【正文】 pazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 UE9aQGn8xp$Ramp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。最后就是調(diào)試，這一步花了幾天時(shí)間，覺得做設(shè)計(jì)最麻煩的還是調(diào)試 ，有時(shí)出不來結(jié)果，但不知問題出在哪。 } 5 測(cè)試分析 由于太陽能電池價(jià)格比較貴，所以設(shè)計(jì)中使用 12V 直流電源模擬太陽能電池。 FuZai=1。 uchar i。 /* AD 片選信號(hào) */ sbit DOUT = P0^1。本設(shè)計(jì)采用 IRF9540N P溝道場效應(yīng)管，以下是 IRF9540N 的一些參數(shù) ： VGS=0V,ID=250uA VGS=10V,ID=11A VDS=VGS,ID=250uA VDS=50V,ID=11A VDS=80V VGS=0V,IDSS=250uA VGS=20V,IGSS=100nA 光耦 光耦合器 是 以光為媒介傳輸電信號(hào)。需要采集的信號(hào)從 2 管腳 AIN 輸入， 1 管腳的基準(zhǔn)電壓使用 5V， 7 三管腳連單片機(jī)。 蓄電池的電壓在 之間為快充；蓄電池的電壓在 之間為浮充；蓄電池的電壓為 時(shí)停止充電。太陽光沒有地域的限制無論陸地或海洋，無論高山或島嶼，都處處皆有，可直接開發(fā)和利用，且勿須開采和運(yùn)輸。我國的西部地區(qū)，包括西藏、新疆、青海、內(nèi)蒙古、四川等省年日照時(shí)間長，這些地區(qū)面積寬廣、人口密集低，在一些偏僻的地區(qū)傳統(tǒng)的供電設(shè)施建設(shè)成本高，電能的供需矛盾顯得十分突出，因此當(dāng)?shù)卣浞掷锰柲馨l(fā)電解決無電地區(qū)的用電具有重大的戰(zhàn)略意義。所有的蓄電池充電過程都有快充、過充和浮充 3 個(gè)階段，每個(gè)階段都有不同的充電要求。 R5 5 kR75 k U5 U4 K1R6 R8 C2C1K2U4V i n 圖 5 光耦開關(guān)電路 單片機(jī)及其外圍電路 本設(shè)計(jì)使用 AT89S51 單片機(jī)，單片機(jī)及其外圍電路包括上電復(fù)位電路，晶振， LED指示燈如圖 6 所示 ，其中 D D4 為高電平有效，用來顯示工作狀態(tài)。30mA； ●工作溫度：－ 55℃ ～ 125℃ MOSEFT 管 MOSEFT 管是利用電場效應(yīng)來控制電流的，由金屬、氧化物和半導(dǎo)體制成，由于場效應(yīng)管的柵極被絕緣層 (例如 SiO2)隔離，因此其輸入電阻可達(dá) 109歐以上。 圖 14 光耦合器 圖 15 太陽能電池產(chǎn)生光伏效應(yīng) 4 軟件設(shè)計(jì) 程序主要流程圖 開 始初 始 化 變 量電 壓 采 集V b a t 1 4 . 5 VV b a t 1 2 V浮 充 充 電停 止 充 電YYNNV b a t 1 0 . 8 V快 速 充 電YN停 止 放 電結(jié) 束 主要 C 程序 include //51 芯片管腳定義頭文件 include //內(nèi)部包含 _nop_()。 LED1=1。 /* 延時(shí) 21us 以上 */ return(data_out)。//關(guān)閉負(fù)載 } } } void timer0() interrupt 1 //定時(shí)器 0，用來產(chǎn)生 PWM { TH0=(6553650000)/256。開始畫 PCB 圖是使用自動(dòng)布線加手工修改，但是設(shè)成以單層板的形式自動(dòng)布線，生成的 PCB 圖走線彎彎區(qū)區(qū)太不規(guī)則，后來使用以雙層面板的形式自動(dòng)布線，然后將 TopLayer 層手工修改，得到的 PCB 圖走線才像塊板。 UE9aQGn8xp$Ramp。 ksv*3tnGK8! z89Am UE9aQGn8xp$Ramp。 ksv*3t nGK8! z8vGt YM*Jgamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 ksv*3t nGK8! z89Am v^$UE9wEwZQcUE%amp。ksv*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。qYpEh5pDx2zVkumamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YW v*3t nGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn%Mz849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWv*3tnGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3tnGK8! z89Am YWv*3t nGK8!z89Am YW pazadNuKNamp。 MuWFA5u x^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuKNamp。 ksv*3t nGK8! z89Am YWpazadNuGK8!z89Am YWpazadNuKNamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gjqv^$UE9wEwZQcUE% amp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRr Wwc^vR9CpbK! zn% Mz849Gx^Gj qvadNuKNamp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 MuWFA5uxY7JnD6YWRrWwc^vR9amp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 QA9wkxFyeQ^! djsXuyUP2kNXpRWXm Aamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkumamp。 qYpEh5pDx2zVkum amp。 最后，自己之所以能順利完成，還是要感謝還是自己的父母，如果沒有他們每日辛苦的勞動(dòng)與從小對(duì) 我學(xué)習(xí)有著嚴(yán)格要求和培養(yǎng)我嚴(yán)格做人做事的態(tài)度，正是他們的養(yǎng)育和教導(dǎo)，才有了今天的我現(xiàn)在的成績。 以下是模擬充電得到的參數(shù)：當(dāng)模擬蓄電池的電壓低于 10V， MOSFET 管 Q2 關(guān)閉停止對(duì)負(fù)載供電，同時(shí)紅燈亮；當(dāng)模擬蓄電池的電壓在 10V12V 之間， Q1 導(dǎo)通對(duì)蓄電池充電，同時(shí)綠燈亮；當(dāng)模擬蓄電池的電壓在 12V14V 之間， PWM 充電，同時(shí)綠燈亮；當(dāng)模擬蓄電池的電壓高于 14V， MOSFET 管 Q1 關(guān)閉停止充電，同時(shí)兩個(gè)燈 亮。 } } else { TR0=0。 data_out = (data_out1)|DOUT。 } } /*************************************/ void init()//初始化函數(shù) { TMOD=0x01。具有很強(qiáng)的光伏效應(yīng)半導(dǎo)體材料，當(dāng)吸收一定能量的光子后其內(nèi)部導(dǎo)電的載流子分布和濃度發(fā)生變化。具有 4MHz 片內(nèi)系統(tǒng)時(shí)鐘和軟、硬件控制電路，轉(zhuǎn)換時(shí)間最長 17μs， TLC548 允許的最高轉(zhuǎn)換速率為 45 500 次 /s，TLC549 為 40 000 次 /s。當(dāng)光耦 U5 導(dǎo)通時(shí)，由于 Q1 的 G 極電壓很小， G 極近似接地， Vgs0，當(dāng) S 極電壓達(dá)到一定值時(shí)， Q1 導(dǎo)通。本設(shè)計(jì)以 ATMEL 系列 AT89S51 單片機(jī)為控制中心的軟硬件的結(jié)合，使用并聯(lián)在電池兩端的兩個(gè)串聯(lián)電阻，以分壓方式對(duì)蓄電池、太陽能電池的電壓進(jìn)行采樣，送到 A/D 轉(zhuǎn)換得到一個(gè)數(shù)字信號(hào)的電壓值，再將信號(hào)送入到單片機(jī)中進(jìn)行處理。 本 科 生 畢 業(yè) 論 文（設(shè) 計(jì)） 論文（設(shè)計(jì)）題目： 基于 AT89S51 單片機(jī)的太陽能控制器 設(shè)計(jì)與制作 2020 年 5 月 目 錄 中文摘要 ................................................................................................................................... 1 1 研究意義與功能介紹 ........................................................................................................... 1 2 電路設(shè)計(jì) ................................................................................................................................ 2 主原理圖 ...................................................................................................................... 2 蓄電池充電方式 .......................................................................................................... 3 充放電電路 .................................................................................................................. 3 電壓采集電路 .............................................................................................................. 4 光耦開關(guān)電路 .............................................................................................................. 4 單片機(jī)及其外圍電路 .................................................................................................. 5 A/D 轉(zhuǎn)換電路 .............................................................................................................. 6 單片機(jī)電源電路 .......................................................................................................... 6 PCB 圖 ......................................................................................................................... 7 作品實(shí)物 .................................................................................................................... 7 3 主要器件介紹 ..............................