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基于at89s51單片機(jī)的太陽能控制器設(shè)計(jì)與制作畢業(yè)論文(完整版)

2025-07-05 01:24上一頁面

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【正文】 M=1。 delay(3)。 for (i=0。 PWM=0。 sbit LED2 =P2^1。本設(shè)計(jì)采用密封型鉛酸電池,設(shè)計(jì)的蓄電池電壓值為: 12V,充滿斷開電壓為: ~ ;恢復(fù)連接電壓為: 。反之,光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管的電流近 似為零,輸出端兩管腳間的電阻很大,相當(dāng)于開關(guān)斷開。10mA; ●總峰值輸入電流 (所有輸入端 ): 177。 圖 9 系統(tǒng) PCB 圖 作品實(shí)物 圖 10 作品實(shí)物圖(正面) 圖 11 作品實(shí)物圖(背面) 3 主要器件介紹 AT89S51 單片機(jī) AT89S51 單片機(jī) 是 ATMEL 公司 生產(chǎn)的 低功耗 , 高性能 CMOS 8 位單片機(jī),片內(nèi)含 4k Bytes ISP(Insystem programmable)的可反復(fù)擦寫 1000 次的 Flash 只讀程序存儲器,器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)制造,兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51 指令系統(tǒng)及 80C51 引腳結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)集成了通用 8 位中央處理器和 ISP Flash 存儲單元,功能強(qiáng)大的微型計(jì)算機(jī)的 AT89S51 可為許多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高性價比的解決方案 [1]。 圖 4 電壓采集電路 光耦開關(guān)電路 當(dāng)輸入信號 C1 為低電平時,光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管的電流近似為零,輸 出端兩管腳間的電阻很大,相當(dāng)于開關(guān) “斷開 ”;當(dāng) C1 為高電平時,光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光,輸出端兩管腳間的電阻變小,相當(dāng)于開關(guān) “接通 ”,此時從 U5 輸入的電壓經(jīng)光耦流向接地端, K1 處的電壓接近為零, MOSEFT 的 Vgs0,當(dāng) S 極電壓達(dá)到一定值時, Q1 導(dǎo)通。所使用的 MOSFET 是電壓控制單極性金屬氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,所需驅(qū)動功率較小。 Y11 1 M H Z R9 1 0 kR5 5 kR75 k C647C747X1X2X1 X2D1 U5 U4 C1 1 0 0 u FD2 V C CC5 1 0 u FR S TR S TC4 1 0 4C3 1 0 0 u FQ2 K1V C CK1V C CR6 R8 C2C1C L K 2C L K 1D O 1D O 2C S 1C S 2C1C2K2K2V C CV C C V C CV i nV i nA D 1A D 2C L K 1V C CU4D O 1V i nC S 1C S 21234J1C O N 4D O 2C L K 2123456J2C O N 6RL V i n1GND2V o u t3T1 L M 7 8 0 512B1 Q1 D3 R 1 0 2 0 0D4 R 1 1 2 0 0V C CR S T9R X D / P 3 .010I N T 0 / P 3 .212I N T 1 / P 3 .313T 0 / P 3 . 414T 1 / P 3 . 515E A / V P P31X T A L 119P 0 .0 / A D 039P 0 .1 / A D 138P 0 .2 / A D 237P 0 .3 A D 336P 0 .4 / A D 435P 0 .5 / A D 534P 0 .6 / A D 633P 0 .7 / A D 732P 1 .01P 1 .12P 1 .23P 1 .34P 1 .45M O S I / P 1 .56M I S O / P 1 .67S C K / P 1 .78P 2 .0 / A 821P 2 .1 / A 922P 2 .2 / A 1 023P 2 .3 / A 1 124P 2 .4 / A 1 225P 2 .5 / A 1 326P 2 .6 / A 1 427P 2 .7 / A 1 528A L E / P R O G30T X D / P 3 .111W R / P 3 .616R D / P 3 .717P S E N29X T A L 218G N D20V C C40U1 A T 8 9 S 5 1R E F +1A I N2R E F 3G N D4CS5DO6C L K7V C C8U2T L C 5 4 9R E F +1A I N2R E F 3G N D4CS5DO6C L K7V C C8U3T L C 5 4 9C24 7 0 u FR15 0 kR25kR45kR35 0 k12 B2A D 1 A D 2U4 圖 2 系統(tǒng)設(shè)計(jì)電路圖 蓄電池充電方式 作為太陽能儲能用的蓄電池由于存在過放、過充、使用壽命短等問題,要選擇合適的充放電方式。單片機(jī)輸出經(jīng)光耦驅(qū)動 MOSFET 管來控制外接電路開啟關(guān)閉。對于水電資源缺乏的地區(qū)或者用電超負(fù)荷的城市開發(fā)新能源是當(dāng)務(wù)之急。設(shè)計(jì)使用 PWM(脈寬調(diào)制)控制技術(shù)來控制蓄電池充放電,通過控制 MOSFET 管開啟和關(guān)閉達(dá)到控制電池充放電的目的。它同以往其他電源發(fā)電原理完全不同,具有以下特點(diǎn): ; ; 資源分布地域的限制; ; ; 時間短??刂?MOSFET管導(dǎo)通的方式是脈沖寬度調(diào)制 (PWM),根據(jù)程序設(shè)計(jì)的載荷變化來調(diào)制 MOSFET 管柵的偏置,達(dá)到實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。 充放電電路 電路由防反充二極管 D濾波電容 C續(xù)流二極管 D MOSFET 管 Q濾波電容 C MOSFET 管 Q1 等構(gòu)成。電路如圖 3。 V C CV C CR EF +1A I N2R EF 3G N D4CS5DO6C LK7V C C8U2T LC 5 4 9A D 1 圖 7 A/D 轉(zhuǎn)換電路 單片機(jī)電源電路 單片機(jī)對電源質(zhì)量要求嚴(yán)格,只有波形穩(wěn)定清晰的電源才能使單片機(jī)上電復(fù)位,否則無法上電復(fù)位,晶振不能起振,單片機(jī)就不工作。典型功耗值為 6mW。光耦合器一般由三部分組成:光的發(fā)射、光的圖 13 TLC549 管腳 圖 圖 接收及信號放大。 在這個過程中,光電池本身不發(fā)生 任何化學(xué)反應(yīng),也沒有轉(zhuǎn)動磨損,因此使用太陽能電池的過程中沒有噪聲,沒有環(huán)境污染,這是其他方式發(fā)電所不能比擬的。 /* 數(shù)據(jù)輸出 */ sbit FuZai = P1^1 。 TL0=(6553650)%256。 CS = 1。 _nop_()。//打開負(fù)載 if(battery_v186)//蓄電池電壓大于 10V { LED1=1。 LED2=1。測試所用的蓄電池規(guī)格: 12V, 36Ah。通過采集太陽能電池的電壓電流實(shí)現(xiàn)太陽能電池最大功率跟蹤,并檢測蓄電池的端電壓,防止蓄電池的過充及過放。 在本設(shè)計(jì)中已經(jīng)提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,但由于能力有限,所以沒有對太陽電池進(jìn)行最大功率跟蹤設(shè)計(jì),沒能更進(jìn)一步提高太陽能的利用效率。如果存在弄虛作假、抄襲的情況,本人愿承擔(dān)全部責(zé)任。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! 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