【正文】 通過 LST指令可對其加載，復(fù)位時 SXM =1。 ARP OV OVM 1 INTM DP D8~D0 D9 D10 D11 D12 D15~D13 ? OVM：溢出模式位 決定 ACC算術(shù)運算溢出的情況。 OVM=0時，累加器中的結(jié)果正常溢出。 ? 移位方法：左移后沒有使用的低位 LSB填 0，高位 MSB填0或用符號擴(kuò)展，取決于狀態(tài)寄存器 ST1的符號擴(kuò)展模式位 SXM（ D10）。 ? 采用高性能靜態(tài) CMOS技術(shù) ， 供電電壓為 。 ? 輸入與輸出定標(biāo)寄存器。 ? 控制指令 。 ? PRDB — 程序讀總線：它載有從程序存儲器讀取的指令代碼 及表格信息等，并送到 CPU。 ? 累加器： 存放 CALU的操作結(jié)果，并可對其進(jìn)行移動或循環(huán)。 將 AR0的內(nèi)容與當(dāng)前 AR的內(nèi)容比較 ， 結(jié)果影響 TC位ST1的測試 /控制位 。用 SETC OVM或 CLRC OVM可將該位置 1或清 0。 TMS320LF240x器件有 4種可獨立選擇的空間： ? 64K字的程序存儲器空間：存放要執(zhí)行的指令及程序執(zhí)行時使用的數(shù)據(jù)。當(dāng) CPU要求多次訪問時， SARAM會向 CPU提供一個未準(zhǔn)備好的信號，然后在每個周期內(nèi)執(zhí)行一次訪問。 B0既可配置為程序存儲器也可配置為數(shù)據(jù)存儲器，由 CNF標(biāo)志位決定。 ? 訪問外部 I/O接口時， 信號低電平有效，同時提供相應(yīng)的讀寫信號。 =0，配置為微控制器方式，從片內(nèi)程序存儲器讀取復(fù)位向量（起始程序）。指令 A在 CPU周期的主時段內(nèi)存累加器的值， B在從時段內(nèi)將新值裝入累加器。 SETC C或 CLRC C 可將該位置 1或清 0，通過 LST指令可影響 C，復(fù)位時 C =1。 0VM=0時，累加器中的結(jié)果正常溢出。 ARP所指的寄存器稱當(dāng)前輔助寄存器 。 乘法器：將 TREG的值與來自數(shù)據(jù)讀總線或程序讀總線 的一個值相乘。 在片仿真接口 速度 ?單周期定點指令的執(zhí)行時間為 50ns、 35ns或 25ns(20MIPS，或 40MIPS)。 存儲器 指令系統(tǒng) ? 累加器 、 算術(shù)和邏輯運算指令 。 ? 輔助寄存器和數(shù)據(jù)頁面指針指令 。 TMS320LF240x的總線結(jié)構(gòu) ? PAB — 程序地址總線：提供訪問程序存儲區(qū)的地址。 乘積寄存器（ PREG）：保存乘法運算的結(jié)果。 處理一條指令時 ， 當(dāng)前 AR的內(nèi)容用做訪問數(shù)據(jù)存儲器的地址 。用 SETC OVM或 CLRC OVM可將該位置 1或清 0。 ? XF： XF引腳狀態(tài)位 SETC XF或 CLRC XF 可將該位置 1或清 0，通過 LST指令可對修改 XF，復(fù)位時 XF =1。 ? 片內(nèi)單訪問存儲器（ SARAM） SARAM的地址可以用于數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器。 =