【正文】 單位是： m/s 影響淀積速率的主要參數(shù)： 1) 被蒸發(fā)材料本身的性質(zhì) 2) 淀積溫度：溫度越高，飽和蒸氣壓越高 3) 真空室和坩鍋的幾何形狀 ? ?22 42 rATPkMRkR eMNd????????常用蒸發(fā)系統(tǒng) ?分類：主要有電阻式蒸發(fā) 、 高頻感應(yīng)式蒸發(fā)和電子束蒸發(fā) 1) 電阻式蒸發(fā)原理 ：采用鉭、鉬、鎢等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把蒸發(fā)材料放入 陶瓷或氧化鈹坩鍋 中進(jìn)行直接加熱。不僅可以得到高的能量密度而且易于控制，應(yīng)用較為方便， 缺點(diǎn)是體積大、成本高、蒸發(fā)材料會污染槍體， 可以采用在電子束出口設(shè)置偏轉(zhuǎn)磁場 ，如下圖，并在燈絲部位設(shè)置獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)，不但避免了燈絲對膜層的污染而且可以延長槍的壽命。 3) 用途：經(jīng)常用于制作高熔點(diǎn)的化合物，在空氣或氧氣氛中蒸發(fā) SiO制作 SiO2，在 N2氣氛中蒸發(fā) Zr得到 ZrN薄膜，在 ArN2中得到 AlN薄膜，在CH4氣氛中得到 SiC薄膜等 反應(yīng)蒸發(fā)法示意圖 ?蒸發(fā)工藝的局限性 ?淀積薄膜的速率限制：高速率與均勻性的矛盾 ?淀積薄膜材料純度的限制 ?淀積薄膜臺階覆蓋性的限制 當(dāng)表面吸附原子移動(dòng)率低時(shí)，陰影效應(yīng)會造成嚴(yán)重的臺階覆蓋問題。 6) 電子束蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)形式： 環(huán)形槍、直槍（皮爾斯槍）、e型槍和空心陰極電子槍等幾種 。 物質(zhì)的飽和蒸氣壓 隨溫度的上升而增大 ， 在一定溫度下 ， 各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同 ， 且具有恒定的數(shù)字 ， 相反一定的飽和蒸氣壓必定對應(yīng)一定的物質(zhì)溫度 。 ? 任何方法都有一定的測量范圍，這個(gè)范圍就是該真空計(jì)的 量程 。如此不斷進(jìn)行吸氣、壓縮和排氣，于是和機(jī)械泵連接的真空容器便獲得了真空。 ?標(biāo)準(zhǔn)大氣壓 ：在溫度為 20℃ ，相對濕度為 60％時(shí)的大氣壓強(qiáng)， 1 atm＝ 101325Pa＝ ＝ 760torr， ?壓強(qiáng)單位 ： 帕斯卡 (Pa)：國際單位制壓強(qiáng)單位， 1Pa=1N/m2 標(biāo)準(zhǔn)大氣壓（ atm）： 1 atm＝ 101325Pa 乇 (Torr)： 1torr＝ 1 /760atm＝ 1mmHg 毫巴 (mbar)： 1mbar=102Pa ? 真空度 ：低于大氣壓的氣體稀薄程度。 ? 真空區(qū)域劃分 ：粗真空、低真空、高真空、超高真空 1) 粗真空 （ 1 105Pa～ 1 102Pa），氣態(tài)空間的特性和大氣差不多，氣體分子的平均自由程短； 2) 低真空 （ 1 102Pa～ 1 10－ 1Pa），每立方厘米的氣體分子數(shù)為 1016～ 1013個(gè)，此真空區(qū)域由于分子數(shù)減少，分子的平均自由程和容器的尺寸相當(dāng)； 3) 高真空 （ 1 10－ 1Pa～ 1 10－ 6Pa），氣體分子的平均自由程大于一般容器的線度。 4) 為減小有害空間的影響，通常采用雙級泵。目前還沒有一種真空計(jì)能夠測量從大氣到10－ 10Pa的整個(gè)領(lǐng)域的真空度。 常用材料的飽和蒸氣壓 ?蒸發(fā)速率 2) 蒸發(fā)速率取決于離開蒸發(fā)源的材料有多少；到達(dá)基板材料有多少 ? 熱平衡狀態(tài)，單位時(shí)間內(nèi)通過單位面積表面的氣體分（原）子數(shù)為： 其中 P是壓強(qiáng)， M是氣體分子的質(zhì)量 單位時(shí)間內(nèi)坩鍋中蒸發(fā)材料質(zhì)量的 消耗速率 可寫為： 其中 ,Pe是蒸發(fā)材料的飽和蒸氣壓， T是材料溫度 假設(shè)材料溫度近似為恒定，同時(shí)面積 A恒定，則有： 為固定值 k T MPJn?22?dATPkMdAPkTMR eeML ?? ??