第9章ic工藝薄膜物理淀積技術(文件)
【正文】 xide STI nwell pwell ILD1 Poly gate n+ p+ p+ n+ n+ LI metal Copper Metallization ? ： pages 296 ? 微電子技術中的薄膜種類繁多，一般都不能（也不需要）形成與襯底晶格匹配的晶體。 C) M at e r ialM e l t in gT e m p e r at u r e ( ? C)Re s is t ivit y( ? ? c m )S i l i c o n (S i ) 1412 ? 109D o pe d P o l y s i l i c o n (D o pe d P o l y ) 1412 ? 500 – 525A l um i n um (A l ) 660 2. 65Co ppe r (Cu ) 1083 1. 678T u n gs t e n (W ) 3417 8T i t a ni um ( T i ) 1670 60T a nt a l um ( T a ) 2996 13 – 16M o l y b de n um (M o ) 2620 5P l a t i n u m (P t ) 1772 10 ? . 器件中的金屬膜 在器件中的作用： —歐姆電極、連線、肖特基接觸 （半導體物理） 金屬功函數與半導體親合能對金 —半接觸時的界面空間電荷區(qū)的影響 阻擋層和反阻擋層的形成 界面態(tài)的影響 ？ 費米能級釘扎 隧穿效應 與半導體載流子濃度的關系 eF W ?? ?? 實現(xiàn)低歐姆接觸的途徑 高摻雜（正面） 粗表面（背面） 合金（雙面）：合金層和擴散層 表面態(tài)的形成 實現(xiàn)肖特基接觸的途徑 表面態(tài)的處理 —— 金屬的選擇 表面的處理 鍍膜溫度和速率 表面 費米能級的工藝調制 . Al在硅器件中的特點 Al是硅平面器件中的三種基本材料之一 主要做歐姆電極和連線，也能與 p型硅形成歐姆接觸。 金屬 /半導體界面的低溫相互滲透，將使界面的機械強度增加，但也可能影響界面態(tài)的穩(wěn)定。但不適宜在 p型層上作互連。由于 TiW、 TiN與 Si的歐姆接觸和粘附性不好，故需在阻擋層和 Si之間加一層金屬硅化物（如： PtSi、Pd2Si、 CoS
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