【正文】 后其阻值和容量通常還不能完全達(dá)到所要求的數(shù)值精度，所以還需要進(jìn)行調(diào)整。印刷時(shí)，將基板放在絲網(wǎng)下面，而將漿料放在絲網(wǎng)上面，然后用橡膠或塑料制成的刮板以一定的速度和壓力在絲網(wǎng)上移動(dòng)，使它通過(guò)掩模上的開(kāi)孔圖形而漏印到基板上，于是在基板上便得到該漿料印出的所需圖形。它的基本內(nèi)容是印刷和燒結(jié)，但目前已發(fā)展成綜合性很高的一種技術(shù)。另外根據(jù)焊接特殊需要還有充氮回流焊。 回流焊 也叫再流焊（其核心環(huán)節(jié)是利用外部熱源加熱，使焊料熔化而再次流動(dòng)浸潤(rùn)以完成電路板的焊接），是伴隨著微型化電子產(chǎn)品的出現(xiàn)而發(fā)展起來(lái)的焊接技術(shù)，它最適合表面貼裝元器件，也可以用于插孔式元器件與表面貼裝器件混合電路的裝配。另外油墨也容易擦去。 切筋成型通常是兩道工序，但同時(shí)完成（在機(jī)器上）。用溶劑來(lái)去飛邊毛刺通常只適用于很薄的毛刺。 將塑封的預(yù)成型塊在預(yù)熱爐中加熱（預(yù)熱溫度在 9095℃ 之間） ?？稍诤嫦渲蟹侄紊郎?，待達(dá)到固化溫度后，保溫 34小時(shí)，即可達(dá)到完全固化。 ⑥填料的粒子尺寸 ⑦在填充溫度操作條件下的填料粘滯性要低，流動(dòng)性要好，即填料的粘滯性應(yīng)隨著溫度的提高而降低。 第二章 封裝工藝流程 倒裝焊接后的芯片下填充 倒裝焊后，在芯片與基板間填充 環(huán)氧樹(shù)脂 ，不但可以保護(hù)芯片免受環(huán)境如濕汽、離子等污染，利于芯片在惡劣環(huán)境下正常工作，而且可以使芯片耐受機(jī)械振動(dòng)和沖擊。 第二章 封裝工藝流程 各向異性導(dǎo)電膠 ACA有 熱固型 、 熱塑型 和 紫外光 (UV)固化型 幾種，而以UV型最佳，熱固型次之。 C4技術(shù)倒裝焊的特點(diǎn)是： 1） C4除具有一般凸點(diǎn)芯片 FCB的優(yōu)點(diǎn)外，它的凸點(diǎn)還可整個(gè)芯片面陣分布，再流時(shí)能夠彌補(bǔ)基板的凹凸不平或扭曲等，所以，不但可與光滑平整的陶瓷 /硅基板金屬焊區(qū)互連，還能與 PWB上的金屬焊區(qū)互連。 第二章 封裝工藝流程 熱壓 FCB法 使用倒裝焊接機(jī)完成對(duì)各種凸點(diǎn)，如 Au凸點(diǎn)、 NiAl凸點(diǎn)、 CuPbSn凸點(diǎn)的 FCB。成本高效率低，不適合大批量生產(chǎn)。 UBM一般有三層，分別為鉻 /鉻 銅（ 50%50%） /銅。在烘烤硬化時(shí)應(yīng)注意加溫條件，避免氣泡和預(yù)應(yīng)力的產(chǎn)生。 抬起 抬起熱壓焊頭，焊接機(jī)將壓焊到載帶上的 IC芯片通過(guò)鏈輪步進(jìn)卷繞到卷軸上，同時(shí)下一個(gè)載帶引線圖形也步進(jìn)到焊接對(duì)位的位置上。三層結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是膠帶和銅之間有很高的結(jié)合強(qiáng)度，且絕緣性能好，吸濕性低。用液體聚酰亞胺涂敷銅帶（ ），然后再干燥處理。 內(nèi)引線焊接是引線與芯片焊接，外引線焊接是將引線焊接到外殼或基板焊區(qū)。凸塊制作完成后在其頂面電鍍一層 25微米的金（凸塊金屬不是金的情況），目的是起抗氧化作用。 載帶自動(dòng)鍵合技術(shù) 芯片凸點(diǎn)制作技術(shù) 凸點(diǎn)因形狀不同可分為兩種 第二章 封裝工藝流程 蘑菇狀凸點(diǎn)一般用光刻膠做掩膜制作，電鍍時(shí)，光刻膠 以上凸點(diǎn)除了繼續(xù)升高以外，還橫向發(fā)展，凸點(diǎn)越來(lái)越高，橫向也越來(lái)越大，所以凸點(diǎn)形狀像蘑菇。 （ 5） TAB工藝中引線的鍵合平面低，使器件薄化。但是隨著芯片信息容量及隨之而來(lái)的引腳數(shù)的增加，傳統(tǒng)的分立引線工藝顯得力不從心。 引線排從窗口伸出，并與載帶相連，載帶邊上有供傳輸帶用的齒輪孔。令你一種是含 %鎂的鋁導(dǎo)線。鋁線的 2個(gè)焊接點(diǎn)是楔形的。 缺點(diǎn)： 所有的連線必須沿回繞方向排列（這不可能），因此在連線過(guò)程中要不斷改變芯片與封裝基板的位置再進(jìn)行第 2根引線的鍵合。 第二章 封裝工藝流程 在芯片粘貼時(shí)，用蓋印、絲網(wǎng)印刷、點(diǎn)膠等方法將膠涂布于基板的芯片座中，再將芯片置放在玻璃膠之上，將基板加溫到玻璃熔融溫度以上即可完成粘貼。 三種導(dǎo)電膠的特點(diǎn)是：化學(xué)接合、具有導(dǎo)電功能。 使用軟質(zhì)焊料可消除硬質(zhì)焊料的缺點(diǎn)。 材料發(fā)生形變時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗外力．把分布內(nèi)力在一點(diǎn)的集度稱為 應(yīng)力（ Stress） 。 第二章 封裝工藝流程 焊接粘貼法 焊接粘貼法是利用合金反應(yīng)進(jìn)行芯片粘貼的方法。 。 第二章 封裝工藝流程 硅片背面減技術(shù)主要有： 磨削、研磨、化學(xué)拋光 干式拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕 等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等 第二章 封裝工藝流程 減薄厚硅片粘在一個(gè)帶有金屬環(huán)或塑料框架的薄膜（常稱為藍(lán)膜）上，送到劃片機(jī)進(jìn)行劃片。在測(cè)試中，先將有缺陷的芯片打上記號(hào)（打一個(gè)黑色墨點(diǎn)），然后在自動(dòng)拾片機(jī)上分辨出合格的芯片。芯片一般在做成集成電路的硅片上進(jìn)行測(cè)試。因此電路層制作完成后，需要對(duì)硅片背面進(jìn)行減薄，使其達(dá)到所需要的厚度，然后再進(jìn)行劃片加工，形成一個(gè)個(gè)減薄的裸芯片。 DBT(dicing by thinning) 在減薄之前先用機(jī)械的或化學(xué)的方法切割出一定深度的切口，然后用磨削方法減薄到一定厚度后，采用常壓等離子腐蝕技術(shù)去除掉剩余加工量。優(yōu)點(diǎn)是可以降低芯片粘貼時(shí)孔隙平整度不佳而造成的粘貼不完全的影響。當(dāng)材料在外力作用下不能產(chǎn)生位移時(shí)，它的幾何形狀和尺寸將發(fā)生變化，這種形變稱為 應(yīng)變（ Strain） 。 在焊接前先在芯片背面制作多層技術(shù)薄膜，目的是利用焊料的潤(rùn)濕。無(wú)應(yīng)力影響。它是起導(dǎo)電作用的金屬粉（ Ag、 AgPd、 Au、 Cu等）與低溫玻璃粉和有機(jī)溶劑混合，制成膏狀。 打線鍵合技術(shù) 第二章 封裝工藝流程 打線鍵合技術(shù) 超聲波鍵合（ Ultrasonic Bonding ,U/S bonding） 熱壓鍵合（ Thermopression Bonding T/C bonding） 熱超聲波鍵合（ Thermosonic Bonding,T/S bonding） 打線鍵合技術(shù)介紹 （ 1）超聲波鍵合 第二章 封裝工藝流程 優(yōu)點(diǎn) ： 鍵合點(diǎn)尺寸小，回繞高度低，適合于鍵合點(diǎn)間距小、密度高的芯片連接。為降低成本有時(shí)也用鋁線。鋁合金線標(biāo)準(zhǔn)線材是鋁 1%硅。窗口為蝕刻出一定的印刷線路圖形的金屬箔片（ ）。 過(guò)去， TAB技術(shù)不受重視的原因： （ 1） TAB技術(shù)初始投資大； （ 2）開(kāi)始時(shí) TAB工藝設(shè)備不易買到，而傳統(tǒng)的引線工藝已得到充分的發(fā)展，且其生產(chǎn)設(shè)備也容易買到； （ 3）有關(guān) TAB技術(shù)資料和信息少。這樣可剔除壞芯片，不使它流入下一道工序，從而節(jié)省了成本，提高了可靠性。預(yù)先長(zhǎng)成的凸塊除了提供引腳所需要的金屬化條件外，可避免引腳與 IC芯片間可能發(fā)生短路，但制作長(zhǎng)有凸塊的芯片是 TAN工藝最大的困難。 金屬層做好后、接著涂 25微米后的光刻膠，然后用電鍍的方法制作金屬凸塊。 第二章 封裝工藝流程 第二章 封裝工藝流程 凸塊轉(zhuǎn)移技術(shù) 載帶引線與芯片凸點(diǎn)的內(nèi)引線焊接和載帶外引線焊接技術(shù) 芯片上的凸點(diǎn)和載帶制作完成后，接下來(lái)要進(jìn)行引線的焊接，這又分內(nèi)引線焊接和外引線焊接。 （ 2）雙層結(jié)構(gòu)載帶 雙層結(jié)構(gòu)載帶可用兩種方法制作。最后光刻銅帶，形成引線排。 焊接 落下加熱的熱壓焊頭，加壓一定時(shí)間，完成焊接。環(huán)氧樹(shù)脂用蓋印或點(diǎn)膠的方法涂布，可覆蓋整個(gè)芯片或僅涂布完成內(nèi)引腳鍵合的芯片表面。 第二章 封裝工藝流程 C4技術(shù)的凸緣制備主要通過(guò)電子束蒸發(fā)、濺散等工藝，將UBM(Under Bump Metallurgy)或 BLM(Ball Limiting Metallurgy)沉積在芯片的鋁焊盤上。如果形成一定高度的凸點(diǎn)需要的時(shí)間長(zhǎng)，真空濺散設(shè)備應(yīng)是多源多靶的，價(jià)格貴。 （ 2） FCB的工藝方法 FCB的工藝方法主要有以下幾種，即 熱壓 FCB法 、再 流 FCB法(C4)、 環(huán)氧樹(shù)脂光固化 FCB法 和 各向異性導(dǎo)電膠粘接 FCB法。這種 FCB技術(shù)最早起源于于美國(guó) IBM公司，又稱 C4技術(shù)，即可控塌陷芯片連接。而使用各向異性導(dǎo)電膠 (ACA)可以直接倒裝焊再玻璃基板上，稱為玻璃上芯片 (COG)技術(shù)。為了消除這種不良影響，使用 ACA倒裝焊方法要加以改進(jìn)，其中 設(shè)置尖峰狀的絕緣介質(zhì)壩 就是一種有效的方法。 ⑤對(duì)于存儲(chǔ)器等敏感器件，填充 α 放射性低的填料至關(guān)重要。 填充后要對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行固化。 第二章 封裝工藝流程 成型技術(shù) 轉(zhuǎn)移成型工藝流程 將已貼裝芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中 。 水去飛邊毛刺 用水去飛邊毛刺工藝是利用高壓的水流來(lái)沖擊模塊，有時(shí)也會(huì)將研磨料與高壓水流一起使用。 第二章 封裝工藝流程 切筋成型 切筋工藝是指切除框架外引腳之間的堤壩以及在框架帶上連在一起的地方；成型工藝則是將引腳彎成一定形狀，以適合裝配的需要。油墨打碼對(duì)表面要求較高，表面有污染油墨則打不上去。 元器件的裝配 元器件裝配在基板上的方法有 兩種 : 波峰焊 (Wave Soldering)，波峰焊主要在插孔式PTH(plated throughhole 鍍金屬通孔 )封裝型元器件裝配，表面貼裝式 SMT及混合型元器件裝配則大多使用回流焊。 按加熱方式的不同，分為氣相回流焊（焊劑 (錫膏 )在一定的高溫氣流下進(jìn)行物理反應(yīng)達(dá)到 SMD的焊接；因?yàn)槭菤怏w在焊機(jī)內(nèi)循環(huán)流動(dòng)產(chǎn)生高溫達(dá)到焊接目的，所以叫 “回流焊）、紅外回流焊、遠(yuǎn)紅外回流焊、紅外加熱風(fēng)回流焊和全熱風(fēng)回流焊。 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜技術(shù) 厚膜技術(shù)是用絲網(wǎng)印刷或噴涂等方法，將導(dǎo)體漿料、電阻漿料和介質(zhì)漿料等涂覆在陶瓷基板上制成所需圖形，再經(jīng)過(guò)燒結(jié)或聚合完成膜與基板的粘接。 這種印刷技術(shù)先用絲綢、尼龍或不銹鋼絲編織成的網(wǎng)繃緊在框架上，再將刻有導(dǎo)體或電阻圖形的有機(jī)膜或金屬箔（稱掩模）貼到絲網(wǎng)上。 第三章 厚薄膜技術(shù) 微調(diào)是厚膜元件燒結(jié)后，對(duì)其阻值或容量進(jìn)行微量調(diào)整的一種方法。 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜基板 陶瓷 金屬 樹(shù)脂 氧化鋁陶瓷基板 目前用的比較多的基板，它的主要成分是 Al2O3，基板中 Al2O3的含量通常為 %， Al2O3的含量愈高基板的性能愈好，但與厚膜的附著力較差，因此一般采用 9496% Al2O3的陶瓷。 以下進(jìn)行三種多層化方法的比較 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜多層法 特點(diǎn)： 制造靈活性大，介質(zhì)漿料可以用多種成分，不一定用基板成分。 第三章 厚薄膜技術(shù) 印刷多層法和生片疊層法 二者是利用生片容易吸收漿料中的溶劑的特點(diǎn)來(lái)制造的，它們的 優(yōu)點(diǎn) ： 線條不會(huì)滲開(kāi)變粗，可以印出分辨率很高的微細(xì)線。 焊接后的 Ag厚膜導(dǎo)體，隨時(shí)間加長(zhǎng)及溫度上升，其與基板的附著強(qiáng)度下降。因此， Ag/Pd比一般要控制在（ ： 1）～（ ： 1）。 ⑤結(jié)合強(qiáng)度。這樣既可全部排除有機(jī)粘結(jié)劑，又可提高附著力、可焊性、電導(dǎo)等性能。但這種漿料再燒成時(shí)玻璃易浮到膜層表面，從而有使引線鍵合變難的傾向。MO 漿料） 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 樹(shù)脂漿料 優(yōu)點(diǎn) 1 便宜 2 所用設(shè)備投資少 3 可得到致密、均質(zhì)、平滑的膜層 4 可光刻制取細(xì)線 5 與電阻體、絕緣體的相容性好 缺點(diǎn) 1 對(duì)所用基板表面平滑性要求高 2 對(duì)基板表面及環(huán)境的清潔度要求高 3 由于膜層薄，故導(dǎo)體電阻大 厚膜電阻與材料 厚膜電阻與厚膜導(dǎo)體、厚膜基板一樣，也是厚膜電路發(fā)展最早，工藝最成熟、應(yīng)用最廣泛的元件之一。但在高阻值情況下 RuO2并不連接在一起。 一般厚膜電阻的阻值由材料的方阻 Rs和膜的幾何尺寸決定，可以通過(guò)不同方阻值的厚膜材料和不同尺寸大小來(lái)達(dá)到所需的阻值。這樣，阻值幾乎不隨溫度而變，因而性能穩(wěn)定。 電阻溫度系數(shù)跟蹤 第三章 厚薄膜技術(shù) 厚膜材料 厚膜電阻的非線性是指加在電阻器上的電壓與通過(guò)電阻器的電流不成線性關(guān)系（即正比關(guān)系）的一種特性。 ①熱噪聲 熱噪聲是由導(dǎo)體中自由電子不規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生的一種噪聲。這種噪聲實(shí)際上是一些不規(guī)則的脈沖波，它主要產(chǎn)生在電阻膜中的高場(chǎng)區(qū)或高電阻率（高方阻）的厚膜材料中。 各成分的作用： Pd粉在燒成過(guò)程中生成 PdO,PdO起主要的導(dǎo)電作用，它的生成決定了電阻器的性能。但由于價(jià)格很貴，所以這在一些特殊場(chǎng)合使用。 ①材料組成 導(dǎo)電相通常采用碳黑和石墨，低阻中摻入少量銀粉。 4）交叉和多層布線介質(zhì)的構(gòu)成和作用 在高密度布線中，交叉和多層布線用的比較多，因厚膜電路中多層基板三層以上成品率就開(kāi)始