【正文】 2007.李繼燦主編 《新編16/32位微型計(jì)算機(jī)原理及應(yīng)用》 清華大學(xué)出版社 2007.王誠、宋興編著 《計(jì)算機(jī)組成與體系結(jié)構(gòu)》（第2版） 清華大學(xué)出版社 2011.謝希仁編著 《計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)》（第五版） 電子工業(yè)出版社 2008.吳同茂、李志民編著 《微機(jī)原理與接口技術(shù)實(shí)驗(yàn)及課程設(shè)計(jì)指導(dǎo)書》 中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 2010.李廣波、王海、李崗編著 《微機(jī)接口技術(shù)與實(shí)例》 國防工業(yè)出版社 2010.13 。我們應(yīng)該多向別人學(xué)習(xí)，取其所長，去其所短。外存儲(chǔ)器不能由CPU直接訪問，它用來存放當(dāng)前機(jī)器暫不運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。若CPU訪問I/O，則 為高，表示不要求存儲(chǔ)器工作。CPU地址線的高位或作存儲(chǔ)芯片擴(kuò)充時(shí)用，或作其他用法，如作片選信號(hào)等。后來，U盤這個(gè)稱呼因其簡單易記而因而廣為人知，是移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備之一。5） 易于和計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)使用。分不可擦寫光盤，如CDROM，DVDROM等；和可擦寫光盤，如CDRAM，DVDRAM等。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱作二級緩存或外置Cache，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。 EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應(yīng)用通常是個(gè)人電腦中的電壓來擦寫和重編程。若對D端不加正電壓，則形成不了浮動(dòng)?xùn)?，此MOS管便能正常導(dǎo)通，呈“1”狀態(tài)。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。SRAM速度非?？欤悄壳白x寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。順序存取存儲(chǔ)器和直接存取存儲(chǔ)器又合稱為串行訪問存儲(chǔ)器。因此，其存取時(shí)間長，速度慢。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 光盤存儲(chǔ)器光盤存儲(chǔ)器是應(yīng)用激光在記錄介質(zhì)(磁光材料)上進(jìn)行讀寫的存儲(chǔ)器，具有非易失性的特點(diǎn)。按存取方式或按他們在計(jì)算機(jī)中的作用來劃分。寫入時(shí)間是從存儲(chǔ)器接收到有效地址開始，到數(shù)據(jù)寫入被選中單元為止所需的全部時(shí)間。但對PDP－11機(jī)而言，其字地址是2的整數(shù)倍，它用低位字節(jié)的地址來表示字地址，如下圖(b)所示。當(dāng)要從存儲(chǔ)器讀出某一信息字時(shí)，首先由CPU將該字的地址送到MAR，經(jīng)地址總線送至主存，然后發(fā)讀命令。存放一個(gè)存儲(chǔ)字的空間稱為存儲(chǔ)單元，按一定規(guī)則組合在一起的大量存儲(chǔ)單元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)體。其是具有“記憶”功能的設(shè)備，是計(jì)算機(jī)智能化的重要保證。我們知道，存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)組成結(jié)構(gòu)中一個(gè)很重要的部分，它的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)一位（bit）二進(jìn)制代碼的存儲(chǔ)元稱為基本存儲(chǔ)單元；存儲(chǔ)器中，作為一個(gè)整體存取的二進(jìn)制數(shù)組成一個(gè)存儲(chǔ)子，存儲(chǔ)字的位數(shù)被稱為存儲(chǔ)器的字長。存儲(chǔ)芯片和CPU芯片可通過總線連接，如下圖所示。字地址是用該字高位字節(jié)的地址來表示，故其字地址是4的整數(shù)倍，正好用地址碼的末兩位來區(qū)分同一字的4個(gè)字節(jié)的位置。讀出時(shí)間是從存儲(chǔ)器接收到有效地址開始，到產(chǎn)生有效輸出所需的全部時(shí)間。2. 存儲(chǔ)器的分類隨著計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)展和微電子技術(shù)的進(jìn)步，存儲(chǔ)器的種類也越來越多，可以按照多種方法對其進(jìn)行分類，如按存儲(chǔ)介質(zhì)?！?由于用具有矩形磁滯回線特性的材料作磁表面物質(zhì)，它們按其剩磁狀態(tài)的不同而區(qū)分“0”或“1”，而且剩磁狀態(tài)不會(huì)輕易丟失，故這類存儲(chǔ)器具有非易失性的特點(diǎn)。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM。當(dāng)要訪問某個(gè)記錄塊時(shí)，只能按順序?qū)ふ夷康膲K。這種存儲(chǔ)器容量大，存取速度介于隨機(jī)存儲(chǔ)器與順序存取存儲(chǔ)器之間，多用做輔助存儲(chǔ)器。DRAM是利用MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）電容存儲(chǔ)電荷來儲(chǔ)存信息， 因此必須通過不停的給電容充電來維持信息，所以DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。如下圖所示：由圖所示的N型溝道浮動(dòng)?xùn)臡OS電路，在漏端D加上正電壓(如25V，50ms寬的正脈沖)，便會(huì)形成一個(gè)浮動(dòng)?xùn)?，它阻止源S與漏端D之間的導(dǎo)通，致使此MOS管處于“0”狀態(tài)。一般用在即插即用。這部分存儲(chǔ)器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種物品。4） 不需要超高精度的機(jī)械結(jié)構(gòu)。而之后生產(chǎn)的類似技術(shù)的設(shè)備由于朗科已進(jìn)行專利注冊，而不能再稱之為“優(yōu)盤”，而改稱諧音的“U盤”。通常總是將CPU地址線的低位與存儲(chǔ)芯片的地址線相連。片選有效信號(hào)與CPU的訪存控制信號(hào) (低電平有效)有關(guān)，因?yàn)橹挥挟?dāng)CPU要求訪存時(shí)，才要求選擇存儲(chǔ)芯片。作為計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)，還應(yīng)包括外存儲(chǔ)器，現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)都把外存儲(chǔ)器作為計(jì)算機(jī)的基本配置。學(xué)習(xí)就是在不斷發(fā)現(xiàn)問題、解決問題的過程中掌握知識(shí)