mos器件物理--轉移特性曲線(更新版)
【正文】 析，溫度的變化會引起閾值電壓與遷移率的變化，進而影響其漏源電流。且根據(jù)跨導的定義，ID不變而增大器件寬W可以提高跨導，但ID保持不變的條件是必須降低MOS管的過驅(qū)動電壓。這個電流源的電流值與其電壓成線性關系， 可以等效為一個連接在 漏源之間的線性電阻， 這個電阻值為：,溝道調(diào)制效應,一般ro也稱為MOS管的輸出阻抗，它會限制大部分放大器的最大電壓增益，影響模擬電路的性能。,溝道調(diào)制效應,由上圖可以看出： 實際的I/V曲線在飽和時并非是一平行的直線，而是具有一定斜率的斜線。 因此為了衡量體效應對MOS管的I/V的影響，定義一襯底跨導 襯底跨導：在源漏電壓與柵源電壓為常量時漏極電流隨襯底電壓的變化關系： 則襯底電位對漏極電流的影響可用一個電流源gmbVBS表示。,飽和區(qū)MOS管的跨導與導納,討論2： 雙極型三極管的跨導為： ，兩種跨導相比可得到如下結論： 對于雙極型，當IC確定后，gm就與幾何形狀無關，而MOS管除了可通過IDS調(diào)節(jié)跨導外，gm還與幾何尺寸有關；雙極型三極管的跨導與電流成正比，而MOS管的跨導與成正比，所以在同樣工作電流情況下，MOS管的跨導要比雙極型三極管的跨導小。MOS器件物理(續(xù)),轉移特性曲線,在一個固定的VDS下的MOS管飽和區(qū)的漏極電流與柵源電壓之間的關系稱為MOS管的轉移特性。 為了提高跨導，可以通過增大KN（增大寬長比，增大Cox等），也可以通過增大ID來實現(xiàn)，但以增大寬長比為最有效。,襯底偏置效應（體效應）,例：,襯底偏置效應（體效應）,由于襯底電位會影響閾值電壓，進而影響MOS管的過驅(qū)動電壓，所以襯底可以視為MOS管的第二個柵（常稱背柵）。考慮溝道調(diào)制效應的I/V曲線如下圖所示。 考慮溝道調(diào)制效應后，由于漏電流隨漏源電壓變化而變化，其值為一有限值。 亞閾值區(qū)的跨導為： 由于ξ1，所以gmID/VT，即MOS管的最大跨導比雙極型晶體管（IC/VT）小。 實驗還發(fā)現(xiàn)，在器件工作的正常溫度范圍內(nèi)，遷移率與溫度近似成反比關系。24.10.2124.10.2101:28:3001:28:30October 21, 2024 踏實肯干，努力奮斗。24.10.212024年10月21日星期一1時28分30秒24.10.21,謝謝大
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