【摘要】第三章：熱氧化技術(shù)?.二氧化硅及其在器件中的應用–.1.SiO2的結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)–1）結(jié)構(gòu):結(jié)晶形二氧化硅（石英晶體）（2.65g/cm3）無定形（非晶）二氧化硅（石英玻璃）（2.20g/cm3
2024-12-08 11:23
【摘要】第6章集成電路器件及SPICE模型2無源器件結(jié)構(gòu)及模型二極管電流方程及SPICE模型雙極晶體管電流方程及SPICE模型結(jié)型場效應管JFET模型MESFET模型MOS管電流方程及SPICE模型SPICE數(shù)?；旌戏抡娉绦虻脑O(shè)計流程及方法3無源器件結(jié)構(gòu)及模型集
2025-07-20 06:30
【摘要】在一些電子測量儀器、裝置或產(chǎn)品中，經(jīng)常有測量電路中直流電流的需要，因此研發(fā)人員開發(fā)出各種各樣的電流檢測集成電路。它是一種I/V轉(zhuǎn)換器，將測量的電流轉(zhuǎn)換成相應的電壓，即V=kI，其中k為比例常數(shù)。另外，在一些電子產(chǎn)品中要限制輸出電流，以防止有故障時（負載發(fā)生局部短路或輸出端短路、電源輸出電壓升高等）產(chǎn)生過流而造成更大損失。檢測到有過流發(fā)生時，可以控制關(guān)斷電源或負載開關(guān)，或以限制的電流輸出。
2025-08-18 16:43
【摘要】中國最大的管理資料下載中心(收集\整理.部分版權(quán)歸原作者所有)第1頁共19頁集成電路常用單詞線路單元與支路單元Lineunitandtributaryunit鎖相Phase-lock定時基準Timingreference帶電插拔Hotplug鈴流Ringingcur
2025-08-07 18:16
【摘要】復習1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進行反應，生成SiO2。硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層，則（3-11）微分方程的解為：（tOX：是總的氧化層厚度）??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【摘要】集成電路制作合同 集成電路制作合同 立約人_________（以下簡稱甲方）與_________（以下簡稱乙方）。甲乙雙方為集成電路試制事宜，特立本合約，并同意條件如下： 第一條標的物：委...
2024-12-17 00:19
【摘要】集成電路訂購合同 集成電路訂購合同 訂購合同 2004年07月20日 定購合同 為了明確雙方責任，以利于更好地進行合作，經(jīng)雙方協(xié)商，特制定以下合同細則： 甲方（銷貨方）：深圳市思邦電...
2024-12-16 22:06
【摘要】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義：光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。二、光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應的幾何圖形，從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的。3三、工藝流程：以負膠為例來說明這八個步驟，一般可分為
2025-05-07 07:17
【摘要】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第三章集成電路制造工藝華南理工大學電子與信息學院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝2關(guān)心每一步工藝對器件性
2025-05-04 18:03
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