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正文內(nèi)容

基于ds18b20的溫度采集系統(tǒng)顯示設(shè)計(jì)說(shuō)明(更新版)

  

【正文】 ;再次取出溫度的低字節(jié)anl a,0f0h 保留高4位swap a ;換到低4位mov r5,a ;暫時(shí)保存于R5中mov a,temp5 ;取出溫度的高字節(jié)anl a,0fh ;保留低4位swap a ;換到高4位orl a,r5 ;合并成溫度的整數(shù)部分mov temp6,a ;整數(shù)部分存到TEMP6中l(wèi)call hbcd ;單字節(jié)的16進(jìn)制轉(zhuǎn)換成BCD碼mov a,temp1 ;取出百位cjne a,00h,next ;百位不為0則轉(zhuǎn)NEXTmov temp1,0ch ;為0則不顯mov a,temp2 ;取出十位cjne a,00h,nextmov temp2,0ch ;十位為0也不是next:retmuld:mov b,71hmul ab mov r7,amov r6,bmov b,02hmul abadd a,r6mov r6,aretwrite: mov r3,8 ;一個(gè)字節(jié)共8位wr1: setb ;先釋放總線(xiàn) mov r4,8rrc a ;把要寫(xiě)的字節(jié)的最低位右環(huán)移到C中clr ;把C中的位寫(xiě)到DQ總線(xiàn)中wr3:djnz r4,wr3 ;保持低電平015usmov , c。表2: DS18B20溫度數(shù)據(jù)表(3)DS18B20溫度傳感器的存儲(chǔ)器DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器TH、TL和結(jié)構(gòu)寄存器。計(jì)數(shù)器1對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)數(shù),當(dāng)計(jì)數(shù)器1的預(yù)置值減到0時(shí),溫度寄存器的值將加1,計(jì)數(shù)器1的預(yù)置將重新被裝入,計(jì)數(shù)器1重新開(kāi)始對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù),如此循環(huán)直到計(jì)數(shù)器2計(jì)數(shù)到0時(shí),停止溫度寄存器值的累加,此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值即為所測(cè)溫度。 DS18B20的主要特性(1)適應(yīng)電壓范圍更寬,電壓范圍:~,在寄生電源方式下可由數(shù)據(jù)線(xiàn)供電(2)獨(dú)特的單線(xiàn)接口方式,DS18B20在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線(xiàn)即可實(shí)現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊(3)DS18B20支持多點(diǎn)組網(wǎng)功能,多個(gè)DS18B20可以并聯(lián)在唯一的三線(xiàn)上,實(shí)現(xiàn)組網(wǎng)多點(diǎn)測(cè)溫(4)DS18B20在使用中不需要任何外圍元件,全部傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi)(5)溫范圍-55℃~+125℃,在10~+85℃時(shí)精度為177。當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),沒(méi)有兩次有效的信號(hào)。 ALE/:當(dāng)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。P3口: P3口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的雙向8位I/O口, P3口的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。作輸入口使用時(shí),因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(I)。掉電模式凍結(jié)振蕩器而保存RAM的數(shù)據(jù),停止芯片其它功能直至外中斷激活或硬件復(fù)位。最后一天進(jìn)行成果驗(yàn)收。計(jì)算說(shuō)明書(shū)部分包括方案論證報(bào)告打印版或手寫(xiě)版,程序流程圖具體程序等 圖紙部分包括具體電路原理圖打印版 設(shè)計(jì)要求還包括利用一天時(shí)間進(jìn)行資料查閱與學(xué)習(xí)討論,利用5天時(shí)間在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行分散設(shè)計(jì),最后三天編寫(xiě)報(bào)告。此外,AT89S51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式,空閑模式,CPU暫停工作,而RAM、定時(shí)/計(jì)數(shù)器、串行通信口、外中斷系統(tǒng)可繼續(xù)工作。對(duì)端口寫(xiě)“1”,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口。在Flash編程或校驗(yàn)時(shí),P2亦接收高位地址和其它控制信號(hào)。 DISRTO位缺省為RESET輸出高電平打開(kāi)狀態(tài)。:程序存儲(chǔ)允許()輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89S51由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次有效,即輸出兩個(gè)脈沖。XTAL2:反向振蕩放大器器的輸出端。計(jì)數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在-55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。例如+125℃的數(shù)字輸出為07D0H,+℃的數(shù)字輸出為0191H,℃的數(shù)字輸出為FF6FH,55℃的數(shù)字輸出為FC90H。給DQ一個(gè)復(fù)位低電平djnz r2,l1 ;保持低電平的時(shí)間至少為480ussetb ;再次拉高DQ釋放總線(xiàn)mov r2,25l2:djnz r2,l2 ;保持15us60usclr corl c, ;判斷是否收到低脈沖jc l0mov r6,100l3:orl c,djnz r6,l3 ;存在低脈沖保持60us240us。對(duì)我們而言,知識(shí)上的收獲重要,精神上的豐收
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