【正文】 ?前電極的發(fā)射極太薄，難以測量?一種稱為背表面場（ BSF）電池設(shè)計為，在沉積金屬接觸之前，電池的背面先擴散一層 P＋ 附加層。在在 ，其可能大氣質(zhì)量光譜下的硅太陽能電池，其可能的最大電流為的最大電流為 46mA/到到 42mA/cm2，而商業(yè)用太陽能電池的短路電流在，而商業(yè)用太陽能電池的短路電流在28到到 35mA/cm2之間。 A? 光子的數(shù)量（即入射光的強度）。（不患寡而患不均）?費米能級和真空能級的的差值為成為功函數(shù)（逸出功）?接觸金屬和半導(dǎo)體會有不同的功函數(shù)?當(dāng)兩種材料相接觸時，電子會從低功函的一邊流向高功函的另一邊直到費米能級相平衡，從而形成內(nèi)建電場，影響載流子的運動。42非平衡載流子的復(fù)合復(fù)合的微觀機構(gòu)來看，分為 直接復(fù)合和間接復(fù)合根據(jù)復(fù)合發(fā)生的位置，又可以分為 體內(nèi)復(fù)合和表面復(fù)合載流子復(fù)合時一定要釋放出多余的能量，根據(jù)放出能量的類型可以分為： 發(fā)射光子 （伴隨有發(fā)光現(xiàn)象）為 輻射復(fù)合 ，載流子將多余的能量傳遞給晶格，加強晶格的振動（ 發(fā)射聲子 ）為 非輻射復(fù)合， 能量 給予其他載流子為俄歇復(fù)合。?1015cm3,?產(chǎn)生：光注入，電注入 (電路中的 pn結(jié)）?復(fù)合：直接復(fù)合，間接復(fù)合或者輻射復(fù)合，非輻射復(fù)合，俄歇復(fù)合361．光注入 施主雜質(zhì)因提供自由電子而帶正電荷成為 正離子25雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素如 B。自由電子是少子空穴是多子雜質(zhì)原子提供 由熱激發(fā)形成因留下的空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為 負(fù)離子。用波長比較短的光 照射到半導(dǎo)體 光照?n?pnopo光照產(chǎn)生非平衡載流子372．電注入3．非平衡載流子濃度的表示法 43非平衡載流子的復(fù)合?直接復(fù)合：電子在導(dǎo)帶和價帶之間 直接躍遷 而引起的非平衡載流子的復(fù)合過程?間接復(fù)合：非平衡載流子通過 復(fù)合中心（禁帶能級）的復(fù)合?輻射復(fù)合：非平衡載流子復(fù)合時， 多余能量以發(fā)射光子的形式存在，又稱發(fā)光復(fù)合 (LED，激光）?非輻射復(fù)合：非平衡載流子復(fù)合時， 電子將能量傳遞給晶格 ，產(chǎn)生熱能， 對外發(fā)射聲子 的過程?俄歇復(fù)合：非平衡載流子從高能級向低能級躍遷，發(fā)生電子 空穴復(fù)合，把 多余的能量傳給另一個載流子 ，使得其 躍遷到能量更高的能級 上去，當(dāng)它重新回到低能級時， 多余的能量以聲子 的形式放出?表面復(fù)合： 在半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合過程（ 表面處的雜質(zhì)和復(fù)合中心）44非平衡載流子隨時間的變化規(guī)律 內(nèi)電場的建立，使 PN結(jié)中產(chǎn)生電位差。59 p型半導(dǎo)體Wm Wp FpFm P型半導(dǎo)體電子相對 較多電子由 P型半導(dǎo)體流向金屬內(nèi)建電場方向由 P型半導(dǎo)體指向金屬P型半導(dǎo)體一側(cè)形成空穴高電導(dǎo)區(qū)域，形成反阻擋層有利于空穴從體內(nèi)流向表面Wm Wp FpFm 金屬電子相對較多電子由金屬流向 P型半導(dǎo)體內(nèi)建電場方向由金屬指向 P型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體一側(cè)形成空穴勢壘區(qū)，形成阻擋層，不利于空穴從體內(nèi)流向表面對于 n型半導(dǎo)體，正好和 p型半導(dǎo)體相反，當(dāng) Wm Wp的時候， n型半導(dǎo)體一側(cè)形成電子阻擋區(qū)，不利于電子由表面流向體內(nèi)反之，當(dāng) Wm Wp的時候， n型半導(dǎo)體一側(cè)形成電子反阻擋區(qū)，有利于電子由表面流向體內(nèi)60N型半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體WmWs 阻擋層 反阻擋層WmWs 反阻擋層 阻擋層61歐姆接觸? 定義：不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，不會使半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子濃度發(fā)生明顯的改變。電池輸出的短路電流光子的數(shù)量（即入射光的強度）。之間。 84串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻?串聯(lián)電阻： PN結(jié)收集的電流必須經(jīng)過表面薄層再流入最靠近的金屬導(dǎo)線，這就是一條存在電阻的路線，顯然通過 金屬線的密布可以 使串聯(lián)電阻減小。這種不均勻摻雜的剖面分布，在電池基區(qū)中通常是做不到的；而在擴散區(qū)中是很自然的83表面復(fù)合速率?低的表面復(fù)合速率有助于提高 ISC，并由于 I0的減小而使VOC改善 。于生成率和擴散長度。）而不是短路電流。PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 動畫三55PN結(jié)電流方程結(jié)電流方程由半導(dǎo)體物理可推出 ：PN結(jié)兩端的電壓與流過 PN結(jié)電流的關(guān)系式I = I0(expqV/kT1)第一項為正向飽和電流，第二項為反向飽和電流56金屬半導(dǎo)體接觸和 MIS結(jié)構(gòu)?金屬半導(dǎo)體接觸（ MS結(jié)構(gòu)）?歐姆接觸57金屬半導(dǎo)體接觸? 金屬功函數(shù)：? 半導(dǎo)體功函數(shù)：功函數(shù)：真空中靜止電子的能量與費米能的差值E0EF58MS結(jié)構(gòu)形成的本質(zhì)?任何兩種相接觸的物質(zhì)的費米能級（或者嚴(yán)格意義上來說化學(xué)勢）必須相等。非平衡少子濃度 平衡少子濃度即使小注入，實際上，非平衡少子起重要作用。?費米能級32費米能級的含義?費米能級是一個具有統(tǒng)計意義的統(tǒng)計量，描述的是半導(dǎo)體電子能量的一種統(tǒng)計水平?溫度大于 0K時，大多數(shù)電子優(yōu)先排布于費米能級以下的位置33費米能級在能帶中所處的位置 ,直接決定半導(dǎo)體電子和空穴濃度 . 費米能級的位置費米能級