【摘要】晶體性質(zhì)的測量與研究方法一.光學(xué)性質(zhì)測量1.折射率2.光學(xué)透過性3.電光性能4.光折變性質(zhì)、二.鐵電性質(zhì)-電滯回線測量三.介電性質(zhì)四.壓電性質(zhì)測量1.準(zhǔn)靜態(tài)法2.光學(xué)相干法3.諧振-反諧振法五.熱釋電性質(zhì)晶
2025-01-14 12:07
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系梁竹關(guān)第一部分理論課第一章緒言1.1集成電路的發(fā)展1.2集成電路分類1.3集成電路設(shè)計(jì)第二章MOS晶體管2.1MOS晶體管結(jié)構(gòu)2.2MOS晶體管工作原理2.3MOS晶體管的電流電壓關(guān)系
2025-05-05 18:16
【摘要】1微電子器件與IC設(shè)計(jì)第3章雙極晶體管BipolarJunctionTransistorBJT2第3章雙極型晶體管?結(jié)構(gòu)?放大原理?電流增益?特性參數(shù)?直流伏安特性?開關(guān)特性?小結(jié)3晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布
2025-05-04 22:02
【摘要】1離子晶體結(jié)構(gòu)以正負(fù)離子為結(jié)合單元,結(jié)合鍵是離子鍵(如NaCl)或混合鍵,即兼有離子鍵和共價(jià)鍵(如硅酸鹽SiO4)。具有某種近距的排斥作用與靜電吸引作用(正負(fù)離子間的庫侖引力)相平衡穩(wěn)定的離子晶體兩個(gè)離子靠近時(shí),正負(fù)離子的電子云重疊,電子傾向于在離子之間作共
2025-01-15 06:09
【摘要】1a.德拜-謝樂照相法?根據(jù)衍射線條的相對位置和相對強(qiáng)度計(jì)算:θ和d(HKL)多晶衍射實(shí)驗(yàn)方法????RSRS???復(fù)習(xí)-1??sind)HKL(2?2?sin2?~H2+K2+L2?令H2+K2+L2=m?同一花樣中,任意線條λ,a為定值,各衍射線條的
2025-01-14 20:36
【摘要】1理想金屬實(shí)際金屬材料中,由于原子(分子或離子)的熱運(yùn)動(dòng)、晶體的形成條件、加工過程、雜質(zhì)等因素的影響,使得實(shí)際晶體中原子的排列不再規(guī)則、完整,存在各種偏離理想結(jié)構(gòu)的情況BCCFCCHCP規(guī)則排列晶體缺陷defectsorimperfections晶體缺陷對晶體的性能、擴(kuò)散、相變等有重要的影響1st
2025-05-02 18:40