cmos制造工藝及流程——good(完整版)
【正文】 3? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 。 2023/1/31 18:28:1518:28:1531 January 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 沒有針孔和裂紋等表面缺陷是對(duì)鈍化層質(zhì)量的最基本要求。 通孔的形成，主要通過通孔接觸電阻來評(píng)價(jià)。202。 用作 IC的互連線216。LDD結(jié)構(gòu)是通過低能注入 P或 As形成輕摻雜 N區(qū)，并在多晶硅側(cè)面形成氧化物側(cè)墻，然后利用側(cè)墻作為掩膜注入 As形成N+區(qū)。調(diào)閾值注入 一般為 1次普注，有時(shí)候根據(jù)設(shè)計(jì)的需要會(huì)增加 1次 P溝選擇性注入。15隔離技術(shù) (LOCOS 圖）16隔離技術(shù) (LOCOS 工藝流程）17隔離技術(shù) (改善 LOCOS ）? 右圖為部分在線使用的 LOCOS工藝。5二，阱的形成（用途）P 阱（ Well or called Tub）的形成 . 阱的作用是在一種摻雜類型的襯底上（ N或P）可以制作兩種器件 (CMOS)。1Main content? single Poly double metal process flow introduce。 根據(jù)原始襯底和阱的類型， CMOS工藝可以分為： Pwell工藝、 Nwell工藝和 Twinwell工藝。? 在線降低 有： 1，降低場氧厚度； 2，增加 SIN厚度，降低 PAD OXIDE 厚度； 3，場氧后增加回刻。在溝注前常常生長一層預(yù)柵氧做 為表面注入保護(hù)層。34源漏的制備 (工藝流程）35SiO2源漏的制備 (流程圖 CROSS SECTION）PLDD?NLDD and PLDD IMPLPolyNWellSi(P)PWellNLDD36源漏的制備 (流程圖 CROSS SECTION）?LPTEOS Deposition LPTEOSNWellSiO2Si(P)PWellNLDDPLDDPoly37源漏的制備 (流程圖 CROSS SECTION）?Spacer etchPolySpacerNWellSiO2Si(P)PWellNLDDPLDD38源漏的制備 (流程圖 CROSS SECTION）Poly?NS/D and PS/D SpacerNWellSiO2Si(P)PWellNS/DPS/D39六，孔的形成 D1采用 TEOS+BPTEOS，其中未摻雜的TEOS可以阻擋高溫回流過程中 BPTEOS中的雜質(zhì)向 POLY及襯底中的擴(kuò)散； BPTEOS中 B， P含量要控制在 35%。 金屬層的材料很多種： ALSi； ALSiCu； Cu 當(dāng)孔尺寸較小時(shí)如 ，為 改善臺(tái)階覆蓋，熱 AL工藝取代了傳統(tǒng)的冷 AL工藝。SOG（ spinon glass):具有下述優(yōu)點(diǎn) 1）工藝簡單； 2）低缺陷密度； 3）高產(chǎn)出； 4）低成本 .202。252。252。 18:28:1518:28:1518:281/31/2023 6:28:15 PM? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 6:28:15 下午 6:28 下午 18:28:15一月 21? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 一月 216:28 下午 一月 2118:28January 31, 2023? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 一月 21一月 2118:28:1518:28:15January 31, 2023? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 216:28 下午 一月 2118:28January 31, 2023? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 6:28:15 下午 6:28 下午 18:28:15一月 21? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 18:28:1518:28:1518:281/31/2023 6:28:15 PM? 1成功就是日復(fù)一日那
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1