【正文】 學(xué)習(xí)就是在不斷發(fā)現(xiàn)問題、解決問題的過程中掌握知識(shí)的。片選有效信號(hào)與CPU的訪存控制信號(hào) (低電平有效)有關(guān)，因?yàn)橹挥挟?dāng)CPU要求訪存時(shí)，才要求選擇存儲(chǔ)芯片。而之后生產(chǎn)的類似技術(shù)的設(shè)備由于朗科已進(jìn)行專利注冊(cè)，而不能再稱之為“優(yōu)盤”，而改稱諧音的“U盤”。用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種物品。一般用在即插即用。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這種存儲(chǔ)器容量大，存取速度介于隨機(jī)存儲(chǔ)器與順序存取存儲(chǔ)器之間，多用做輔助存儲(chǔ)器。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢(shì)，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM。2. 存儲(chǔ)器的分類隨著計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)展和微電子技術(shù)的進(jìn)步，存儲(chǔ)器的種類也越來越多，可以按照多種方法對(duì)其進(jìn)行分類，如按存儲(chǔ)介質(zhì)。字地址是用該字高位字節(jié)的地址來表示，故其字地址是4的整數(shù)倍，正好用地址碼的末兩位來區(qū)分同一字的4個(gè)字節(jié)的位置。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)一位（bit）二進(jìn)制代碼的存儲(chǔ)元稱為基本存儲(chǔ)單元；存儲(chǔ)器中，作為一個(gè)整體存取的二進(jìn)制數(shù)組成一個(gè)存儲(chǔ)子，存儲(chǔ)字的位數(shù)被稱為存儲(chǔ)器的字長。其是具有“記憶”功能的設(shè)備，是計(jì)算機(jī)智能化的重要保證。當(dāng)要從存儲(chǔ)器讀出某一信息字時(shí)，首先由CPU將該字的地址送到MAR，經(jīng)地址總線送至主存，然后發(fā)讀命令。寫入時(shí)間是從存儲(chǔ)器接收到有效地址開始，到數(shù)據(jù)寫入被選中單元為止所需的全部時(shí)間。 光盤存儲(chǔ)器光盤存儲(chǔ)器是應(yīng)用激光在記錄介質(zhì)(磁光材料)上進(jìn)行讀寫的存儲(chǔ)器，具有非易失性的特點(diǎn)。因此，其存取時(shí)間長，速度慢。SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。若對(duì)D端不加正電壓，則形成不了浮動(dòng)?xùn)?，此MOS管便能正常導(dǎo)通，呈“1”狀態(tài)。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱作二級(jí)緩存或外置Cache，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。5） 易于和計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)使用。CPU地址線的高位或作存儲(chǔ)芯片擴(kuò)充時(shí)用，或作其他用法，如作片選信號(hào)等。外存儲(chǔ)器不能由CPU直接訪問，它用來存放當(dāng)前機(jī)器暫不運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。6. 參考文獻(xiàn)李伯成編著 《微型計(jì)算機(jī)原理及接口技術(shù)》 電子工業(yè)出版社 2005. 白中英主編 《計(jì)算機(jī)組成原理》 科學(xué)出版社 2008.李長青、李泉溪主編 《微型計(jì)算機(jī)原理與接口技術(shù)》 中國礦業(yè)大學(xué)出版社 2007.李繼燦主編 《新編16/32位微型計(jì)算機(jī)原理及應(yīng)用》 清華大學(xué)出版社 2007.王誠、宋興編著 《計(jì)算機(jī)組成與體系結(jié)構(gòu)》（第2版） 清華大學(xué)出版社 2011.謝希仁編著 《計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)》（第五版） 電子工業(yè)出版社 2008.吳同茂、李志民編著 《微機(jī)原理與接口技術(shù)實(shí)驗(yàn)及課程設(shè)計(jì)指導(dǎo)書》 中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2010.李廣波、王海、李崗編著 《微機(jī)接口技術(shù)與實(shí)例》 國防工業(yè)出版社 2010.13 。上圖中所提的存儲(chǔ)器通常是指主存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器簡稱主存，但在一般敘述中，常稱為內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存），其實(shí)內(nèi)存儲(chǔ)器應(yīng)包括主存和高速緩存。(1)地址線的連接存儲(chǔ)芯片容量不同，其地址線數(shù)也不同，而CPU的地址線數(shù)往往比存儲(chǔ)芯片的地址線數(shù)要多。3） 以很高的數(shù)據(jù)速率寫入信息。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱作一級(jí)緩存或內(nèi)置Cache。 只讀存儲(chǔ)器（ROM） EPROMEPROM是一種可擦除可編程的只讀存儲(chǔ)器。SRAM 是利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息的，只要不掉電，信息是不會(huì)丟失的。例如，磁帶存儲(chǔ)器就是順序存取存儲(chǔ)器，其信息的記錄格式以記錄塊(或數(shù)據(jù)塊)為單位再加上一些間隔和標(biāo)志區(qū)，順序地排列成若干個(gè)記錄塊并組成一個(gè)記錄文件。 磁表面存儲(chǔ)器磁表面存儲(chǔ)器是在金屬或塑料基體的表面上涂一層磁性材料作為記錄介質(zhì)，工作時(shí)磁層隨載磁體高速運(yùn)轉(zhuǎn)，用磁頭在磁層上進(jìn)行讀寫操作，故稱為磁表面存儲(chǔ)器。存取時(shí)間分讀出時(shí)間和寫入時(shí)間兩種?，F(xiàn)代計(jì)算機(jī)的主存都由半導(dǎo)體集成電路構(gòu)成，圖中的驅(qū)動(dòng)器、譯碼器和讀寫電路均制作在存儲(chǔ)芯片中，而MAR和MDR制作在CPU芯片內(nèi)。大學(xué)四年的學(xué)習(xí)時(shí)光轉(zhuǎn)眼即逝，面對(duì)所學(xué)專業(yè)，對(duì)微機(jī)原理課程設(shè)計(jì)不得不重視之。對(duì)于存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)器與外界一次傳送的二進(jìn)制位數(shù)稱為粒度?！　∪缟蠄D(a)所示，對(duì)24位地址線的主存而言，按字節(jié)尋址的范圍是16MB，按字尋址的范圍為4MB。 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元件由半導(dǎo)體器件組成的叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 只讀存儲(chǔ)器ROM(Read only Memory)只讀存儲(chǔ)器是能對(duì)其存儲(chǔ)的內(nèi)容讀出，而不能對(duì)其重新寫入的存儲(chǔ)器?！?按應(yīng)用可分類 存儲(chǔ)器有三個(gè)主要特性：速率、容量和價(jià)格/位（簡稱位價(jià)）。然