cqjaaa薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料(存儲版)
【正文】 小島，形狀將又冠球形變成圓形最后變成多面體小島。沉積速度影響：沉積速率時，臨界核半徑和形核勢壘都，新相核心較易形成。216。必要條件是吸附原子在基體表面的擴(kuò)散運(yùn)動。③熱壁外延生長(HWE)定義：一種真空沉積技術(shù)，在這一技術(shù)中外延膜幾乎在接近熱平衡條件下生長，通過加熱源材料與基片材料間的容器壁實現(xiàn)的。交流濺射：施加交流電壓。法拉第暗區(qū)：慢電子區(qū)域，壓降低，電子不易加速；濺射六種裝置：①輝光放電直流濺射②三級濺射③射頻濺射：射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù)。定義： 濺射是指荷能粒子(如正離子)轟擊靶材，使靶材表面原子或原子團(tuán)逸出的現(xiàn)象。④電子束蒸發(fā)定義：把被加熱的物質(zhì)放置在水冷坩鍋中，利用電子束轟擊其中很小一部分，使其熔化蒸發(fā)，而其余部分在坩鍋的冷卻作用下處于很低的溫度。物理氣相沉積對沉積材料和基片沒有限制。（依賴陽極反應(yīng)）、化學(xué)鍍、陽極沉積反應(yīng)：①化學(xué)鍍、陽極沉積反應(yīng)不可單獨(dú)作為鍍膜技術(shù)，一般作為前驅(qū)鍍處理襯底或后續(xù)鍍做保護(hù)層。④殘余應(yīng)力小，附著力好，且膜致密，結(jié)晶良好。用油來保持各運(yùn)動部件之間的密封，并靠機(jī)械的辦法，使該密封空間的容積周期性地增大，即抽氣；縮小，即排氣，從而達(dá)到連續(xù)抽氣和排氣的目的。電阻真空計：壓強(qiáng)越低，電阻越高 （p↓→R↑） 測量范圍105102Pa熱偶真空計：壓強(qiáng)越低，電動勢越高（p↓→?↑） 測量范圍102101Pa電離真空計：三種（BA型、熱陰極、冷陰極）A：燈絲 （發(fā)射極）F：柵極（加速極） G：收集極第二章以發(fā)生一定化學(xué)反應(yīng)為前提，由熱效應(yīng)引起或由離子的電致分離引起。缺點：①反應(yīng)溫度太高，而許多基材難以承受這樣的高溫②反應(yīng)氣體可能與設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)?；瘜W(xué)鍍需添加還原劑。優(yōu)點（相對于其他物理制備）：簡單便利、操作容易、成膜速度快、效率高、廣泛使用。優(yōu)缺點：蒸發(fā)速度快，成本高，設(shè)備復(fù)雜。優(yōu)點和缺點 參數(shù)控制較蒸發(fā)困難 但不存在分餾，不需加熱至高溫等直流輝光放電伏安特性曲線：AB:電流小，主要是游離狀態(tài)的電子，離子導(dǎo)電；電子－原子碰撞為彈性碰撞；BC: 增加電壓，粒子能量增加，達(dá)到電離所需能量；碰撞產(chǎn)生更多的帶電粒子；電源的輸出阻抗限制電壓(類似穩(wěn)壓源)。缺點：①靶材利用率低，表面不均勻濺射、非均勻腐蝕及內(nèi)應(yīng)力 ②不適用于強(qiáng)磁體磁控?zé)岱磻?yīng)濺射：加熱襯底。優(yōu)點：結(jié)合蒸發(fā)與濺射兩種薄膜沉積技術(shù)。特點：可對多種化合物半導(dǎo)體進(jìn)行外延生長。216。③由于這兩種理論所用模型的本質(zhì)差別，熱力學(xué)界面能理論所給出的有關(guān)公式預(yù)示，隨著過飽和度的變化，臨界核尺寸和成核速率連續(xù)變化；相反，原子理論則預(yù)示著它們不作連續(xù)變化。規(guī)律：吸附氣體原子的脫附激活能越高，擴(kuò)散激活能越低，形核率越大，臨界形核勢壘越低，形核率越大。溝道階段：當(dāng)島的分布達(dá)到臨界狀態(tài)時便相互聚結(jié)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，種結(jié)構(gòu)中不規(guī)則分布著寬度為50~200A的溝渠，隨著沉積繼續(xù)，溝渠很快消失，薄膜變成小孔洞的連續(xù)狀結(jié)構(gòu)，在小孔洞處將發(fā)生二次成核或三次成核，整個薄膜連成一片。條件：在襯底晶格和沉積膜晶格不相匹配（非共格）時或當(dāng)核與吸附原子間的結(jié)合能大于吸附原子與基體的吸附能時，大部分薄膜形成過程屬于這種類型。層島生長型：特點：生長機(jī)制介于島生長型和層生長型的中間狀態(tài)。對于對稱性高的分子，拉曼敏感。拉曼光譜：可見光或紫外線照射在樣品上時，出來的散射光頻率會有稍許改變，這種改變乃是由分子振動引起的。驅(qū)動力由曲率半徑R決定，為2б
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