【正文】 一V特性曲線。當(dāng)注入電壓足夠高時(shí)，此過程最終形成了高濃度且濃度相等的可動(dòng)電子n和空穴p的等離子體即p=n(且原有的電子n和空穴數(shù)目)，也就是說器件體內(nèi)變成了電中性的，體內(nèi)阻抗R非常小，即R→0，而電導(dǎo)很大，即σ→很大，可以這樣形象地描述，這就等效于把等離子體注入到了內(nèi)部，伴隨著一系列物理過程的發(fā)生，諸如電中和效應(yīng)、復(fù)合效應(yīng)、空間電荷限制電流效應(yīng)，載流子壽命隨注入電壓變化以及遷移率隨注入電壓的變化，特別是內(nèi)部出現(xiàn)嚴(yán)重的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得器件由高阻變?yōu)榈妥鑵^(qū)并最終造成I一V特性曲線出現(xiàn)負(fù)阻區(qū)段。同時(shí)有相當(dāng)數(shù)量的空穴被俘獲而填入空穴俘獲中心，致使空穴壽命不斷增大，而電子壽命卻不斷減小。 PL的器件EL亮度可達(dá)125cd/㎡。厚度的PL，結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/TPD:PVK/PTCDA/ITO的OILED的EL譜的形狀與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為ITO/TPD/Alq/ Al的OLED()是相同的，這說明雖然結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)，但其發(fā)光物質(zhì)仍然是Alq分子。既然以前的研究表明Alq，對(duì)電子優(yōu)先傳輸這種對(duì)稱結(jié)構(gòu)的非對(duì)稱性注入暗示了頂部陰電極要比底部陰電極更能有效的注入電子到Alq，即金屬A1(或其它適宜的金屬)，與傳統(tǒng)的OLED相比OILED的載流子注入效率要低，這導(dǎo)致了OILED的發(fā)光效率的降低。 OLED與OILED薄、可彎曲示意圖，抗震性能好，因而可以適應(yīng)巨大的加度和劇烈振動(dòng)等惡劣環(huán)境，非常適合應(yīng)用于軍事活動(dòng)； OLED全固態(tài)、無真空示意圖，對(duì)比度大，色彩效果好幾乎沒有視角問題，可在很大的角度范圍內(nèi)觀看，而顯示畫面不失真。PL層的存在提高了最大驅(qū)動(dòng)電流，但降低了器件的發(fā)光效率。成膜技術(shù)還不夠完善。結(jié)論目前國際上對(duì)OLED的開發(fā)相當(dāng)熱門，認(rèn)為OLED將是目前TFT－LCD的有力競爭對(duì)手。十幾年的求學(xué)生涯即將結(jié)束了。OLED超薄柔軟可卷曲的特性使其的應(yīng)用方向更廣，超低的功耗更符合目前時(shí)代發(fā)展的需求，在今后我們將會(huì)看到更多的地方出現(xiàn)OLED的身影。國際上對(duì)OLED的開發(fā)相當(dāng)熱門，認(rèn)為OLED將是目前TFTLCD的有力競爭對(duì)手。作為電流型器件不可避免地會(huì)因電流的熱效應(yīng)而升溫，OLED在提高亮度時(shí)，器件散熱是最大攔路虎。本章還研究了PL對(duì)OILED器件性能的影響。前者適合蒸鍍成膜，后者適合旋涂成膜。為了研究電極接觸層的注入效率，“正向偏壓下”(底部Al電極正偏)發(fā)現(xiàn)了明顯的大電流的不對(duì)稱。我們可以推測(cè)，既然PTCDA在的發(fā)射波長530nm呈現(xiàn)出強(qiáng)烈的吸收性。因此，如果說所測(cè)試的具有盯CDA保護(hù)層的OILED器件的產(chǎn)額為100%的話，這種損傷導(dǎo)致沒有保護(hù)層的OILED的產(chǎn)額大約只有30%.當(dāng)PTCDA層的厚度小于50A時(shí)，0ILED的工作電壓發(fā)生了突然的增加，此時(shí)損傷區(qū)域的厚度應(yīng)當(dāng)與PTCDA層的厚度相當(dāng)。由于電場非常低，上式中由電場引起的載流子漂移項(xiàng)己經(jīng)被忽略掉了。這里我主要討論的是在較高電壓下的電流傳輸。因此，這就導(dǎo)致沒有電致發(fā)光產(chǎn)生。、1000197。 真空鍍膜設(shè)備原理圖 Si/Al/Alq/ PVK:TPD/PTCDA/ITO結(jié)構(gòu)的有機(jī)反轉(zhuǎn)電致發(fā)光器件的研究 OILED的I一V特性及亮度測(cè)試(a)給出T我們研制的結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/PVK:TPD/PTCDA/ITO的OILED的電流一電壓特性曲線，其中PVK和TPD的質(zhì)量比為1:1，PVK和TPD在二氛乙烷溶劑中的含量為20mg/ml。厚的金屬Al作為陰電極，為了使金屬Al與半導(dǎo)體之間形成良好的歐姆接觸，還需進(jìn)行微合金工藝處理。但是在光電集成器件中，不能完全保證光學(xué)器件和電學(xué)器件都是最佳設(shè)計(jì)，因此在設(shè)計(jì)時(shí)統(tǒng)籌兼顧是非常必要的。如何提高企業(yè)創(chuàng)新能力，已成為一項(xiàng)重要而緊迫的任務(wù)。 發(fā)光過程的Jbaloneyski能級(jí)圖其能量可以通過以下的幾種方式釋放：1）通過振動(dòng)馳豫，熱效應(yīng)等耗散途徑使體系能量衰減；2）通過非輻射的躍遷，耗散能量，比如內(nèi)部轉(zhuǎn)換，系間竄躍等形式， 如S→T；3）通過輻射躍遷的熒光發(fā)光（S→S，S→S）和磷光發(fā)光(T→S)。 H IL 2空穴注入層。目前有機(jī)電致發(fā)光器件的制備技術(shù)有“小分子”技術(shù)和“共軛高聚物”技術(shù)。(4) 驅(qū)動(dòng)電壓低, 能耗低, 能與半導(dǎo)體集成電路的電壓相匹配, 使大屏幕平板顯示的驅(qū)動(dòng)電路容易實(shí)現(xiàn)。 OLED的制備選用PVCZ 作為空穴傳輸層和發(fā)光層, 采用8羥基喹啉鋁( tr is ( 8hy dro xy quinoline) aluminum,Alq) 作為電子傳輸層。比如，我們的手機(jī)顯示屏可能就是OLED屏。目前，OLED的產(chǎn)品已從試驗(yàn)室走向了市場。目前采用OLED的主要是三星如新上市的SCHX339就采用了256色的OLED，以及索尼發(fā)布的次時(shí)代掌機(jī)PSV，至于OEL則主要被LG采用在其CU8180 8280上我們都有見到。目前情況看,OLED 控制IC與LCD 控制IC比較相似, 不存在技術(shù)難度。OLED 發(fā)光材料未來開發(fā)方向是,高效率化(提高發(fā)光效率)、改善熒光材料、引入磷光材料。 OLED技術(shù)的發(fā)展概況按照所采用有機(jī)發(fā)光材料的不同,OL ED 可區(qū)分為兩種不同的技術(shù)類型: 一是基于小分子有機(jī)發(fā)光材料的SM 2OL ED (small material OL ED) , 另一是基于共軛高分子發(fā)光材料的PL ED (polymer OL ED)。關(guān)鍵詞：有機(jī)電致發(fā)光器件，有機(jī)反轉(zhuǎn)電致發(fā)光器件，發(fā)光機(jī)理，保護(hù)層（PL）,陽極ITO薄膜AbstractOLED has a solid state, selfluminous, high contrast, ultrathin, low power consumption, viewing angle, fast response, lowvoltage DC drive, the operating temperature range, easy to implement many of the advantages of flexible displays and 3D displays will bee the future20 years of the most money scene of the new display technology. Also, because OLED has a largearea film, low power consumption, and other fine features, so an ideal plane light source, also has broad application prospects in the future of energy saving lighting in the area. In this paper, the systematic introduction of OLED development background, history of the development, preparation and application, the structure of the organic electroluminescent devices (OLED) and the luminescence mechanism.Typical traditional OLED is growth in transparent anode ITO glass, for example, the light is emitted by bottom gives fully substrate, this makes it and other electronic ponents such as that the integration of the silica based drive bee very plex. Therefore, the ideal way is developing a OLED, its light emission from the top of the device gives fully transparent electrodes. Focuses on a cathode as the bottom contact layer, the anode of ITO films as the top electrode surface emission or organic LED of the reverse (OILED). Of the device preparation process, the OILED IV characteristics and EL spectra of the test, found that similar to the conventional OLED, the working voltage was increased efficiency to a certain extent on the lower. To further improve the device performance of the device to increase the protective layer (PL), PL OILED device performance. Finally an overview of the technical progress and prospects of the device, and looked to the future OLED, the direction of development.Keywords:Organic Electroluminescent Devices, Organic reverse electroluminescent devices, Luminescence mechanism, Protective layer (PL), the anode of ITO films.目錄摘要 IAbstract II目錄 III 1 1 OLED技術(shù)的發(fā)展概況 2 全球OLED發(fā)展史 4 中國OLED發(fā)展?fàn)顩r 5 OLED的應(yīng)用 6 OLED的制備 6 8 引言 8 有機(jī)電致發(fā)光器件 8 有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu) 9 OLED發(fā)光機(jī)理 10 我國發(fā)展OLED產(chǎn)業(yè)存在的問題及發(fā)展趨勢(shì) 13 存在的問題 13 發(fā)展趨勢(shì) 14 結(jié)論及建議 14 16 引言 16 器件制備工藝 17 基片的清洗及表面處理 17 陰極的蒸鍍 17 有機(jī)層的成膜 18 陽極的濺射 19 Si/Al/Alq/ PVK:TPD/PTCDA/ITO結(jié)構(gòu)的有機(jī)反轉(zhuǎn)電致發(fā)光器件的研究 19 OILED的I一V特性及亮度測(cè)試 19 保護(hù)層(PL)對(duì)器件性能的影響 27 PL厚度對(duì)器件j一V特性的影響 27 PL對(duì)器件的最大驅(qū)動(dòng)電流I的影響 29 PL對(duì)器件外量子效率的影響 29 PL對(duì)EL發(fā)射譜的影響 30 頂電極(陽極)面積對(duì)載流子注入效率的影響 31 PL層對(duì)器件最表面狀態(tài)的影響 32 33 與目前占主流地位的CRT及LCD技術(shù)相比，OLED與OILED具有以下更多的優(yōu)點(diǎn): 33 與OLED相比OILED的不同 35 OLED與OILED 急待解決的問題和未來發(fā)展趨勢(shì) 35結(jié)論 38 謝 39： 4039信息顯示是信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一, 而信息顯示技術(shù)及顯示器件多種多樣, 到目前為止，有四種發(fā)光物理機(jī)制完全不同的固態(tài)場致發(fā)光形式。介紹了該器件的制備工藝，對(duì)該OILED的I一V特性及EL譜進(jìn)行了測(cè)試，發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)的OLED相類似，而工作電壓有所升高，效率一定程度上降低。 1990 年, Bur roug hes 等人用聚對(duì)苯乙烯( PPV) 制備的聚合物薄膜電致發(fā)光器件得到了量子效率為0. 05% 的藍(lán)綠光輸出, 其驅(qū)動(dòng)電壓小于14V。 。(5) 驅(qū)動(dòng)IC 開發(fā)集成電路(IC) 是OLED器件的重要組成部分,一般占器件成本的20%～ 30%。 　　目前在OLED的二大技術(shù)體系中，低分子OLED技術(shù)為日本掌握，而高分子的PLED,LG手機(jī)的所謂OEL就是這個(gè)體系，技術(shù)及專利則由英國的科技公司CDT掌握，兩者相比PLED產(chǎn)品的彩色化上仍有困難。人們一般都隊(duì)為，聚合物材料比有機(jī)小分子材料要穩(wěn)定，這也就成了發(fā)展聚合物EL的原動(dòng)力。而中國首條AMOLED中試線已經(jīng)在昆山建成投產(chǎn)并于2010年底打通全部生產(chǎn)工藝，京東方及四川虹視等也在積極進(jìn)行AMOLED項(xiàng)目研發(fā)工作。交通領(lǐng)域：主要應(yīng)用有GPS、車載音響、車載電話、飛機(jī)儀表和設(shè)備等各種指示標(biāo)志性的顯示屏。 發(fā)光效率高, 亮度大, 可實(shí)現(xiàn)全色