【正文】 對(duì)于 TO92 子系列 a (TO92a): 1=發(fā)射極 2=集電極 3=基極 對(duì)于 TO92 子系列 b (TO92b): 1=發(fā)射極 2=基極 3=集電極 更容易使人搞亂的是一些晶體管只有兩個(gè)管腳（第三個(gè)管腳已在里邊和外殼連接）；一些和晶體管的外形很像的外殼底部有三個(gè)以上的管腳。 要讓電路正 常工作，當(dāng)然，加在基極電路和集電極電路的電壓極性必須正確（基極電路加正向偏置電壓，集電極電源的連接要保證公共端（發(fā)射極）的極性與兩個(gè)電壓源的極性相同）。在這種情況下，其所起的作用和二極管所起的作用一模一樣。從某種意義上說，使用運(yùn)算放大器是以 “ 能量 ” 為代價(jià)來換取 “ 控制 ” 。差分的意思是：相對(duì)于接零管腳的輸出電壓可由下式表示 U0=A（ U+U） (12A1) 式中 A 是運(yùn)算放大器的增益， U+ 和 U是輸入電壓。設(shè)計(jì)運(yùn)算放大器或 OpAmp 的目的就是使它盡可能的減少對(duì)其內(nèi)部參數(shù)的依賴性、最大程度地簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作。working39。 or 39。triangle39。 理想運(yùn)算放大器的符號(hào)如圖 12A1所示。首先，注意到在正極輸入的電壓 U +等于電源電壓，即 U+ =US。 PNP 或 NPN被用于描述晶體管的兩個(gè)基本類型。（注意：本定義僅適用于發(fā)射極是兩個(gè)電路的公共端時(shí) 被稱為共發(fā)射極連接。 盡管現(xiàn)在生產(chǎn)的晶體管有上千種不同的型號(hào)，但晶體管各種外殼形狀的數(shù)量相對(duì)有限，并盡量用一種簡(jiǎn)單碼 TO（晶體管外形）后跟一個(gè)數(shù)字為統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。 。也就是說，發(fā)射極相對(duì)于基極和集 電極來說極性總是負(fù)的（在 NPN型晶體管中， “ N”代表負(fù)）。 因此，當(dāng)晶體管外加電壓接連正確（圖 12B3）后工作時(shí)，實(shí)際上存在兩個(gè)獨(dú)立的 “ 工作 ” 電路。晶體管以類似的方式形成，就象帶有公共中間層、背靠背的兩個(gè)二極管，公共中間層是以對(duì)等的方式向兩個(gè)邊緣層滲入而得，因此中間層比兩個(gè)邊緣層或邊緣區(qū)要薄的多。也就是說運(yùn)算放大器的輸出是一個(gè)理想的電壓源。在電路和電子學(xué)教科書中，也說明了如何用運(yùn)算放大器建立簡(jiǎn)單的濾波電路。can39。doped39。 and the emitter through base to collector circuit the output side. Although these have a mon path through base and emitter, the two circuits are effectively separated by the fact that as far as polarity of the base circuit is concerned, the base and upper half of the transistor are connected as a reverse biased diode. Hence there is no current flow from the base circuit into the collector circuit. For the circuit to work, of course, polarities of both the base and collector circuits have to be correct (forward bias applied to the base circuit, and the collector supply connected so that the polarity of the mon element (the emitter) is the same from both voltage sources). This also means that the polarity of the voltages must be correct for the type of transistor. In the case of a PNP transistor as described, the emitter voltage must be positive. It follows that both the base and collector are negatively connected with respect to the emitter. The symbol for a PNP transistor has an arrow on the emitter indicating the direction of current flow, always towards the base. (39。就此而言，我們不再描述這些元件的內(nèi)部工作原理。 集成電路技術(shù)使得在非常小的一塊半導(dǎo)體材料的復(fù)合 “芯片 ” 上可以安裝許多放大器電路。 1) 第一個(gè)定律指出：在一般運(yùn)算放大器電路中，可以假設(shè)輸入 端間的電壓為零，也就是說， U+ =U 2) 第二個(gè)定律指出：在一般運(yùn)算放大器電路中，兩個(gè)輸入電流可被假定為零： I+ =I =0 第一個(gè)定律是因?yàn)閮?nèi)在增益 A的值很大。在加正向偏置電壓的情況下，如圖 12B2所示的 PNP 晶體管，電流從底部的 P極流到中間的 N極。在上述的 PNP 型晶體管中，發(fā)射極電壓必須為正。更復(fù)雜的集成電路（ ICs）用不同形狀的外殼包裝，例如平面包裝。使人容易搞亂的問題是同一 TO 號(hào)碼的子系列產(chǎn)品其管腳位置是不一樣的 。 在這種工作方式中，基極 發(fā)射極電路是輸入側(cè)；通過基極的發(fā)射極和集電極電路是輸出側(cè)。事實(shí)上，保留這個(gè)外部電壓并去掉上半部分，晶體管將會(huì)象二極管一樣工作。這是運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)的重要特征之 在信號(hào)作用下，電路的動(dòng)作僅取決于能夠容易被設(shè)計(jì)者改變的外部元件，而不取決于運(yùn)算放大器本身的細(xì)節(jié)特性。每一個(gè)電壓均指的是相對(duì)于接零管腳 的電位。、β、 Ri、 R0等 )的內(nèi)部特性。N39。 or positive charges (P type). A single crystal of germanium or silicon treated with both Ntype dope and Ptype dope forms a semiconductor diode, with the working characteristics described. Transistors are formed in a similar way but like two diodes backtoback with a mon middle layer doped in the opposite way to the two end layers, thus the middle layer is much thinner than the two end layers or zones. Two configurations are obviously possible, PNP or NPN (Fig. 12Bl). These descriptions are used to describe the two basic types of transistors. Because a transistor contains elements with two different polarities (., 39。can39。讓運(yùn)算放大器正常運(yùn)行所必需的其它一些管腳，諸如電源管腳、接零管腳等并未畫出。對(duì)圖 12A2b 的外回路應(yīng)用基爾霍夫定律，注意輸出電壓 U0 指的是它與接零管 腳之間的電位，我們就可得到 I1R1I2R2+U0=0 (12A2) 因?yàn)檫\(yùn)算放大器是按照沒有電流流入正輸入端和負(fù)輸入端的原則制作的，即I =0。 一個(gè)晶體管有三個(gè)區(qū)域，并從這三個(gè)區(qū)域引出三個(gè)管腳。但是，在每一種情況下晶體管的工作原理是相同的。觀看底部時(shí)， “ 三角形 ” 上面的管腳是基極，其右面的管腳（由一個(gè)彩色點(diǎn)標(biāo)出）為集電極，其左面的管腳為發(fā)射極。功率晶體管只有兩個(gè)管腳（發(fā)射極和基極），通常會(huì)標(biāo)明。（在 PNP 型晶體管中， “ P”代表正）。實(shí)際上，當(dāng)晶體管下半部為正向偏置時(shí)，底部的 P 區(qū)就像一個(gè)取之不竭的自由電子源（因?yàn)榈撞康?P 區(qū)發(fā)射電子，所以它被稱為發(fā)射極）。 B 晶體管 簡(jiǎn)單地說，半導(dǎo)體是這樣一種物質(zhì)，它能夠通過 “ 摻雜 ” 來產(chǎn)生多余的電子，又稱自由電子（ N 型）；或者產(chǎn)生 “ 空穴 ” ，又稱正電荷（ P 型）。 第二個(gè)重要因素是這些電路是按照流入每一個(gè)輸入的電流都很小這樣的原則來設(shè)計(jì)制作的。這兩個(gè)定律可允許一個(gè)人在沒有詳細(xì)了解運(yùn)算放大器物理特