【正文】 半波的峰值約為第一個(gè)半波峰值的 80% 1 0 u / Um Tcr T2 t u 0 Um Tcr t Tcr=1000 ～ 1500us 標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊電壓波 二、伏秒特性 氣隙的伏秒特性 —— 在同一波形，不同幅值的沖擊電壓作用下，氣隙上出現(xiàn)的電壓 最大值 和放電時(shí)間的關(guān)系，稱為該氣隙的伏秒特性。 用作絕緣的氣隙，人們所關(guān)心的不僅是其 U50%擊穿電壓，更重要的是其耐受電壓即能確保耐受而不被擊穿的電壓。 大氣中的水分子能夠俘獲自由電子而形成負(fù)離子，這對氣體的放電過程起著抑制作用，可見大氣的濕度越大，氣隙的擊穿電壓也會增高。 (一 )直流電壓作用下 總結(jié)： 負(fù)板正棒棒棒正板負(fù)棒 ??? ?? UUU（二）工頻電壓作用下 : 表示中等距離空氣間隙的工頻擊穿電壓曲線 圖 352 棒 — 棒和棒和板空氣間隙的 工頻擊穿電壓與間隙距離的關(guān)系 結(jié)論 : 擊穿總是發(fā)生在棒極為正半波時(shí)。 應(yīng)用：真空斷路器中用作絕緣和滅弧。用于高壓斷路器、高壓充氣電纜、高壓電容器等，以及用 SF6絕緣的全封閉組合電器。 ： 在較高溫度下，固體介質(zhì)會逐漸熱老化。 一、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的必要性 絕緣試驗(yàn)按后果分可分為 :非破壞性試驗(yàn)和破壞性試驗(yàn) . ① 非破壞性試驗(yàn)主要檢測絕緣除電氣強(qiáng)度以外的其他電氣性能 ,是在較低電壓下或用其他不損傷絕緣的方法進(jìn)行的 ,具有非破壞性的特性 . ② 破壞性試驗(yàn)則檢測絕緣的電氣強(qiáng)度 ,如耐壓試驗(yàn)和擊穿試驗(yàn) ,具有破壞性的特征 ,所加的試驗(yàn)電壓很高 ,以考驗(yàn)絕緣耐受各種過電壓的能力 ,試驗(yàn)過程有可能給被試絕緣帶來不可逆轉(zhuǎn)的局部損傷或整體損壞 . 為了準(zhǔn)確全面的掌握電氣設(shè)備絕緣的狀態(tài)和性能 ,這兩類試驗(yàn)都是不可缺少的 ,為了避免不必要的損失 ,一般將破壞性耐壓試驗(yàn)放到非破壞性試驗(yàn)合格通過之后再進(jìn)行 二、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的定義 三、電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)的分類： 絕緣試驗(yàn) 檢查性試驗(yàn) （非破壞性試驗(yàn)） 耐壓試驗(yàn) （破壞性試驗(yàn)） 的測量 167。 一、泄 漏 電流測量的特點(diǎn) : 1．加在試品上的直流高壓比兆歐表的工作電壓高得多 ,能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的某些缺陷。 ） 注意： 在反接線的情況下 , 此時(shí) R3,C4,檢流計(jì) P和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護(hù)措施。 調(diào)節(jié) R3和 C4，使電橋達(dá)到平衡，即通過檢流計(jì) P的電流為零，此時(shí)有 UFA/UAD=UFB/UBD。如果絕緣良好，則比值應(yīng)大于某一定值。又稱為 小橋理論。 ：如注意防潮，防止塵污和各種有害氣體的侵蝕，加強(qiáng)散熱冷卻。 ⑶ 對環(huán)境無明顯的負(fù)面影響 。 不僅要注意改善高壓電極的形狀以降低該電極旁邊的局部場強(qiáng)，還要注意改善接地電極和中間電極的形狀，以降低該電極旁邊的局部場強(qiáng)。 二、不均勻電場氣隙的擊穿電壓 不均勻電場的特征：各處場強(qiáng)差別很大，在所加電壓小于整個(gè)間隙擊穿電壓時(shí)，可能出現(xiàn)局部的持續(xù)的放電。當(dāng) δ處于 ～ ，氣隙的擊穿電壓幾乎與 δ成正比，即此時(shí)的空氣密度校正因數(shù) Kd ≈δ，因而 U ≈δU0 氣隙不長（例如不超過 1m）時(shí)，上式能足夠精確的使用于各種電場形式和各種電壓類型下近似的工程估算。這個(gè)原則如用于保護(hù)裝置和被保護(hù)設(shè)備，那就是前者保護(hù)了后備。 20%；半峰值時(shí)間 T2=2500μs, 容許偏差177。 tlag = ts + tf tlag—— 放電時(shí)延 第七節(jié) 放電時(shí)間和沖擊電壓下的氣隙擊穿 一、放電時(shí)間 ts t1 tf tlag tb U u t 167。 （二）工頻交流電壓 工頻交流試驗(yàn)電壓應(yīng)近似為正弦波，正負(fù)兩半波相 同，其峰值與有效值之比應(yīng)在 以內(nèi)。 伏秒特性曲線 —— 表示該氣隙伏秒特性的曲線，稱為伏秒特性曲線。 100%的耐受電壓是很難測的（要做無窮次的實(shí)驗(yàn)），工程實(shí)際中常用對應(yīng)于很高耐受幾率 (例如 99％以上 )的電壓作為耐受電壓。在均勻和稍不均勻電場中，放電開始時(shí)，整個(gè)氣隙的電場強(qiáng)度都很大，電子運(yùn)動速度較快，不易被水分子俘獲，因而濕度影響不太明顯，可以忽略不計(jì)。 結(jié)論 : 氣隙較大時(shí)（ S大于 ），擊穿電壓與距離關(guān)系出現(xiàn)了明顯的飽和趨向，特別是棒 — 板氣隙，其飽和趨向更明顯。 三、 增高氣壓 增高氣體的壓力可以減小電子的平均自由行程，阻礙撞擊游離的發(fā)展．從而提高氣隙的擊穿電壓。 五、 SF6氣體的應(yīng)用 SF6氣體除了具有很高的電氣強(qiáng)度以外，還具有優(yōu)異的滅弧能力。熱老化的主要過程為熱裂解、氧化裂解、交聯(lián)、以及低分子揮發(fā)物的進(jìn)出。 51 測定絕緣電阻 絕緣電阻是反映絕緣性能的最基本的指標(biāo)之一，通常用兆歐表來測量。 2．兆歐表刻度的非線性度很強(qiáng)，尤其在接近高量程段，刻度甚密，難以精確分辨。 A P B CN Cx Rx R3 R4 C4 C D U 反接線 正接線 三、 tgδ 測量準(zhǔn)確度的影響因素 ㈠本試驗(yàn)高壓電源對橋體雜散電容的影響。 一、測試電路 圖 532 西林電橋基本原理電路圖 Cx、 Rx：被試品的等值電容和電阻； R3 ：可調(diào)無感電阻； CN ：高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容； C4 ：可調(diào)電容； R4 ：定值無感電阻（一般取 R4=10000/π 歐姆）； P ：交流檢流計(jì)。即 作為相互比較的共同標(biāo)準(zhǔn)。如果許多電離的氣泡在電場中排列成氣體小橋，擊穿就可能在此通道中發(fā)生。這可以通過精選材料、改善工藝、真空干燥、加強(qiáng)浸漬等方法來實(shí)現(xiàn)。不易腐蝕其他材料，不易燃，不易爆，無毒，即使在放電的過程中