通用vlsippt課件(更新版)
【正文】 Mn 存貯單元陣列的讀、寫n 存貯管（浮柵管） +控制管n 存貯電荷（ “擦除 ”操作）n 行選端 VPP（ +21V）n 擦 /寫端 VPP（ +21V）n 位線 BL端 0n 電子存貯到浮柵管的浮柵上n 浮柵管閾值電壓升高，處于 “1”狀態(tài)167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時(shí)間n 字?jǐn)?shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 128字 256位）n 列延遲時(shí)間167。41 只讀存貯器（ ROM）n ROMn 存貯信息的器件n 在其壽命范圍內(nèi)存貯信息不會(huì)改變n ROM的幾種發(fā)展形式n 掩膜 ROM（ Mask ROM）n 可編程 ROM（ PROM）n 可擦除可編程 ROM（ EPROM）n 電可擦除電可編程 ROM（ EEPROM）n 閃存 ROM167。n 閾值電壓 VTE=+ VTD=n 電 容 COX=345 Cj0=70167。411 掩膜 ROMn 存貯單元存取時(shí)間n 字?jǐn)?shù)和位數(shù)的組合方式n 32kbit的 NORROM（ 256字 128位）n 行延遲時(shí)間n 列延遲時(shí)間n 存取時(shí)間167。415 ROM的種類與特點(diǎn)類 型 功能特點(diǎn) 擦除方式與擦寫 時(shí)間 工 藝結(jié) 構(gòu)特點(diǎn)掩膜 ROM 只 讀 有二極管、 MOS管等 結(jié) 構(gòu)PROM 可一次改寫高 壓 脈沖 電編 程，編 程 時(shí)間 十幾微秒，需 編 程器一般 為 三極管、熔 絲結(jié) 構(gòu)紫外 線 可擦除可 編 程EPROM可多次改寫，擦除 時(shí)間長(zhǎng)紫外 線 擦除 時(shí)間20min，需 編 程器 FAMOS結(jié) 構(gòu)電 可擦除可 編程 EEPROM可改寫 100000次以上，速度快高 壓 脈沖 電 擦除，編 程 時(shí)間約 20ms，需 編 程器FLOTOX管 結(jié) 構(gòu)167。432 單管 DRAMn 存貯電容結(jié)構(gòu)n SiO2介質(zhì)電容 Cox + pn結(jié)電容 Cpnn 存貯單元剖面結(jié)構(gòu)n 多種電容結(jié)構(gòu)n 普通形式n 堆疊電容n 槽立體電容n 存貯單元的版圖167。442 可編程邏輯器件（ PLD）n PLD原理n PLD與門167。442 可編程邏輯器件（ PLD）167。443 可編程邏輯器件的開發(fā)
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