【正文】 通過這次的課程設(shè)計(jì)，我發(fā)現(xiàn)了電力電子技術(shù)的重要性，它里面的器件如IGBT之類的還可以對我們實(shí)際的電路起到提高效率和保護(hù)作用，可以通過控制它的觸發(fā)脈沖來實(shí)現(xiàn)它的關(guān)斷，這都是非常常見但是卻非常有實(shí)際意義的。電路結(jié)構(gòu)改為確保其輸出電平或者是高電平或者是低電平的一個(gè)電平狀態(tài)中。~，需要將基準(zhǔn)電壓分壓送至誤差放大器1腳（正電壓輸出）或2腳（負(fù)電阻輸出）。SG3525A系列的NOR（或非）邏輯在斷開狀態(tài)時(shí)輸出為低。至一個(gè)周期T結(jié)束，再驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通，重復(fù)上一周期的過程。新型半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用實(shí)例.即 由以上仿真圖形分析可得：1) 占空比α越大負(fù)載輸出電壓越大，調(diào)節(jié)時(shí)間越長2) 電容C值越大峰值時(shí)間越大，第一個(gè)峰值越大3) 電感L值越大峰值時(shí)間越大，調(diào)節(jié)時(shí)間越大在實(shí)際中可根據(jù)項(xiàng)目的大小、設(shè)計(jì)的實(shí)際要求及成本的大小選取適當(dāng)?shù)碾姼须娙葜担赃_(dá)到設(shè)計(jì)的要求。電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過電流繼電器整定在過載時(shí)動(dòng)作。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)反偏，漏源極之間無電流流過。設(shè)S處于導(dǎo)通的時(shí)間為ton，此階段電感L上積蓄的能量為：當(dāng)S處于斷態(tài)時(shí)，E和L共同向電容C充電并向負(fù)載R提供能量。設(shè)計(jì)方案：電源電路電源電路采用電容濾波的二極管不控整流電路，220V單相交流電經(jīng)220V/24V變壓器，降為24V交流電，再經(jīng)二極管不控整流電路及濾波電容濾波后，變?yōu)槠街钡闹绷麟姡浞翟?2V~36V之間。…………………………………………………………………24設(shè)計(jì)心得……………………………………………………………………………25參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………25致 謝………………………………………………………………………………26一．設(shè)計(jì)要求與方案供電方案有兩種選擇。來完成整個(gè)系統(tǒng)的功能。當(dāng)=0時(shí)刻 ==0，令式 （110）中=0即可求出，進(jìn)而可寫出的表達(dá)式。 TL494內(nèi)置了線性鋸齒波振蕩器,振蕩頻率可通過外部的一個(gè)電阻和一個(gè)電容進(jìn)行調(diào)節(jié), 其振蕩頻率為: 輸出脈沖的寬度是通過電容CT 上的正極性鋸齒波電壓與另外兩個(gè)控制信號進(jìn)行比較來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。將升壓比的倒數(shù)記作，即 ，則β和關(guān)系為 ，因此說明：當(dāng)所選的C能達(dá)到所需的輸出濾波要求時(shí)L可以選的足夠大，以便使開關(guān)變換器保持在連續(xù)的工作狀態(tài)，但電容器本身沒有完美的電器性能所以其內(nèi)部的等效串聯(lián)電阻將消耗一些功率。如選取電感電容值極大這必將和減小成本成為矛盾，而且由以上的仿真分析可知它也將和Boost啟動(dòng)時(shí)調(diào)節(jié)時(shí)間成為矛盾。主電路模塊， 注要由全控器件IGBT的開通與關(guān)斷的時(shí)間占空比來決定輸出電壓u。三． 控制電路模塊直流斬波電路的控制電路用SG3525來實(shí)現(xiàn) SG3525A脈寬調(diào)制器控制電路．SG3525簡介 SG3525A系列脈寬調(diào)制器控制電路可以改進(jìn)為各種類型的開關(guān)電源的控制性能和使用較少的外部零件。100Hz到400KHz振蕩器頻率(5)有軟起動(dòng)電路比較器的反相端即軟起動(dòng)控制端8，端8可外接軟起動(dòng)電容。另一個(gè)不足處是吸電流時(shí)，如負(fù)載電流達(dá)到50mA以上時(shí)，管飽和壓降較高（約1V）。這次的課題設(shè)計(jì)，我獲益頗多，不僅讓我了解了電力電子器件的功能，更精進(jìn)了我對器件的理解和運(yùn)用，讓我深深喜歡上了這門學(xué)科。由EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓二極管Vz2決定。另外，由于PWM鎖存器對比較器來的置位信號鎖存，將誤差放大器上的噪音、振鈴及系統(tǒng)所有的跳動(dòng)和振蕩信號消除了。把充電和放電回路分開，有利于通過RD來調(diào)節(jié)死區(qū)的時(shí)間，因此是重大改進(jìn)。在這些器件內(nèi)部還有軟起動(dòng)電路，它只需要一個(gè)外部的定時(shí)電容器。=E，負(fù)載電流i。三、參考資料升壓斬波電路之所以能使輸出電壓高于電源電壓，關(guān)鍵有兩個(gè)原因：一是儲(chǔ)能之后具有使電壓泵升的作用，二是電容可將輸出電壓保持住。當(dāng)器件擊穿或短路、觸發(fā)電路或控制電路發(fā)生故障、出現(xiàn)過載、直流側(cè)短路、可逆?zhèn)鲃?dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流或逆變失敗，以及交流電源電壓過高或過低、缺相等，均可引起過流。TL494內(nèi)部電路方框圖圖（28）基于TL494的脈沖發(fā)生器TL494 電路設(shè)計(jì)圖（29）電力場效應(yīng)晶體管MOSFET隨著信息電子技術(shù)與電力電子技術(shù)在發(fā)展的基礎(chǔ)上相結(jié)合，形成了高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件，其典型代表就是電力場效應(yīng)晶體管MOSFET電力場效應(yīng)晶體管簡稱電力Power Mosfet。，外置振蕩元件僅兩個(gè)（一個(gè)電阻和一個(gè)電容）。V處于通態(tài)時(shí)，電源E向電感L充電，電流恒定I1，電容C向負(fù)載R供電，輸出電壓Uo恒定。由脈寬調(diào)制芯片TL494為控制器構(gòu)成BOOST原理的，實(shí)現(xiàn)升壓型DCDC變換器，輸出電壓的可調(diào)整與穩(wěn)壓控制的開關(guān)源是借助晶體管的開/關(guān)實(shí)現(xiàn)的。 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)題 目： 直流降壓斬波電路的設(shè)計(jì) 專 業(yè)： 電氣自動(dòng)化 班 級： 14電氣 姓 名： 周方舟 學(xué) 號： 指導(dǎo)教師： 喻麗麗 2 / 37目 錄一 設(shè)計(jì)要求與方案…………………………………………………………………4二 設(shè)計(jì)原理分析……………………………………………………………………4 …………………………