【正文】 當(dāng)一條指令訪問 7EH以上的內(nèi)部地址單元時(shí)，指令中使用的尋址方式不同的，也即尋址方 9 式?jīng)Q定是訪問高 128字節(jié) RAM還是訪問特殊功能寄存器。需要注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會鎖存 EA端狀態(tài)。 RST： 復(fù)位輸入。 P1口： P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P1的 輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門電路。 2 個(gè) 16 位定時(shí) /計(jì)數(shù)器 。 5 個(gè)中斷源 。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流 I。當(dāng)震蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 如 EA端高電平（接 VCC）， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器。數(shù)據(jù)存儲器： AT89C51有 256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部 RAM， 80HFFH高 128個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（ SFR）地址是重疊的，也就是高 128字節(jié)的 RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上他們是分開的。欲使 CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為 0000HFFFFH）， EA端必須保持低電平（接地）。 。 。 32 個(gè)可編程 I/O 口線 ?？删幊檀型ǖ? 。 FLASH編程和程序校驗(yàn)期間， P1接受低 8位地址。 。 FLASH存儲器編程時(shí)，該引腳加上 +12V的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓 VPP。 例如，下面的直接尋址指令訪問特殊功能寄存器。 。 EA/VPP： 外部訪問允許。 P3口除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： 端口引腳 第二功能 RXD(串行輸入口 ) TXD(串行輸出口 ) INTO(外中斷 0) INT1(外中斷 1) T0(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù) 器 1) WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通 ) 此外， P3口還接受一些用于 FLASH閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。 在 FLASH 編程時(shí)， P0 口接受指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求接上拉電阻。 256*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM 。低功耗空閑和掉電模式 AT89C51 是美國 AMTEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 8KBYTES 的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲器（ EPROM）和 256BYTES 的隨機(jī)存 取數(shù)據(jù)存儲器（ RAM），器件采用ATMEL 公司的高密度，非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn) MCS51 指令系統(tǒng)及 8051 產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器（ CPU）和 FLASH 存儲單元，功能強(qiáng)大 AT89C51 單片機(jī)適合于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場合。 。 ALE/PROG： 當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時(shí)， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。 。 MOV 0A0H， DATA 間接尋址指令訪問高 128字節(jié) RAM，例如，下面的間接尋址指令中， R0的內(nèi)容為 0A0H，則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為 0A0H，而不上一 P2口（ OAOH）。中斷寄存器： AT89C51有 5個(gè)中斷源， 2個(gè)中斷優(yōu)先級， IE寄存器控制各中斷 位， IP寄存器中 5個(gè)中斷源的每個(gè)可定為 2個(gè)優(yōu)先級。 。此時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ I）。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或者程序存儲器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在 訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。全靜態(tài)操作： 0HZ12MHZ 。 6 功能特性概述： AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 4K 字節(jié) FLASH 閃速存儲器， 256 字節(jié)內(nèi)部 RAM， 2 個(gè) 16 位定時(shí) /計(jì)數(shù)器，一個(gè) 6 向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)震蕩器及時(shí)鐘電路。 P2口 ： P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P2的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門電路。一般情況下， ALE仍一時(shí)鐘震蕩頻率的 1/6輸出固定的脈沖信號，因?yàn)樗鼘ν廨敵鰰r(shí)鐘或用于定時(shí)目的。 XTAL1： 振蕩 器反相放大器的 及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 MOV R0， DATA 堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高 128位數(shù)據(jù) RAM也可作為堆棧使用。 。在次期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器 ，將跳過兩次 PSEN信號。對 P3口寫入“ 1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻高并可作為輸入口。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8 個(gè) TTL 邏輯門電路，對端口 P0 寫“ 1”時(shí)，可作為高阻抗輸入端用。 1000 次擦寫周期 。同時(shí)， AT89C51 可降至 0HZ 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電 工作模式。對端口 P2寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸出口，作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一 7 個(gè)電流（ I）。要注意的是：每個(gè)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)將跳 過一個(gè) ALE脈沖。 。 。 不應(yīng)該將數(shù)據(jù)“ 1”寫入為定義的單元，由于這些單元在將來的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，