【正文】 板，達(dá)到準(zhǔn)確的錫膏轉(zhuǎn)移。 表七、 BGA元件安裝的焊盤圖形 接觸點(diǎn)間距 （基本的） 標(biāo)準(zhǔn)球直徑 焊盤直徑 (mm) 最小 名義 最大 最小 最大 有些公司企圖為所有密間距的ＢＧＡ應(yīng)用維持一個(gè)不變的接觸點(diǎn)直徑。 圖三、ＢＧＡ的焊盤可以通過化學(xué)腐蝕的圖案來界定， 無阻焊層或有阻焊層疊加在焊盤圓周上（阻焊層界定） 銅定義焊盤圖形 － 通過腐蝕的銅界定焊盤圖形。 超過２０家主要的ＩＣ制造商和封裝服務(wù)提供商已經(jīng)采用了 μＢＧＡ封裝。 考慮封裝技術(shù) 元件的環(huán)境與電氣性能可能是與封裝尺寸一樣重要的問題。許多公司已經(jīng)選擇對(duì)較低Ｉ／Ｏ數(shù)的ＣＳＰ不采用０．５０ｍｍ間距。方形輪廓覆蓋的尺寸從７．０－５０．０，三種接觸點(diǎn)間隔 － １．５０，１．２７和１．００ｍｍ。每一個(gè)制造商都將企圖將其特殊的結(jié)構(gòu)勝任用戶所定義的應(yīng)用。為密間距 ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ 開發(fā)焊盤的設(shè)計(jì)者必須建立一個(gè)可靠的焊接連接所要求的最小腳尖與腳跟，以及在元件封裝特征上允許最大與最小 或至少 的材料條件。 用于焊盤的輪廓公差方法的方式與元件的類似。雖然在ＩＰＣ標(biāo)準(zhǔn)中的焊盤已經(jīng)為使用者的多數(shù)裝配應(yīng)用提供一個(gè)穩(wěn)健的界面 ，但是一些公司已經(jīng)表示了對(duì)采用最小焊盤幾何形狀的需要，以用于便攜式電子產(chǎn)品和其它獨(dú)特的高密度應(yīng)用。 一級(jí) ：最大 － 用于低密度產(chǎn)品應(yīng)用， “最大 ”焊盤條件用于波峰或流動(dòng)焊接無引腳的片 狀元件和有引腳的翅形元件。雖然焊盤圖案是在尺寸上定義的，并且因?yàn)樗怯≈瓢咫娐穾缀涡螤畹囊徊糠?，它們受到可生產(chǎn)性水平和與電鍍、腐蝕、裝配或其它條件有關(guān)的公差的限制。 高密度電子產(chǎn)品的開發(fā)者越來越受到幾個(gè)因素 的挑戰(zhàn)：物理 復(fù)雜元件上更密的引腳間隔 、財(cái)力 貼裝必須很精密 、和環(huán)境 許多塑料封裝吸潮，造成裝配處理期間的破裂 。為便攜式產(chǎn)品的高密度電路設(shè)計(jì)應(yīng)該為裝配工藝著想?？墒?，展望未來，一些已經(jīng)在供應(yīng)微型旁路孔、序列組裝電路板的公司正大量投資來擴(kuò)大能力。 在環(huán) 境上，焊盤幾何形狀可能不同，它基于所用的安裝電子零件的焊接類型。 ２ )．一些方程式可用來改變給定的信息，以達(dá)到一個(gè)更穩(wěn)健的焊接連接，這是用于一些特殊的情況，在這些情況中用于貼裝或安裝設(shè)備比在決定焊盤細(xì)節(jié)時(shí)所假設(shè)的精度有或多或少的差別。最小焊盤幾何形狀的選擇可能不適合于所有的產(chǎn)品。如圖二所示，最小的焊接點(diǎn)或焊盤突出是隨著公差變量而增加的（表二） 。當(dāng)焊盤在其最大尺寸時(shí)，結(jié)果可能是最小可接受的焊盤之間的間隔；相反，當(dāng)焊盤在 其最小尺寸時(shí)，結(jié)果可能是最小的可接受焊盤，需要達(dá)到可靠的焊接點(diǎn)。在技術(shù)引線排列時(shí)的另一個(gè)要面對(duì)的問題是芯片的方向 芯片模塊的焊盤向上或向下 。方形ＢＧＡ，ＪＥＤＥＣ ＭＳ－０２８定義一種較小的矩形塑料ＢＧＡ元件類別，接觸點(diǎn)間隔為１．２７ｍｍ。 封裝尺寸范圍從４．０－２１．０ｍｍ，總的高度 (定義為 “薄 的輪廓 ”)限制到從貼裝表面最大為１．２０ｍｍ。直徑上小至０．２５ｍｍ的焊盤之間的間隔寬度只夠連接一根０．０８ｍｍ（０．００３ ″）寬度的電路。 μＢＧＡ使用一種高級(jí)的聚酰胺薄膜作為其基體結(jié)構(gòu)，并且使用半加成銅電鍍工藝來完成芯片上鋁接合座與聚酰胺內(nèi)插器上球接觸座之間的互連。焊盤直徑應(yīng)該不大于封裝上接觸點(diǎn)或球的直徑，經(jīng)常比球接觸點(diǎn)規(guī)定的正常直徑?。保埃?。如前面所說的，ＢＧＡ的焊盤一般是圓 形的、阻焊界定或腐蝕 阻焊脫離焊盤 界定的。那些采用密間距ＢＧＡ封裝變量的可能發(fā)現(xiàn)焊盤中的旁路孔 (微型旁路孔 )更加實(shí)際，特別如果元件密度高，必須減少電路布線。雖然形狀和尺寸可以對(duì)不同的應(yīng)用分別對(duì)待，但是大多數(shù)設(shè)備制造商都認(rèn)同１．０ｍｍ（０．０４０ ″）直徑的實(shí)心點(diǎn)。在銅箔上電鍍錫或錫／鉛合金作為抗腐蝕層是非常常見的制造方法。 通常要求預(yù)處理安裝座的應(yīng)用是超密間距ＱＦＰ元件。作為控制在密間距元件的安裝座上均勻錫膏量的方法，表面必須盡可能地平整。例如用錫／鉛涂層，板插入熔化的焊錫中，然后抽出和用強(qiáng)風(fēng)將多余的錫／鉛材料去掉。多次暴露的能力是重要的。 每一個(gè)電鍍和涂鍍工藝都有其優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)。在北美，ＨＡＳＬ工藝傳統(tǒng)上主宰ＰＣＢ工業(yè)，但是表面的均勻性難于控制。多數(shù)表面貼裝的ＰＣＢ以阻焊層覆蓋，但是阻焊層的涂敷，如果 厚度大于０．０４ｍｍ（０．００１５ ″），可能影響錫膏的應(yīng)用。 結(jié)論 密間距 (ｆｉｎｅ－ｐｉｔｃｈ )、ＢＧＡ和ＣＳＰ的裝配工藝可以調(diào)整到滿足可接受的效率水平，但是彎曲的引腳和錫膏印刷的不持續(xù)性經(jīng)常給裝配工藝合格率帶來麻煩。雖然密間距的芯片規(guī)模 (ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ )與芯 片大小的元件被看作是新出現(xiàn)的技術(shù)，但是主要的元件供應(yīng)商和幾家主要的電子產(chǎn)品制造商已經(jīng)采用了一兩種ＣＳＰ的變化類型。 （ 4）對(duì)單片機(jī)使用電源監(jiān)控及看門狗電路，如： IMP809， IMP706， IMP813， X25043， X25045 等，可大幅度提高整個(gè)電路的抗干擾性能。 ●對(duì)于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和 ROM、 RAM 等存儲(chǔ)型器件，應(yīng)在芯片的電源線（ Vcc）和地線（ GND）間直接接入去耦電容。設(shè)計(jì)成本 圖 1：顯示三種特定傳輸線的（數(shù)字） IC 之間典型互聯(lián)圖 圖 2： IC 去耦電路。 因此，相鄰線路應(yīng)盡可能細(xì)，而上下排列的則相反（通常距離小于 樹脂的厚度）。這時(shí)則需要在盡可能靠近IC 管腳的地方加入另外一個(gè)小陶瓷電容（ 100100Pf） ,與 LF去耦電容并聯(lián)。 因此，對(duì)每個(gè) IC 采用適當(dāng)?shù)娜ヱ罘椒ǎ?Lchoke+ 一條傳輸線。由于對(duì)產(chǎn)品的 EM 輻射有強(qiáng)制性要求，因此環(huán)路區(qū)域的面積和線路長度都受到限制，如果采用非屏蔽外殼，這種限制將直接由 PCB來實(shí)現(xiàn)。 從這一等式可計(jì)算出某 種邏輯系列電路在某一時(shí)鐘速率下最大環(huán)路面積，表 5 給出了相應(yīng)的環(huán)路面積。所有的接頭要盡可能靠近放置，以防止外部電流流過 PCB上的線路或參考地。好的屏蔽電纜應(yīng)配備合適的連接頭。對(duì)于位于產(chǎn)品外部的電纜來說，如果傳送 10kHz 以上時(shí)鐘速率的數(shù)據(jù)信號(hào)，則一定要用到屏蔽（產(chǎn)品要求），屏蔽部分應(yīng)在電纜的兩端連接到地（金屬外殼產(chǎn)品），這樣能確保對(duì)電場和磁場都進(jìn)行屏蔽。 如果所用的時(shí)鐘速率超過 30MHz，就必須要采用多層電路板，在這種情況下，環(huán)氧樹脂的厚度與層數(shù)有關(guān)，在 60 至 300μm 之間。 圖 3：正確的去耦電路塊。與電源管腳串聯(lián)的 50mm 印制線路相當(dāng)于一個(gè) 50hH 電感，與輸出端的負(fù)載（典型值為 50pF）一起決定了最小上升時(shí)間為 。 如果每個(gè) IC 都有去耦電容，信號(hào)回路電流可選擇最方便的路徑， VEE 或者 VCC，這可以由傳送信號(hào)的線路和電源線路間的互耦來決定。如果傳輸線導(dǎo)體間耦合不夠，可采用鐵氧體磁環(huán)。 邏輯電路噪聲容限 （二）、信號(hào)線路及其信號(hào)回路 傳送信號(hào)的線路要與其信號(hào)回路盡可能 靠近，以防止這些線路包圍的環(huán)路區(qū)域產(chǎn)生輻射，并降低環(huán)路感應(yīng)電壓的磁化系數(shù)。電磁屏蔽的成本 當(dāng)采用非屏蔽外殼產(chǎn)品結(jié)構(gòu)時(shí)，尤其要注意產(chǎn)品的整體成本