【正文】 – 微電子技術(shù)與其它領(lǐng)域相結(jié)合將產(chǎn)生新的產(chǎn)業(yè)和新的學(xué)科 ，例如 MEMS、 DNA芯片等 其核心是將電子信息系統(tǒng)中的信息獲取、信息執(zhí)行與信息處理等主要功能集成在一個(gè)芯片上，而完成信息處理處理功能。 2. 結(jié)晶定位：保證結(jié)晶方向的偏差在控制范圍內(nèi)，試切－切片 3. 切片：內(nèi)徑切割（ ID Slicing）、線切割（ wire－ saw slicing）。 研磨的操作 控制參數(shù)：研磨盤轉(zhuǎn)速及所加的荷重。 硅片清洗的基本概念及理論 吸附：硅片表面的硅原子鍵被打開，這些不飽和鍵處于不穩(wěn)定狀態(tài)，極易吸引周圍環(huán)境中的原子或分子 解吸：吸附于硅片表面的雜質(zhì)粒子在其平衡位置附近不停地作熱運(yùn)動，有的雜質(zhì)粒子獲得了較大的動能得以脫離硅片表面重新回到周圍環(huán)境中 吸附放熱，解吸吸熱，以各種方法為雜質(zhì)粒子解吸提供所需能量，形成各種不同的清洗方法 常用的清洗方法：濕法化學(xué)清洗；兆聲清洗；干法清洗；刷片清洗；激光清洗 被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型 分子型雜質(zhì)與硅片表面吸附力較弱，多屬油脂類物質(zhì) 離子型和原子型雜質(zhì)屬化學(xué)吸附，吸附力較強(qiáng) 清洗順序：去分子－去離子－去原子－去離子水沖洗－烘干、甩干 分子型雜質(zhì)對離子及原子型雜質(zhì)有掩蔽作用，應(yīng)先去除。硝酸為氧化劑，氫氟酸為絡(luò)合劑。常用的有：醋酸（ CH3COOH)及磷酸 (H3PO4) 酸性腐蝕的特性 腐蝕后的晶片要求一定的 TTV(Total Thickness Variation） 。 2. 預(yù)先在拋光輪上切出硅片外圓形狀再進(jìn)行拋光，拋光輪為發(fā)泡固化的聚氨脂。 3. 壓力的影響：壓力增加拋光速度增加，但如過大會增加表面劃傷，溫度不好控制。 B 無紡布拋光墊：用于細(xì)拋光，材料為聚合物棉絮類纖維，經(jīng)針孔加工形成毛毯結(jié)構(gòu)后，在聚合物的化學(xué)溶液槽中浸泡在烘烤 C 絨毛結(jié)構(gòu)拋光墊：用于精拋光，基材為無紡布，中間層為聚合物微孔層，表面層為多孔性的絨毛結(jié)構(gòu)。 SiO2 固體濃度： 2％～ 50％，粗拋光液顆粒較大， PH值 ～ ；精拋光液顆粒較小， PH值 ～ 精拋光工藝須解決的問題 精拋光工藝須解決的問題有：表面劃傷、拋光霧、金屬離子沾污、殘余顆粒難清除（這些影響器件的電特性，低擊穿、漏電流增加） 選用高純 SiO2為基材，有機(jī)堿為分散介質(zhì)的無鈉拋光液，適用于 MOS器件的硅片精拋光，以拋光片無霧和減少表面氧化層錯(cuò)（ OSF)為目的。 拋光霧出現(xiàn)的原因： A 拋光布的老化（可用加時(shí)和增加去除量的方法解決）； B 拋光液的選擇； C 活性劑、潤滑劑、壓力的選擇 拋光硅片表面質(zhì)量 2. 表面質(zhì)量有關(guān)參數(shù)（用 Zygo、 Wyko、 AFM、 α－ step儀器測量） A TTV： 硅片的最大及最小的厚度差。 5℃ 10min 去金屬離子 去金屬原子 去一般金屬離子， K,Na等 Ⅲ 號洗液 H2SO4:H2O2 =3:1 120177。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 10秒 02:41: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 10秒 02:41: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1行動出成果，工作出財(cái)富。 配制 2液：先倒入 6份的 DI水，再倒入 1份的鹽酸，最后倒入1份的雙氧水 作用：鹽酸與含 Na的鹽反應(yīng)，除去 Na離子 配制 3液：先倒入 H2O2,再將 99％濃硫酸倒入雙氧水中，會發(fā)生劇烈放熱反應(yīng)，使用及配制時(shí)需特別小心 作用：使光刻膠氧化（碳化） 當(dāng)前硅圓片的典型規(guī)格 1. 清潔度（顆粒 /cm2） 2. 氧濃度（ cm－ 3） 3. 碳濃度（ cm－ 3） 4. 金屬沾污（ ppb十億分之一） 5. 原生位錯(cuò)（ cm－ 2） 6. 氧誘生堆垛層錯(cuò)（ cm－ 3） 3 7. 直徑、厚度、翹曲、平行度、 8. 電阻率、載流子濃度、遷移率、腐蝕坑密度 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧?？刂圃?2um以下（光刻對焦要求） 拋光硅片表面質(zhì)量 C FPD： 硅片表面一點(diǎn)與參考平面之間的最大距離 拋光硅片表面質(zhì)量 D： 平整度（ DP） DP（％）＝（ 1－ SHpost/ SHpre ） 100％ SHpost＝ CMP之后在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺階的高度差 SHpre＝ CMP之前在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺階的高度差 注意：平整度與均勻性概念的區(qū)別，平整度為局部概念。 1. 堿的選擇：粗拋用 NaOH，精拋用氨水、不含堿金屬離子的有機(jī)胺。 拋光液 拋光液的基本要求：流動性好，不易沉淀和結(jié)塊，懸浮性能好，無毒，拋光速率快，硅片表面質(zhì)量好，便于清洗。 5. 流量的影響：流量小，摩擦力大，溫度分布不均，降低硅片表面的平坦地。 SiO2還有催化反應(yīng)作用。 影響因素：晶片旋轉(zhuǎn)速度；打入氣泡方式（由酸槽下方打入氣泡或超聲波提高反應(yīng)物與反應(yīng)產(chǎn)物的交換速度與均一性）； HF濃度；緩沖酸液；晶片盒的設(shè)計(jì)等 HF濃度與打氣泡方式是影響腐蝕速度及平坦度的主要參數(shù)。 氧化： Si + 2HNO3 SiO2 + 2HNO2 2HNO2 NO + NO2 + H2O 絡(luò)合 SiO2 + 6HF H2SiF6 （可溶性絡(luò)合物） + 2H2O 緩沖酸液作用：緩沖腐蝕速率，促進(jìn)均勻，避免晶片表面出現(xiàn)不規(guī)則的腐蝕結(jié)構(gòu)。 清洗原理 1. 表面活性劑的增溶作用：表面活性劑濃度大于臨界膠束濃度時(shí)會在水溶液中形成膠束，能使不溶或微溶于水的有機(jī)物的溶解度顯著增大。研磨結(jié)束前需慢慢降低研磨壓力。 切片決定晶片四個(gè)參數(shù)： 表面方向（ surface orientation） 如 111或 100 厚度（ thickness） ～ ，由晶片直徑?jīng)Q定 斜度（ taper）：從一端到另一端晶片厚度的差異 彎曲度（翹度 bow） 晶片中心量到邊緣的彎曲程度 Internal diameter wafer saw Internal Diameter Saw Figure 倒角 砂輪磨去硅圓片周圍鋒利的棱角 作用： A 防止硅片邊緣破裂（破裂后會產(chǎn)生應(yīng)力集中，會產(chǎn)生碎屑） B 防止熱應(yīng)力造成的缺陷（熱應(yīng)力會使位錯(cuò)向內(nèi)部滑移或增殖，倒角可避免這類材料缺陷在晶片產(chǎn)