【正文】 算方法：串聯(lián)：R總串=R1+R2+R3+……Rn. 并聯(lián)：1/R總并=1/R+2/R+3/R……1/Rn 電阻器好壞的檢測(cè): a、用指針萬(wàn)用表判定電阻的好壞:首先選擇測(cè)量檔位,再將倍率檔旋鈕置于適當(dāng)?shù)臋n位,一般100歐姆以下電阻器可選RX1檔,100歐姆1K歐姆的電阻器可選RX10檔,1K歐姆10K歐姆電阻器可選RX100檔,10K100K歐姆的電阻器可選RX1K檔,100K歐姆以上的電阻器可選RX10K檔.b、測(cè)量檔位選擇確定后,對(duì)萬(wàn)用表電阻檔為進(jìn)行校0, 校0的方法是:將萬(wàn)用表兩表筆金屬棒短接,觀察指針有無(wú)到0的位置,如果不在0位置,調(diào)整調(diào)零旋鈕表針指向電阻刻度的0位置.c、接著將萬(wàn)用表 的 兩表筆分別和電阻器的兩端相接,表針應(yīng)指在相應(yīng)的阻值刻度上,如果表針不動(dòng)和指示不穩(wěn)定或指示值與電阻器上的標(biāo)示值相差很大,則說(shuō)明該電阻器已損壞.d、用數(shù)字萬(wàn)用表判定電阻的好壞。%紫77177。、 122=1200Ω=、 1402=14000Ω=14KΩ、 R22=、 50C=324*100=、17R8=、000=0Ω、 0=0Ω.c、色環(huán)標(biāo)注法使用最多，普通的色環(huán)電阻器用4環(huán)表示,精密電阻器用5環(huán)表示,緊靠電阻體一端頭的色環(huán)為第一環(huán),：如果色環(huán)電阻器用四環(huán)表示,前面兩位數(shù)字是有效數(shù)字,第三位是10的倍冪, 第四環(huán)是色環(huán)電阻器的誤差范圍(見(jiàn)圖一)第一章 電子元件知識(shí)第一節(jié)、電阻器 電阻器的含義:在電路中對(duì)電流有阻礙作用并且造成能量消耗的部分叫電阻. 電阻器的英文縮寫：R（Resistor） 及排阻RN 電阻器在電路符號(hào)： R 或 WWW 電阻器的常見(jiàn)單位:千歐姆（KΩ）, 兆歐姆（MΩ） 電阻器的單位換算: 1兆歐=103千歐=106歐 電阻器的特性：電阻為線性原件，即電阻兩端電壓與流過(guò)電阻的電流成正比，通過(guò)這段導(dǎo)體的電流強(qiáng)度與這段導(dǎo)體的電阻成反比。a、直標(biāo)法是將電阻器的標(biāo)稱值用數(shù)字和文字符號(hào)直接標(biāo)在電阻體上,其允許偏差則用百分?jǐn)?shù)表示,未標(biāo)偏差值的即為177。1%紅22177。5%銀177。電容的特性主要是隔直流通交流,通低頻阻高頻 電容器在電路中一般用“C”. 電容器的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。224表示22*104=d: 表針停下來(lái)所指示的阻值為該電容的漏電電阻，此阻值愈大愈好，最好應(yīng)接近無(wú)窮大處。c．線路上通電狀態(tài)時(shí)檢測(cè),若懷疑電解電容只在通電狀態(tài)下才存在擊穿故障，可以給電路通電，然后用萬(wàn)用表直流擋測(cè)量該電容器兩端的直流電壓，如果電壓很低或?yàn)椋埃?，則是該電容器已擊穿。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。 半導(dǎo)體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變?nèi)莸茸饔谩? 變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：（1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。）見(jiàn)圖三. 圖三 硅和鍺管的伏安特性曲線 半導(dǎo)體二極管的好壞判別:用萬(wàn)用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測(cè)量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,正向電阻越小,說(shuō)明二極管內(nèi)部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內(nèi)部斷開(kāi)或擊穿的二極管均不能使用。即β=ΔIc/ΔIb。半導(dǎo)體三極管的三種基本的放大電路。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b。第二種方法：對(duì)無(wú)hFE測(cè)量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對(duì)NPN管，先測(cè)出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測(cè)出，是吧？），將表置于R1kΩ檔，將紅表筆接假設(shè)的e極（注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳），黑表筆接假設(shè)的c極，同時(shí)用手指捏住表筆尖及這個(gè)管腳，將管子拿起來(lái)，用你的舌尖舔一下b極，看表頭指針應(yīng)有一定的偏轉(zhuǎn)，如果你各表筆接得正確，指針偏轉(zhuǎn)會(huì)大些，如果接得不對(duì)，指針偏轉(zhuǎn)會(huì)小些，差別是很明顯的。由此也可以判定三極管的c、e極。按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 c。測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測(cè)得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d。 （4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極, 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)無(wú)反應(yīng),. 將萬(wàn)用表的量程選擇在RX1K檔,分別測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無(wú)窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無(wú)窮大時(shí),則此腳為G極,交換表筆后再測(cè)量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極. 第七節(jié) 集成電路 集成電路的英文縮寫 IC(integrate circuit) 電路中的表示符號(hào): U :集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來(lái),重量輕,可靠性高和性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),所以特別是大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路的出現(xiàn),是電子設(shè)備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進(jìn)了一大步. 集成電路常見(jiàn)的封裝形式 BGA(ball grid array)球柵陣列(封裝) 見(jiàn)圖二 QFP(quad flat package)四面有鷗翼型腳(封裝) 見(jiàn)圖一 SOIC(small outline integrated circuit) 兩面有鷗翼型腳(封裝) 見(jiàn)圖五PLCC(plastic leaded chip carrier)四邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見(jiàn)圖三SOJ(small outline junction) 兩邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見(jiàn)圖四 圖一 圖二 圖三 圖四圖五。2．在線測(cè)量 在線測(cè)量法是利用電壓測(cè)量法、電阻測(cè)量法及電流測(cè)量法等，通過(guò)在電路上測(cè)量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常，來(lái)判斷該集成電路是否損壞。 工作原理 :基本RS觸發(fā)器的邏輯方程為： 根據(jù)上述兩個(gè)式子得到它的四種輸入與輸出的關(guān)系: =S=0時(shí)，則Q=0,Q=1,觸發(fā)器置1。R=0,S=1時(shí)，使觸發(fā)器置0，或稱復(fù)位。 =S=1時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)保持不變。第十二節(jié) TTL邏輯門電路　以雙極型半導(dǎo)體管為基本元件，集成在一塊硅片上，并具有一定的邏輯功能的電路稱為雙極型邏輯集成電路，簡(jiǎn)稱TTL邏輯門電路?！　≡缙谏a(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比　　5. 低頻跨導(dǎo)gm　　對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容　　低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)　　　　下圖分析了當(dāng)vI=VDD時(shí)的工作情況?？梢?jiàn)上述兩種極限情況下的功耗都很低。兩管在VI=VDD/2處轉(zhuǎn)換狀態(tài)。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為低電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導(dǎo)通，輸出為高電平；僅當(dāng)A、B全為高電平時(shí)，才會(huì)使兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管都導(dǎo)通，使兩個(gè)并聯(lián)的PMOS管都截止，輸出為低電平。13．　　上圖為CMOS異或門電路。輸入信號(hào)vI同時(shí)作用于MP和MN的柵極。可見(jiàn)，門電路的開(kāi)關(guān)速度可得到改善。因此 ，只要有一個(gè)輸入端接高電平，輸出即為低電平。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏 ，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接5V電壓 ?！　∮缮戏治隹芍?dāng)vI＜3V時(shí)，僅有TN導(dǎo)通，而當(dāng)vI＞+3V時(shí)，僅有TP導(dǎo)通當(dāng)vI在3V到+3V的范圍內(nèi)，TN和TP兩管均導(dǎo)通。2．判別正負(fù)反饋的方法——瞬時(shí)極性法 瞬時(shí)極性法是用來(lái)判斷正反饋還是負(fù)反饋的。 ）； 若反饋信號(hào)與輸入信號(hào)在基本放大電路的輸入端以電壓串聯(lián)的形式迭加，則稱為串聯(lián)反饋；若反饋信號(hào)與輸入信號(hào)在基本放大電路的輸入端以電流并聯(lián)的形式迭加，則稱為并聯(lián)反饋。發(fā)射極與基極同相位，仍為(+)信號(hào)，多級(jí)放大器在這一瞬時(shí)的極性依次類推，假設(shè)在這一瞬時(shí)反饋電阻RF的反饋信號(hào)使輸入信號(hào)加強(qiáng)，則為正反饋，使得輸入信號(hào)削弱，則為負(fù)反饋。換句話說(shuō)，當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加?！　鬏旈T的工作情況如下：當(dāng)C端接低電壓5V時(shí)TN的柵壓即為5V，vI取5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN均不導(dǎo)通。模擬開(kāi)關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。如果要實(shí)現(xiàn)或非邏輯關(guān)系，輸入信號(hào)用來(lái)驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯(lián)。當(dāng)輸出端接有同類BiCMOS門電路時(shí)，輸出級(jí)能提供足夠大的電流為電容性負(fù)載充電?；蚍情T的輸出?！　∠聢D是2輸入端CMOS或非門電路。下圖表示當(dāng)vI=0V時(shí) ，TN截止，TP導(dǎo)通，由VDD通過(guò)TP向負(fù)載電容CL充電的情況?！　∠聢D為CMOS反相器的傳輸特性圖。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負(fù)載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補(bǔ)MOS或CMOS電路。CGS和CGD約為1～3pF　　gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力　　MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結(jié)型晶體管，晶體三極管）和電阻構(gòu)成，具有速度快的特點(diǎn)。 =S=0時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)不確定 在此條件下，兩個(gè)與非門的輸出端Q和Q全為1，在兩個(gè)輸入信號(hào)都同時(shí)撤去（回到1）后，由于兩個(gè)與非門的延遲時(shí)間無(wú)法確定，觸發(fā)器的狀態(tài)不能確定是1還是0,因此稱這種情況為不定狀態(tài)，這種情況應(yīng)當(dāng)避免。若觸發(fā)器原來(lái)為1態(tài)，欲使之變?yōu)?態(tài)，必須令R端的電平由1變0，S端的電平由0變1。 如上所述，當(dāng)觸發(fā)器的兩個(gè)輸入端加入不同邏輯電平時(shí)，它的兩個(gè)輸出端Q和Q有兩種互補(bǔ)的穩(wěn)定狀態(tài)。第八節(jié) Socket,Slot Socket和Slot的異同: Socket是一種插座封裝形式,是一種矩型的插座(見(jiàn)