【正文】 18:26:2318:26:2318:263/12/2023 6:26:23 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 26分 23秒 18:26: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 塊狀 EMC放入模具孔中 高溫下， EMC開始熔化，順著軌道流向 Cavity中 從底部開始，逐漸覆蓋芯片 完全覆蓋包裹完畢，成型固化 Company Logo Logo EOL– Laser Mark（激光打字） 在產(chǎn)品（ Package）的正面或者背面激光刻字。 Chipping Die 崩 邊 Company Logo Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 Write Epoxy 點(diǎn)銀漿 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 銀漿固化 Epoxy Storage： 零下 50度存放； Epoxy Aging： 使用之前回溫，除去氣泡； Epoxy Writing： 點(diǎn)銀漿于 L/F的 Pad上， Pattern可選 ； Company Logo Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 芯片拾取過程： Ejector Pin從 wafer下方的 Mylar頂起芯片，使之便于 脫離藍(lán)膜； Collect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從 Wafer 到 L/F的運(yùn)輸過程； Collect以一定的力將芯片 Bond在點(diǎn)有銀漿的 L/F 的 Pad上，具體位置可控； Bond Head Resolution： ； ； ； Bond Head Speed： ； Company Logo Logo FOL– Die Attach 芯片粘接 Epoxy Write： Coverage 75%。引腳數(shù)越多，越高級，但是工藝難度也相應(yīng)增加； 其中， CSP由于采用了 Flip Chip技術(shù)和裸片封裝，達(dá)到了 芯片面積 /封裝面積 =1:1，為目前最高級的技術(shù)； 封裝形式和工藝逐步高級和復(fù)雜 Company Logo Logo IC Package （ IC的封裝形式） ? QFN—Quad Flat Nolead Package 四方無引腳扁平封裝 ? SOIC—Small Outline IC 小外形 IC封裝 ? TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封裝 ? QFP—Quad Flat Package 四方引腳扁平式封裝 ? BGA—Ball Grid Array Package 球柵陣列式封裝 ? CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸級封裝 Company Logo Logo IC Package Structure（ IC結(jié)構(gòu)圖） TOP VIEW SIDE VIEW Lead Frame 引線框架 Gold Wire 金 線 Die Pad 芯片焊盤 Epoxy 銀漿 Mold Compound 環(huán)氧樹脂 Company Logo Logo Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Wafer】 晶圓 …… Company Logo Logo Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Lead Frame】 引線框架 ?提供電路連接和 Die的固定作用； ?主要材料為銅，會(huì)在上面進(jìn)行鍍銀、 NiPdAu等材料； ?L/F的制程有 Etch和 Stamp兩種； ?易氧化，存放于氮?dú)夤裰?，濕度? 于 40%RH。打火桿打火形成高溫，將外露于 Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在 Pad上形成第一焊點(diǎn)（ Bond Ball）； Bond Ball：第一焊點(diǎn)。 Company Logo Logo EOL– TrimForm（切筋成型） Trim：將一條片的 Lead Frame切割成單獨(dú)的 Unit（ IC）的過程；