【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題姓名學(xué)號(hào)習(xí)題請(qǐng)直接做在此頁(yè)面上,完成后發(fā)往:@習(xí)題一2011年9月21日1,指出下述各種結(jié)構(gòu)是不是布拉伐格子,如是,請(qǐng)給出三個(gè)原基矢量;如不是,請(qǐng)找出相應(yīng)的布拉伐格子和盡可能小的基元。(1)底心立方(在立方單胞水平表面的中心有附加點(diǎn)的簡(jiǎn)立方);(2)側(cè)面心立方(在立方單
2025-06-07 16:47
【摘要】一些半導(dǎo)體詞匯admin??:半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless},_7Q6n1
2025-08-21 18:39
【摘要】5/6中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)MichaelPecht,WeifengLiu馬里蘭大學(xué)CALCE電子產(chǎn)品與系統(tǒng)中心DavidHodges加利福尼亞大學(xué)電子工程與計(jì)算科學(xué)系【導(dǎo)讀】中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)在世界上處于一個(gè)什么樣的地位,其發(fā)展目標(biāo)是什么?什么是909項(xiàng)目?美國(guó)學(xué)者Pecht等人從多個(gè)角度概述了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀,并對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的機(jī)遇與挑
2025-05-27 22:14
【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長(zhǎng)問(wèn)
2024-12-08 07:59
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2025-08-01 06:42
【摘要】5S2S4S1S3S定位、定量、定容15S2S4S1S3S25S2S4S1S3S歸位?設(shè)計(jì)易于歸位的方法;?適當(dāng)采用防錯(cuò)技術(shù)幫助歸位;?培養(yǎng)所有人使用完畢自動(dòng)歸位的習(xí)慣。35S2S4S1S3S易取、易歸位45S2S4S1S3S整頓的目標(biāo)?消除“尋找”的浪費(fèi)?
2025-02-24 22:16