磁記錄薄膜和光存儲(chǔ)薄膜(更新版)
【正文】 ? （ 1）合適的詞轉(zhuǎn)變溫度，從而既保證信息改寫所需要的激光功率不會(huì)過高，又要保證薄膜的磁化狀態(tài)具有足夠的穩(wěn)定性。它是靠探測激光在凹凸不平的介質(zhì)表面反射回來的光的強(qiáng)度的變化來讀出信息的。 磁性薄膜記錄介質(zhì)的飽和磁化強(qiáng)度較高，有利于降低介質(zhì)厚度，提高記錄密度和降低成本。以分子束外延的方法在 GaAs襯底上外延制的了 Fe16N2這一 Fe的亞穩(wěn)態(tài)氮化物，據(jù)稱其飽和磁化強(qiáng)度達(dá)到 ,是一個(gè)很有希望的磁頭材料。薄膜自身飽和磁化強(qiáng)度較高，允許采用的磁性介質(zhì)厚度更小，性質(zhì)也更均勻，因此薄膜磁頭材料和薄膜磁存儲(chǔ)介質(zhì)是發(fā)展的主要方向之一。 通常的磁頭使用的是高導(dǎo)磁率的燒結(jié)鐵氧體，具有很好的軟磁性能和耐磨性，電阻率高，高頻性好。靈敏度高，信號(hào)強(qiáng)度不受磁頭運(yùn)動(dòng)速度影響，不需感應(yīng)線圈。這需要薄膜本身具有垂直的磁各向異性。 ? 可擦重寫式光盤。由于晶態(tài)與非晶態(tài)區(qū)域的光學(xué)特性不同，晶態(tài)區(qū)域?qū)獾姆瓷淠芰^強(qiáng)，透光
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