(a) C型濾波電路 (b) 倒L型濾波電路 (c) Ⅱ型濾波電路 圖1 （3）幾種常見的橋式整流濾波電路： A 電容濾波電路： B電感濾波電路 13．8．反饋電路1．正反饋：是指反饋回來(lái)的信號(hào)增強(qiáng)輸入信號(hào)（常用與振蕩電路）； 負(fù)反饋：是指反饋回來(lái)的信號(hào)削弱原輸入信號(hào)（用與放大電路）。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為5V到+5V 。同理 ，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過(guò)MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過(guò)M2而消散。因而或非門用得較多。因此，在過(guò)渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。但是，由于電路是互補(bǔ)對(duì)稱的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果。由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似　　2. 直流輸入電阻RGS　　 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。因置位的決定條件是S=0,故稱S 端為置1端。 1．非在線測(cè)量 非在線測(cè)量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過(guò)測(cè)量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對(duì)比，以確定其是否正常。測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后，將表置于R10kΩ檔，對(duì)NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時(shí)，表針可能會(huì)有一定偏轉(zhuǎn)，對(duì)PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時(shí)，表針可能會(huì)有一定的偏轉(zhuǎn)，反過(guò)來(lái)都不會(huì)有偏轉(zhuǎn)。 用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型(用指針式萬(wàn)用表). a。 電流放大系數(shù)：對(duì)于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很?。划?dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。脫離線路時(shí)檢測(cè)　 采用萬(wàn)用表Ｒ１ｋ擋，在檢測(cè)前，先將電解電容的兩根引腳相碰，表針向右偏轉(zhuǎn)一個(gè)角度，然后表針緩慢地向左回轉(zhuǎn)，最后表針停下。 電容的作用:隔直流,旁路,耦合,濾波,補(bǔ)償,充放電,儲(chǔ)能等 電容器的特性: 電容器容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。 四色環(huán)電阻器（普通電阻) 標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字 標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字 標(biāo)稱值有效數(shù)字后0的個(gè)數(shù)(10的倍冪) 允許誤差 顏 色第一位有效值第二位有效值倍 率允 許 偏 差黑00棕11177。即歐姆定律：I=U/R。%灰88白99―20% ~ +50%金5%銀10%無(wú)色20%圖11 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法如果色環(huán)電阻器用五環(huán)表示,前面三位數(shù)字是有效數(shù)字,第四位是10的倍冪. ,一般為PF,:3表示3PF。用萬(wàn)用表Ｒ１擋，電路斷開后，先放掉殘存在電容器內(nèi)的電荷。 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管 光電二極管 變?nèi)荻O管 半導(dǎo)體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號(hào)為5的半導(dǎo)體二極管。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。極限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電極最大允許電流、集電極最大允許功率損耗。d。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號(hào)三極管、2SC1812N5402N5551等三極管，其b極有的在就中間。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。ATX主機(jī)板的尺寸一般為12X96(單位為英寸)。由于這里的觸發(fā)信號(hào)是電平,因此這種觸發(fā)器稱為電平控制觸發(fā)器。但是由于TTL功耗大等缺點(diǎn)，正逐漸被CMOS電路取代。在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS　　噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的　　顯然，這時(shí)的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過(guò)兩管的電流接近于零。類似地，亦可分析電容CL的放電過(guò)程。異成門和同或門的邏輯符號(hào)如下圖所示。當(dāng)A和B均為低電平時(shí)，則兩個(gè)MOSFET MPA和MPB均導(dǎo)通，T1導(dǎo)通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平?？梢?，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開關(guān)是斷開的。對(duì)于多級(jí)放電電路：在多級(jí)放大器中，由于各級(jí)之間是串聯(lián)起來(lái)的，后一級(jí)的輸入電阻就是前級(jí)的負(fù)載，所以，多級(jí)放大器的總電壓放大倍數(shù)等于各級(jí)放大倍數(shù)的乘積，即Ａu＝Ａu1Ａu2……Ａun?！　MOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號(hào)的開關(guān)之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。TP和TN是結(jié)構(gòu)對(duì)稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。這種作用與TTL門電路的輸入級(jí)中T1類似?！　”容^CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯(lián)的，其輸出電壓隨管子個(gè)數(shù)的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此并聯(lián)，對(duì)輸出電壓不致有明顯的影響。還應(yīng)注意到，器件在放大區(qū)（飽和區(qū)）呈現(xiàn)恒流特性，兩器件之一可當(dāng)作高阻值的負(fù)載。假設(shè)在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負(fù)載管。在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間　　通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 基本RS觸發(fā)器的特性：、復(fù)位和保持（記憶）的功能； ，屬于電平觸發(fā)方式； （R+S=1），由于兩個(gè)與非門的延遲時(shí)間無(wú)法確定；當(dāng)R=S=0時(shí)，將導(dǎo)致下一狀態(tài)的不確定。S=0,R=1使觸發(fā)器置1，或稱置位。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位 b。c。交流信號(hào)從發(fā)射極輸入，集電極輸出，那基極就叫公共極。 半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù) a。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。電容器的計(jì)算： C1 c2 ~~～ c1 c2 串連： 并聯(lián)： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 多個(gè)電容的串聯(lián)和并聯(lián)計(jì)算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CN C并C=C1+C2+C3+……+CN 電容器的好壞測(cè)量a。1pf=103nf=106uf=109mf=1012f。表 電阻的作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波（與電容器組合使用）和阻抗匹配等。2200表示2200PF。測(cè)量時(shí)若表針向右偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明電解電容內(nèi)部斷路。 半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通電壓是: a。 b、故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。 判別半導(dǎo)體三極管的類型. 如果已知某個(gè)半導(dǎo)體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測(cè)量其另外兩個(gè)電極引腳,如果測(cè)得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導(dǎo)體三極管,如果 測(cè)量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管. 現(xiàn)在常見的三極管大部分是塑封的，如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個(gè)是b、c、e？三極管的b極很容易測(cè)出來(lái)，但怎么斷定哪個(gè)是c哪個(gè)是e？ a。當(dāng)然它們也有c極在中間的。 （2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。Micro (單位為英寸) .注明:1英寸=第十節(jié) 晶振＂X”,＂Y”:能產(chǎn)生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.::測(cè)量電阻方法:用萬(wàn)用表RX10K檔測(cè)量石英晶體振蕩器的正,則說(shuō)明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動(dòng)態(tài)測(cè)量方法:用是波器在電路工作時(shí)測(cè)量它的實(shí)際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說(shuō)明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞第十一節(jié) 基本邏輯門電路 門電路的概念：實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路，叫邏輯門電路。從功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又稱為置0置1觸發(fā)器，或稱為置位復(fù)位觸發(fā)器。12．1