【正文】 送性能?？梢哉f，100BaseTX接口的物理特性對網(wǎng)絡(luò)性能的影響在越是關(guān)鍵的時(shí)刻越起著重要的作用，應(yīng)該得到廣泛的關(guān)注和重視。三、快速以太網(wǎng)100BaseTXPMD子層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的上升時(shí)間根據(jù)公式。 可見通過測量U1和U2的值可以計(jì)算端口的反射衰減。 以一個(gè)8端口快速以太網(wǎng)集線器為例說明測試的內(nèi)容。圖13本文中還有很多地方有待改進(jìn)和補(bǔ)充，算是對該類測試的一種有益探索和嘗試。七、總結(jié) 指標(biāo)要求如圖11所示。 。測試結(jié)果如圖6和7所示。較短的電纜產(chǎn)生較小的信號衰減和干擾，數(shù)據(jù)差錯(cuò)的可能性因此得以降低很多。 在MLT3編解碼模塊之上是數(shù)據(jù)流加解擾模塊。100BaseTX分層模型但是在特定的場合，例如雙絞線長度接近極限距離100m，或者線路負(fù)載接近端口標(biāo)稱的100Mbit/s，此時(shí)物理層的差錯(cuò)對數(shù)據(jù)傳輸?shù)馁|(zhì)量就會產(chǎn)生比較關(guān)鍵的影響了。 二、快速以太網(wǎng)100BaseTX的分層模型因此可以近似地認(rèn)為系統(tǒng)帶寬是196MHz。 指標(biāo)要求為3ns到5ns之間。 e1=t2t116ns；e2=t3t216ns；e3=t4t316ns；e4=t3t132ns；e5=t4t232ns；e6=t4t148ns (5)波形過沖 指標(biāo)要求在950mV到1050mV之間，且。衰減電路由四個(gè)電阻組成電橋，兩側(cè)的阻抗都匹配為100Ω，其電路和實(shí)際電纜的照片如圖3所示。 100BaseTX的碼率是125Mbit/s，但經(jīng)MLT3編碼后，線路信號的主要能量集中在30MHz以下的頻帶范圍內(nèi)。