【正文】 能級(jí)的復(fù)合效應(yīng)在內(nèi)的諸多作用后載流子的輸運(yùn)方程變?yōu)榕c分別為雙極擴(kuò)散系數(shù)，雙極載流子壽命。這樣我們處理的就是等離子體的傳輸問題了。這就意味著該區(qū)的凈電荷幾乎為零，電場(chǎng)很低，因而對(duì)應(yīng)于很低的體壓降。同時(shí)，注入的電子也會(huì)對(duì)陽(yáng)極處的空穴電荷以及空穴的注入和傳導(dǎo)施予類似的作用，形成一個(gè)再造過程。眾所周知，有機(jī)電致發(fā)光器件是屬于雙注入問題，電子、空穴分別由陰、陽(yáng)兩個(gè)電極向有機(jī)層注入，其發(fā)光機(jī)理前面己經(jīng)討論不再贅述。)/TPD(1500)197。)/PTCDA(1500197。(b)L一V特性曲線 結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/PVK:TPD/PTCDA/ITO，Alq厚度為2500197。這是由于當(dāng)電致發(fā)光層過于厚時(shí)，拉長(zhǎng)了載流子的輸運(yùn)路程，無(wú)論空穴還是電子，都較難達(dá)到復(fù)合區(qū)相遇、形成激子，尤其是空穴穿過空穴傳輸層注入到發(fā)射層之后能量已消耗得不足以繼續(xù)穿越較長(zhǎng)的路程到達(dá)復(fù)合區(qū)。(b)L一V特性曲線反之，當(dāng)我們?cè)黾覣lq層到2000197。繼續(xù)降低Alq，層厚度到500197。的OILED芯片作為比較，其Ⅰ一Ⅴ～。(b)亮度一電壓特性曲線為了研究有機(jī)發(fā)光層Alq (兼電子傳輸層)對(duì)器件性能的影響，在其他實(shí)驗(yàn)條件不變的情況下，又制備了同樣結(jié)構(gòu)但厚度分別為500197。這一亮度值較傳統(tǒng)的OLED低，但開啟電壓也明顯降低。(b)給出了該器件的亮度一電壓特性曲線。由圖可見，該器件同典型的OLED一致也具有發(fā)光二極管的IV特性，說(shuō)明有機(jī)層的反轉(zhuǎn)并沒有改變其I一V特性。濺射沉積的ITO表面方塊電阻為80一100Ω/口，具有80%一90%的光透過率。 陽(yáng)極的濺射最后，將樣品放置在刻有圖形的掩模版下進(jìn)行陽(yáng)極磁控濺射(rfmagnetronsputtering)。以前曾有人報(bào)道過用ITO電極沉積在薄膜表面的光探測(cè)結(jié)構(gòu)中使用PTCDA能夠承受ITO濺射，使之對(duì)其傳導(dǎo)性能產(chǎn)生最小的衰減。接著，它有與TPD相類似的結(jié)果。 陰極的蒸鍍，在真空度為10 torr的條件下，蒸發(fā)1000197。然而，這種TOLED形成了陽(yáng)極的底部接觸層，而通常對(duì)顯示驅(qū)動(dòng)器是用的n溝場(chǎng)效應(yīng)晶體管，因此，理想的做法是OLED的底接觸層是陰極。以前，曾有人論證過生長(zhǎng)在硅基上具有透明ITO頂電極和半透明的Au和Al頂電極的表面發(fā)射聚合物基的OLED。由于典型的OLEDs是制造在玻璃襯底上的，它與硅器件的集成變得極為困難，為了使OLED更好的應(yīng)用在低成本的主動(dòng)式矩陣顯示中，人們對(duì)那些能與像素電子集成的器件的結(jié)構(gòu)的研究也日益重視，并且隨著OLED的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用，尋找一種能使OLED與其配套的半導(dǎo)體元器件集成的方法變得十分重要。集成光路同用分立光學(xué)元件構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)相比，也具有明顯的優(yōu)點(diǎn)?！　【C觀全球OLED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，當(dāng)前我國(guó)政府還應(yīng)該加大OLED 產(chǎn)業(yè)的支持力度，重點(diǎn)加強(qiáng)有機(jī)發(fā)光材料、裝備及面板制備工藝等環(huán)節(jié)核心技術(shù)研發(fā)和自主創(chuàng)新，積極參與全球OLED 標(biāo)準(zhǔn)的制定，從而為我國(guó)在OLED 這一新型技術(shù)領(lǐng)域搶占一席之地。我國(guó)大陸很多地方和企業(yè)加大對(duì)OLED產(chǎn)業(yè)的投入，加快了OLED技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大，將會(huì)快速培養(yǎng)起一批能夠盡早參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的企業(yè)，形成突破點(diǎn)和帶動(dòng)效應(yīng)，大大縮短“中國(guó)創(chuàng)造”屹立于世界先進(jìn)行列的進(jìn)程，使中國(guó)成為國(guó)際光電顯示產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)。 目前國(guó)外具有TFT研發(fā)和生產(chǎn)能力的企業(yè)均投入大量的人力物力進(jìn)行AMOLED的研發(fā)工作，并先后制定了AMOLED戰(zhàn)略和技術(shù)規(guī)劃，整體工作在穩(wěn)步推進(jìn)。中國(guó)大陸工業(yè)基礎(chǔ)薄弱，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不完善，關(guān)鍵的材料、設(shè)備、零組件等都需要從國(guó)外進(jìn)口，這導(dǎo)致產(chǎn)品成本優(yōu)勢(shì)降低。面對(duì)日新月異的科學(xué)技術(shù)變革、面對(duì)日益強(qiáng)化的資源環(huán)境約束、面對(duì)以創(chuàng)新和技術(shù)升級(jí)為主要特征的激烈國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，我們看到，我國(guó)大陸整體自主創(chuàng)新能力水平還不高，與創(chuàng)新型企業(yè)相比，大陸企業(yè)的自主創(chuàng)新能力雖然近年來(lái)得到了明顯加強(qiáng)，但總體水平還很薄弱，依然面臨著許多因素的困擾：一是資金缺乏，研發(fā)投入不足；二是激勵(lì)制約機(jī)制不完善、高素質(zhì)技術(shù)人才缺乏、技術(shù)市場(chǎng)不健全；三是缺乏創(chuàng)新的社會(huì)氛圍和意識(shí)；四是企業(yè)科技自主創(chuàng)新相關(guān)的政策環(huán)境不完善；五是近半數(shù)企業(yè)遭遇知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛；六是產(chǎn)學(xué)研缺乏溝通；七是自主創(chuàng)新服務(wù)體系不健全、服務(wù)能力有限等等。小型單色有機(jī)電致發(fā)光器件基本上都是三層結(jié)構(gòu)。對(duì)于聚合物電致發(fā)光過程則解釋為1在電場(chǎng)的作用下，將空穴和電子分別注入到共軛高分子的最高占有軌道（HOMO）和最低空軌道（LUMO），于是就會(huì)產(chǎn)生正、負(fù)極子，極子在聚合物鏈段上轉(zhuǎn)移，最后復(fù)合形成單重態(tài)激子，單重態(tài)激子輻射躍遷而發(fā)光。其中本身能發(fā)生輻射躍遷發(fā)光的那部分只是所吸收的總體能量中很小的一部分，即總體吸收的能量中能夠轉(zhuǎn)化為電致發(fā)光部分的能量很少。 。　為了提高器件的效率和壽命, , 制作出從單層到多層的OL ED, 而且近年來(lái)將研究熱點(diǎn)集中在從微觀上對(duì)構(gòu)成OL ED 的層與層內(nèi)表面的相互作用進(jìn)行研究, 提高有機(jī)材料功能層與無(wú)機(jī)ITO 玻璃表面、陰極表面及各有機(jī)功能層間的附著性, 使得來(lái)自陽(yáng)極和陰極的載流子更容易注入到有機(jī)功能薄膜中。OL ED 的發(fā)光過程可以看作是分以下四個(gè)過程完成的, 如圖6: 有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光過程由以下幾個(gè)階段完成:l)載流子的注入:在外加電場(chǎng)的條件下，兩種載流子電子和空穴分別由陰極和陽(yáng)極向夾在電極間的有機(jī)功能薄膜層注入。采用雙層、三層甚至多層結(jié)構(gòu)的OLED, 能充分發(fā)揮各功能層的作用, 調(diào)節(jié)空穴和電子注入到發(fā)光層的速率, 使注入的電子和空穴限制在發(fā)光層處發(fā)生復(fù)合, 可提高器件的發(fā)光效率。 ELL 2空穴傳輸層。為了增加空穴和電子的復(fù)合幾率, 提高器件的效率和壽命,OLED 的結(jié)構(gòu)從簡(jiǎn)單的單層器件發(fā)展到雙層器件、三層器件甚至多層器件, 。陽(yáng)極一般使用功函數(shù)較高的材料即氧化銦 氧化錫( ITO )。“共軛高聚物”技術(shù)則可采用淀積光致抗蝕劑層的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)制備在襯底上，而且電極可用涂層機(jī)印在薄膜上。這是目前常用的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)類型。根據(jù)發(fā)光材料的載流子注入和傳輸特性的不同，有機(jī)電致發(fā)光器件可以分為單層和多層膜夾心式等不同結(jié)構(gòu)類型。當(dāng)直流電壓施于這兩極時(shí)，從負(fù)極注入電子，從正極拉走電子——相當(dāng)于從正極注入空穴。另外, 它還可以作為新型光源使用。 可以采用樹脂作為基板, 制備可折疊的柔性顯示器。(2) 主動(dòng)發(fā)光, 視角范圍大, 接近于180176?！∮袡C(jī)EL 器件的結(jié)構(gòu)示意圖 引言有機(jī)電致發(fā)光( OLE )就是指有機(jī)材料在電流或電場(chǎng)的激發(fā)作用下發(fā)光的現(xiàn)象。 MPa 的真空下蒸鍍?cè)赑VCZ 膜上, 在同樣條件下將金屬Al 蒸鍍?cè)谀ど?。有了它，移?dòng)設(shè)備就不再受顯示器體積大、耗電多的限制。工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合：主要應(yīng)用有各類儀器儀表、手持設(shè)備等的顯示屏。計(jì)算機(jī)領(lǐng)域：主要有家用和商用計(jì)算機(jī)(PC/工作站等)、PDA和筆記本電腦的顯示屏。 OLED的應(yīng)用OLED對(duì)我們來(lái)說(shuō)可能還是一個(gè)新的名詞，但實(shí)際上我們或許已經(jīng)在使用它，只是并不知道而已。2008年10月，由清華大學(xué)組建的維信諾公司在昆山成功建成中國(guó)內(nèi)地第一條OLED大規(guī)模生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了小尺寸OLED顯示屏的量產(chǎn)。 所示。 進(jìn)入21 世紀(jì)，人們需要性能更好、更能符合未來(lái)生活需求的新一代平板顯示器，以迎接所謂的“4C”，即計(jì)算機(jī)(puter)、通信(munication)、消費(fèi)電子(consumer electronics)、汽車電子(carelectronics)以及“3G”時(shí)代。直到1990年，才由Burroughes及其合作者研究成功第一個(gè)高分子有機(jī)EL器件。1987年，Kodak公司最早發(fā)表其研究成果，此后，全世界許多企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開始致力于小分子OLED器件和相關(guān)課題的研究，有關(guān)的專著文獻(xiàn)和專利的數(shù)量每年成百上千地遞增。OLED與LCD一樣，也有主動(dòng)式和被動(dòng)式之分。 　　不過，雖然將來(lái)技術(shù)更優(yōu)秀的OLED會(huì)取代TFT等LCD，但有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)還存在使用壽命短、屏幕大型化難等缺陷。 　　OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無(wú)需背光燈，具有自發(fā)光的特性,采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,OLED未來(lái)的發(fā)展必將沿著小尺寸—中尺寸—大尺寸—超大尺寸、單色—多色—彩色、無(wú)源—有源、硬屏軟屏的脈絡(luò)進(jìn)行發(fā)展, 最理想的OL ED 顯示器應(yīng)該是TFTOLED。(6) AMOLED 技術(shù)AMOLED采用的基板業(yè)界有三個(gè)方向, 一個(gè)是對(duì)傳統(tǒng)的a2SiTFT 進(jìn)行改進(jìn), 二是開發(fā)載流子遷移率高的L TPSTFT 技術(shù), 三是開發(fā)OTFT。IC 作為OLED 器件的上游原材料, 其發(fā)展是與器件的發(fā)展相一致的。制約其發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)是驅(qū)動(dòng)IC 和面板制備技術(shù)。近來(lái),OLED柔軟顯示器引起全球的高度關(guān)注。OLED的彩色化方案主要有“RGB 三色發(fā)光法”、以藍(lán)光材為基礎(chǔ)的“色變換法”和以白光發(fā)光層搭配彩色濾光片的“白光法”等。 。在高分子發(fā)光材料方面,黃色發(fā)光聚合物, 發(fā)光效率可達(dá)到35cd/197。目前OLED 的發(fā)展主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:(1) 發(fā)光材料　發(fā)光材料主要有小分子發(fā)光材料和高分子發(fā)光材料,小分子發(fā)光材料可以分為熒光材料、磷光材料。PLED 的發(fā)展始于1990年,由于聚合物薄膜可以采用旋涂、噴墨印刷等方法制備,因此有可能大大地降低器件生產(chǎn)成本,但目前該技術(shù)遠(yuǎn)未成熟。 其中, Braun 等用PPV 的衍生物制成了量子效率為1%的綠色和橙色光輸出, 其驅(qū)動(dòng)電壓約為3V. 這些工作都極大推進(jìn)了有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)展, 從而使得有機(jī)電致發(fā)光的研究在世界范圍內(nèi)廣泛地開展起來(lái)。直到1987 年, Tang 和VanSlyke 采用8羥基喹啉鋁絡(luò)合物() 作為發(fā)光層, 分別用IT O 電極和Mg : Ag 電極作為陽(yáng)極和陰極, 制成了高亮度( 1 000cd/ m2 ) , 高效率( 1. 5 lm/ W) 的綠光有機(jī)電致發(fā)光薄膜器件, 其驅(qū)動(dòng)電壓降到了10V 以下,從而取得了有機(jī)電致薄膜發(fā)光器件研究史上劃時(shí)代的進(jìn)展。OLED和IEL的發(fā)光效率和壽命等方面還沒有達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的要求。由相反電極注入載流子隨后在發(fā)光層復(fù)合輻射躍遷的有機(jī)電致發(fā)光(OLED)。最后概述了器件的技術(shù)進(jìn)展和應(yīng)用前景, 并展望了未來(lái)OLED 發(fā)展的方向。因此，理想的做法是研發(fā)一種OLED，其光的發(fā)射由器件頂部的透明電極透出。蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）摘要OLED 具有全固態(tài)、主動(dòng)發(fā)光、高對(duì)比度、超薄、低功耗、無(wú)視角限制、響應(yīng)速度快、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍寬、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示和3D 顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，將成為未來(lái)20 年最具“錢景”的新型顯示技術(shù)。典型的傳統(tǒng)OLED是生長(zhǎng)在透明的陽(yáng)極例如ITO玻璃上的，發(fā)射出來(lái)的光是由最底層襯底透出，這使得它與其他電子元件如硅基顯示驅(qū)動(dòng)器的集成變得非常復(fù)雜。為了進(jìn)一步改善器件性能，我們對(duì)器件增加了保護(hù)層(PL)，研究了PL對(duì)OILED器件性能的影響。通過碰撞發(fā)光材料而激發(fā)的無(wú)機(jī)電致發(fā)光(IEL)。但是，LED還不能實(shí)現(xiàn)精細(xì)化顯示。 有機(jī)電致發(fā)光的研究起步于60 年代, Pope 首次在蒽單晶上實(shí)現(xiàn)了電致發(fā)光, 但由于當(dāng)時(shí)需要在大于100V 的驅(qū)動(dòng)電壓下才能觀察到明顯的發(fā)光現(xiàn)象, 且量子效率也很低, 還由于受各種條件的制約, 未能很好地解決成膜質(zhì)量差和電荷注入效率低等問題,所以有機(jī)電發(fā)光的發(fā)展一直處于停滯不前的狀態(tài)。 由于聚合物材料的制作工藝、穩(wěn)定性以及化學(xué)修飾性都比有機(jī)小分子更為優(yōu)越, 所以聚合物PPV 以及PPV 衍生物材料的研究進(jìn)一步地推動(dòng)了有機(jī)電致發(fā)光薄膜的研究, 使之成為新的研究熱點(diǎn)。小分子OLED 技術(shù)發(fā)展得較早(1987 年) , 因而技術(shù)也較為成熟。就器件的壽命而言,有機(jī)發(fā)光顯示器件已經(jīng)可以滿足實(shí)際應(yīng)用的要求。Pioneer 的紅色磷光材料,初始亮度在700cd/㎡ 時(shí),壽命預(yù)計(jì)超過30000h。綠色磷光材料的Host 材料, 使發(fā)光效率達(dá)到了24cd/197。(2) 彩色化實(shí)現(xiàn)彩色技術(shù)的突破是OLED 展的關(guān)鍵。要實(shí)現(xiàn)柔軟顯示需要解決的主要問題是電極層以及有機(jī)層的附著性能、基板的氣密性和封裝技術(shù)。是全球研究開發(fā)的又一熱點(diǎn)。實(shí)力比較強(qiáng)的是美國(guó)的Clair 公司和中國(guó)香港的Solomon公司,中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)也有很多公司在從事OLED 專用IC 的設(shè)計(jì)工作。 彩色驅(qū)動(dòng)IC 難度較大, 仍需要改進(jìn)?？傊?OLED的技術(shù)發(fā)展方向是解決器件的成品率、壽命和彩色化問題。鄧教授也因此被稱為“OLED之父”。而低分子OLED則較易彩色化，不久前三星就發(fā)布了65530色的手機(jī)用OLED。每個(gè)OLED的顯示單元都能受控制地產(chǎn)生三種不同顏色的光。主動(dòng)式OLED應(yīng)該比被動(dòng)式OLED省電，且顯示性能更佳。對(duì)高分子有機(jī)EL的研究工作比對(duì)小分子有機(jī)EL的研究，起步要晚得多。 OLED在手機(jī)上的應(yīng)用又極大地推動(dòng)其技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用范圍的迅速擴(kuò)大，對(duì)現(xiàn)有的LCD、LED和VFD提出強(qiáng)有力的挑戰(zhàn)。OLED因自身多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，符合未來(lái)平板顯示技術(shù)的發(fā)展方向