嵌入式開發(fā)常用元器件基礎(chǔ)知識(shí)(更新版)
【正文】 4~5: 12 (512Mb=64MB)。 常用 IC（七） H1102 網(wǎng)絡(luò)濾波器 /網(wǎng)絡(luò)變壓器 /網(wǎng)口變壓器 . 構(gòu)成：脈沖（隔離）變壓器、共模電感、自耦變壓器器、電容、電阻、封裝。如標(biāo)志為 53 表示 5 ， 14 和 54 分別表示 10 和 50 。 一般來說，陶瓷阻、容元件及電感、保險(xiǎn)絲類無極性；鉭質(zhì)電容有線端為正極，鋁質(zhì)電容、電解電容、二極體等有線端為負(fù)極，發(fā)光二極體長(zhǎng)端為負(fù)極；晶體及 IC類元件本體上均有極性標(biāo)記，與PCB相應(yīng)位置極性標(biāo)志對(duì)應(yīng)即可；異形零件本身并無極性，但需注意方向。常見于貼片 電阻或可調(diào)電阻上。 8G(8Gb=1GB)。 : IC腳位于本體兩側(cè) , 呈 J型向內(nèi)彎曲。 晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。 （積納）二極管 積壓（積納）二極管用字母（ ZD）表示； 和普通二極管 1/8W者相同，零件上有色碼，通常記號(hào)邊色環(huán)較粗且顏色較深。 ? 兩者都可用于處理 EMC、 EMI問題。 (C) (T/C) 規(guī)格分為： A、 B、 C、 D； 零件上通常標(biāo)有零件值和耐壓值； 有極性，記號(hào)邊為正極。從左到右前二位表示有效數(shù)， 第三位為零的個(gè)數(shù)。 1%；其表示碼為四碼例 :1502 標(biāo)志為 0 或 000 的電阻器，實(shí)際是跳線，阻值為 0 Ω 2. 排阻 (RN) 排阻用字母（ RN）表示，沒有極性。 冷焊 :錫或錫膏在回風(fēng)爐氣化后，在錫墊上仍有模糊的粒狀附著物。 1. 普通電阻 (R) 規(guī)格 1inch= 公制表示法 1206 0805 0603 0402 英制表示法 3216 2125 1608 1005 規(guī)格含義 ：指零件的長(zhǎng)度與寬度 ，如 0603規(guī)格 顏色因制造商不同而有黑底白字、綠底白字、藍(lán)底黑（白）字等； 背面皆為白色，作業(yè)時(shí)必須數(shù)字面朝上。 阻值同一般電阻一樣，以數(shù)字表示。數(shù)碼法標(biāo)注不帶單位時(shí)一律是 pF。 磁珠與電感區(qū)別 磁珠 專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。 ? 普通片式疊層電感和磁珠從 外觀 上看 沒有區(qū)別 ,如用儀器測(cè)量，磁珠沒有感量，只有電阻 ,而電感可以測(cè)出感量 ,電流 ,電阻 。 按三極管的材料及工藝特性分為 PNP三極管及 NPN三極管。 集成電路的引腳序號(hào)：將集成電路的方向標(biāo)記置左邊，標(biāo)記左下方的第 一腳為 1號(hào)腳，其它腳按逆時(shí)針方向順序?yàn)?2 、 3 、 4?? 腳 ,標(biāo)記一般為 缺口、缺角 (SIP時(shí) )、小圓點(diǎn)等。 IC: : IC腳位于本體四邊 , 呈 L型向外延伸 。 D(DDR) 常用 IC(四 ) SDRAM SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 . SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代 SDR SDRAM，第二代 DDR SDRAM，第三代 DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(顯卡上的 DDR已經(jīng)發(fā)展到 DDR5) SDRAM DDR2 (Double Data Rate 2 ) 常用 IC（五） EEPROM EEPROM (Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 ,一 種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。需要注 意的是要將這種標(biāo)志法與傳統(tǒng)的方法區(qū)別開來：如標(biāo)志為 220 的電阻器其電阻為 22 Ω ，只有標(biāo)志為 221 的電阻器其阻值才為 220 Ω
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