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高中物理帶電粒子在磁場中的運動技巧(很有用)及練習題(更新版)

2025-04-05 04:09上一頁面

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【正文】 :s=R+Rsinθ又: 解得: 故3.如圖所示,MN為絕緣板,CD為板上兩個小孔,AO為CD的中垂線,在MN的下方有勻強磁場,方向垂直紙面向外圖中未畫出,質(zhì)量為m電荷量為q的粒子不計重力以某一速度從A點平行于MN的方向進入靜電分析器,靜電分析器內(nèi)有均勻輻向分布的電場電場方向指向O點,已知圖中虛線圓弧的半徑為R,其所在處場強大小為E,若離子恰好沿圖中虛線做圓周運動后從小孔C垂直于MN進入下方磁場.求粒子運動的速度大??;粒子在磁場中運動,與MN板碰撞,碰后以原速率反彈,且碰撞時無電荷的轉(zhuǎn)移,之后恰好從小孔D進入MN上方的一個三角形勻強磁場,從A點射出磁場,則三角形磁場區(qū)域最小面積為多少?MN上下兩區(qū)域磁場的磁感應強度大小之比為多少?粒子從A點出發(fā)后,第一次回到A點所經(jīng)過的總時間為多少?【答案】(1);(2);;(3)。已知質(zhì)子質(zhì)量為m,電量為e;加速極板AB、A′B′間電壓均為U0,且滿足eU0=mv02。一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子,從x軸上的P點以大小為v0的速度垂直射入電場,不計粒子重力和空氣阻力,P、O兩點間的距離為 。.不考慮電子所受的重力.(1)求電子進入圓形區(qū)域時的速度大小和勻強電場場強E的大??;(2)若在圓形區(qū)域內(nèi)加一個垂直紙面向里的勻強磁場,使電子穿出圓形區(qū)域時速度方向垂直于x軸.求所加磁場磁感應強度B的大小和電子剛穿出圓形區(qū)域時的位置坐標;(3)若在電子剛進入圓形區(qū)域時,在圓形區(qū)域內(nèi)加上圖乙所示變化的磁場(以垂直于紙面向外為磁場正方向),最后電子從N點處飛出,速度方向與進入磁場時的速度方向相同.請寫出磁感應強度B0的大小、磁場變化周期T各應滿足的關系表達式.【答案】(1) (2) (3) (n=1,2,3…) (n=1,2,3…)【解析】(1)電子在電場中作類平拋運動,射出電場時,速度分解圖如圖1中所示.由速度關系可得: 解得: 由速度關系得:vy=v0tanθ=v0在豎直方向: 而水平方向: 解得: (2)根據(jù)題意作圖如圖1所示,電子做勻速圓周運動的半徑R=L根據(jù)牛頓第二定律: 解得: 根據(jù)幾何關系得電子穿出圓形區(qū)域時位置坐標為( ,)(3)電子在在磁場中最簡單的情景如圖2所示.在磁場變化的前三分之一個周期內(nèi),電子的偏轉(zhuǎn)角為60176。設此后粒子做圓周運動的軌跡半徑為r,則有幾何關系可知又因為,所以,代入數(shù)據(jù)可得10.如圖,PQ分界線的右側(cè)空間有一垂直紙面向里、磁感應強度為B的勻強磁場。qvB=,R=利用①式得離子在磁場中的軌道半徑為別為(如圖一所示):粒子經(jīng)D點時速度的偏向角(偏離原方向的夾角)θ=60176。電子運動的軌道半徑變?yōu)?r,粒子在x軸方向上的位移恰好等于2r.綜合上述分析,則電子能到達N點且速度符合要求的空間條件是:3rn=2L(n=1,2,3…)而: 解得: (n=1,2,3…)應滿足的時間條件為: (T0+T′)=T而: 解得 (n=1,2,3…)點睛:本題的靚點在于第三問,綜合題目要求及帶電粒子運動的半徑和周期關系,則符合要求的粒子軌跡必定是粒子先在正B0中偏轉(zhuǎn)60176?!敬鸢浮浚?); (2)【解析】【詳解】(1)由動能定理有: 解得:v=v0設此時粒子的速度方向與y軸負方向夾角為θ,則有cosθ= 解得:θ=45176。高中物理帶電粒子在磁場中的運動技巧(很有用)及練習題一、帶電粒子在磁場中的運動專項訓練1.歐洲大型強子對撞機是現(xiàn)在世界上最大、能量最高的粒子加速器,是一種將質(zhì)子加速對撞的高能物理設備,其原理可簡化如下:兩束橫截面積極小,長度為l0質(zhì)子束以初速度v0同時從左、右兩側(cè)入口射入加速電場,出來后經(jīng)過相同的一段距離射入垂直紙面的圓形勻強磁場區(qū)域并被偏轉(zhuǎn),最后兩質(zhì)子束發(fā)生相碰。(1)求粒子進入磁場時的速度大小v以及進入磁場時到原點的距離x;(2)若粒子由第Ⅳ象限的磁場直接回到第Ⅲ象限的電場中,求磁場磁感應強度的大小需要滿足的條件。設電子運動的軌道半徑為r,運動的T0,粒子在x軸方向上的位移恰好等于r1;在磁場變化的后三分之二個周期內(nèi),因磁感應強度減半,電子運動周期T′=2T0,故粒子的偏轉(zhuǎn)角度仍為60176。一質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子以速度v0沿AC方向由A點射入。R1= ,R2=…②兩種離子在GA上落點的間距s=2(R1?R2)= …③(3)質(zhì)量為m1的離子,在GA邊上的落點都在其入射點左側(cè)2R1處,由于狹縫的寬度為d,因此落點區(qū)域的寬度也是d(如圖二中的粗線所示).同理,質(zhì)量為m2的離子在GA邊上落點區(qū)域的寬度也是d(如圖二中的細線所示).為保證兩種離子能完全分離,兩個區(qū)域應無交疊,條件為2(R1R2)>d…④利用②式,代入④式得:2R1(1?)>dR1的最大值滿足:2R1m=Ld得:(L?d)(1?)>d求得最大值:dm=L
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