第9章ic工藝薄膜物理淀積技術(專業(yè)版)
【正文】 ）， Ge（ 80 197。）。 4）電遷移現(xiàn)象： 表觀現(xiàn)象為， Al電極引線在大電流密度作用下，一部分出現(xiàn)空洞而斷裂，一部分出現(xiàn)Al原子堆積而形成小丘。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的應力足夠?。下阻擋 Al 20h）。 nInGaAs帽層 結構 1包含三層金屬，自下而上依次為 Ni（ 150 197。 nInGaAs帽層 結構 2包含六層金屬，自下而上依次是 Ni（ 40 197。）。Au會促使 InGaAs的分解以及 Ga的外擴散，形成 Ga空位；同時 Au還能提高合金后的薄層電導率，改善合金形貌。 肖特基接觸還大量用于 MESFET器件 AlCu合金工藝（提高抗電遷移能力， ~4%） Cu工藝：抗電遷移能力強、電阻率低、 較少的工藝步驟 （難度：難于等離子刻蝕、本身的抗氧化能力小、與硅相互作用） 通常用濺射（ SPUTTER）方法淀積 Al . 鈦金屬硅化的自對準工藝 要點：鈦能與硅形成難腐蝕的低電阻的 TiSi2合金 （工藝難點），而不易與其它介質材料形 成化合物。 C) M at e r ialM e l t in gT e m p e r at u r e ( ? C)Re s is t ivit y( ? ? c m )S i l i c o n (S i ) 1412 ? 109D o pe d P o l y s i l i c o n (D o pe d P o l y ) 1412 ? 500 – 525A l um i n um (A l ) 660 2. 65Co ppe r (Cu ) 1083 1. 678T u n gs t e n (W ) 3417 8T i t a ni um ( T i ) 1670 60T a nt a l um ( T a ) 2996 13 – 16M o l y b de n um (M o ) 2620 5P l a t i n u m (P t ) 1772 10 ? . 器件中的金屬膜 在器件中的作用： —歐姆電極、連線、肖特基接觸 （半導體物理） 金屬功函數(shù)與半導體親合能對金 —半接觸時的界面空間電荷區(qū)的影響 阻擋層和反阻擋層的形成 界面態(tài)的影響 ？ 費米能級釘扎 隧穿效應 與半導體載流子濃度的關系 eF W ?? ?
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