磁記錄薄膜和光存儲(chǔ)薄膜(存儲(chǔ)版)
【正文】 重要措施是繼續(xù)提高磁性薄膜材料的飽和磁化強(qiáng)度。由于磁信號(hào)的記錄密度在很大程度上取決于磁頭縫隙的寬度、磁頭的飛行高度以及記錄介質(zhì)厚度，因此就需要不斷減小磁頭體積和磁記錄介質(zhì)厚度。但磁化強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于合金軟磁材料。利用它與薄膜技術(shù)結(jié)合，可有效減小體積。 光存儲(chǔ)技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是具有高的信息存儲(chǔ)密度，因?yàn)榧す馐旧砜梢员痪劢沟胶苄〉拿娣e上。信息可被重寫，但該寫的過程需要兩次操作才能完成。因而依靠不同區(qū)域?qū)す馐姆瓷浠蛲干淠芰Φ淖兓?，就可以讀出被記錄的信息。 。 相變光存儲(chǔ) 假若激光照射功率不足以使薄膜區(qū)域熔化，但足以加熱其到晶化溫度以上的話，則激光照射區(qū)域?qū)l(fā)生凈化過程而轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)結(jié)構(gòu)?？梢烙脩粜枰淮螌懭胨涗浀男畔?，并可以反復(fù)讀取，但不能對(duì)信息進(jìn)行改寫。而在垂直磁記錄方式的情況下，記錄介質(zhì)中的磁化矢量垂直于截至平面取向的，每個(gè)磁
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